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अफ़र्याशियस (6960)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सराफक - अधिकतम R पruguth की स सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक तमाम Td (ranah/बंद) @ 25 ° C तमाम वोलmuth - सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) पthirraurोध @ yur, एफ तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण
EDZTE615.6B Rohm Semiconductor Edzte615.6b -
सराय
 ECAD 8647 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzte615 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 2.5 V 5.6 वी 60 ओम
RFV12TJ6SGC9 Rohm Semiconductor RFV12TJ6SGC9 1.5400
सराय
 ECAD 927 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 RFV12 तमाम TO-220ACFP तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.8 वी @ 12 ए 45 एनएस 10 µA @ 600 V 150 ° C 12 ए -
YDZVFHTR6.2 Rohm Semiconductor Ydzvfhtr6.2 0.3600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 9.68% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Ydzvfhtr6.2 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 3 वी 6.2 वी
MTZJT-7712B Rohm Semiconductor MTZJT-7712B -
सराय
 ECAD 8854 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT ५०० तंग एमएसडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 200 सवार @ 9 वी 12 वी 25 ओम
RGT16NS65DGTL Rohm Semiconductor RGT16NS65DGTL 1.8300
सराय
 ECAD 266 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RGT16 तमाम 94 किल्विक तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 1,000 400V, 8A, 10Ohm, 15V 42 एनएस क्योरस कांवस 650 वी 16 ए 24 ए 2.1V @ 15V, 8a - 21 एन.सी. 13NS/33NS
SP8K22FU6TB Rohm Semiconductor SP8K22FU6TB -
सराय
 ECAD 6739 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) SP8K22 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक २ तंग 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 2 the-चैनल (therी) 45V 4.5a 46MOHM @ 4.5A, 10V 2.5V @ 1MA 9.6NC @ 5V 550pf @ 10v सराय -स
1SS355VMFHTE-17 Rohm Semiconductor 1SS355VMFHTE-17 0.3800
सराय
 ECAD 8 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F 1SS355 तमाम UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 80 वी 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 gaba @ 80 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma 3PF @ 500MV, 1MHz
RGCL60TS60GC13 Rohm Semiconductor RGCL60TS60GC13 5.4400
सराय
 ECAD 6646 0.00000000 रोटी - नली शिर -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 RGCL60 तमाम 111 इक्चम To-247g तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RGCL60TS60GC13 Ear99 8541.29.0095 30 400V, 30A, 10Ohm, 15V क्योरस कांवस 600 वी 48 ए 120 ए 1.8V @ 15V, 30A 770 ONJ (rana), 1.11mj (बंद) 68 एन.सी. 44NS/186NS
R6007ENX Rohm Semiconductor R6007ENX 2.4600
सराय
 ECAD 136 0.00000000 रोटी - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu R6007 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220fm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 500 n- चैनल 600 वी 7 ए (टीसी) 10V 620MOHM @ 2.4A, 10V 4V @ 1MA २० सना हुआ @ १० ± 20 वी 390 पीएफ @ 25 वी - 40W (टीसी)
R6002END3TL1 Rohm Semiconductor R6002END3TL1 1.1000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 R6002 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 600 वी 1.7 ए (टीसी टीसी) 10V 3.4OHM @ 500MA, 10V 4V @ 1MA 6.5 सना ± 20 वी 65 पीएफ @ 25 वी - 26W (टीसी)
RN142VTE-17 Rohm Semiconductor RN142VTE-17 0.1026
सराय
 ECAD 7587 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) SC-90, SOD-323F RN142 UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 100 सवार 0.45pf @ 1V, 1MHz पिन - एकल 60V 3OHM @ 3MA, 100MHz
2SCRC41CHZGT116S Rohm Semiconductor 2SCRC41CHZGT116S 0.5300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SCRC41 200 सभा Sst3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 120 वी ५० सदा 500NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 1MA, 10MA 180 @ 2ma, 6v 140MHz
RB521ZS-30T2R_1 Rohm Semiconductor RB521ZS-30T2R_1 -
सराय
 ECAD 5057 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) RB521 schottky GMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB521ZS-30T2R_1TR Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 370 एमवी @ 10 एमए 7 µa @ 10 वी 150 ° C 100ma -
2SB1238TV2P Rohm Semiconductor 2SB1238TV2P -
सराय
 ECAD 2217 0.00000000 रोटी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 3-सिप 2SB1238 1 डब एटीवी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0075 2,500 80 वी 700 सना हुआ 500NA (ICBO) तमाम 400MV @ 50mA, 500mA 82 @ 100ma, 3v 100MHz
MMST5088T146 Rohm Semiconductor MMST5088T146 0.1102
सराय
 ECAD 3385 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMST5088 SMT3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 - - - - -
UT6MB5TCR Rohm Semiconductor Ut6mb5tcr 0.8900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-पॉव Ut6m मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 2W (TA) Huml2020l8 तंग 1 (असीमित) 3,000 - 40V 5 ए (टीए), 3.5 टीसी (टीसी () 48MOHM @ 5A, 10V, 122MOHM @ 3.5A, 10V 2.5V @ 1MA - - तमाम
2SD2226KT146W Rohm Semiconductor 2SD2226KT146W 0.4400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2SD2226 200 सभा SMT3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी १५० सना हुआ 300NA (ICBO) एनपीएन 300MV @ 5ma, 50ma 1200 @ 1MA, 5V 250MHz
RFN5BM3STL Rohm Semiconductor RFN5BM3STL 1.0700
सराय
 ECAD 235 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 Rfn5b तमाम TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 350 वी 1.5 वी @ 5 ए 30 एनएस 10 µA @ 350 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
RBR2MM30ATR Rohm Semiconductor RBR2MM30ATR 0.4500
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RBR2MM30 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 530 mV @ 2 ए 50 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
RLZTE-1115B Rohm Semiconductor RLZTE-1115b -
सराय
 ECAD 7954 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 २०० सवार @ ११ वी 14.3 वी 16 ओम
RB050L-60DDTE25 Rohm Semiconductor RB050L-60DDTE25 0.7100
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RB050 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 560 mV @ 3 ए 100 µa @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RCJ450N20TL Rohm Semiconductor RCJ450N20TL 3.3900
सराय
 ECAD 67 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RCJ450 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक LPTS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 200 वी 45 ए (टीसी) 10V 55MOHM @ 22.5A, 10V 5V @ 1MA 80 सीन @ 10 वी ± 30V 4200 पीएफ @ 25 वी - 1.56W (TA), 40W (टीसी)
RB063L-30TE25 Rohm Semiconductor RB063L-30TE25 0.9100
सराय
 ECAD 126 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RB063 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 395 mV @ 2 ए 200 µa @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
RBR5L30BDDTE25 Rohm Semiconductor RBR5L30BDDTE25 0.7800
सराय
 ECAD 12 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RBR5L30 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 490 mV @ 5 ए 150 µA @ 30 V 150 ° C 5 ए -
BAV199UMTL Rohm Semiconductor Bav199umtl 0.4900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एससी -85 BAV199 तमाम UMD3F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 अराध्यना 80 वी 215ma (डीसी डीसी) 1.25 वी @ 150 एमए 3 μs 5 सना हुआ @ 75 वी 150 ° C
2SCR514PFRAT100 Rohm Semiconductor 2SCR514PFRAT100 0.4100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-243aa 2SCR514 ५०० तंग Mpt3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 1,000 80 वी 700 सना हुआ 1 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 300MV @ 15ma, 300ma 120 @ 100ma, 3v 320MHz
VT6X1T2R Rohm Semiconductor Vt6x1t2r 0.4800
सराय
 ECAD 9449 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) तंग 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-एसएमडी Vt6x1 १५० तंग Vmt6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 8,000 20 वी 200MA 100NA (ICBO) 2 एनपीएन (rurी) 300MV @ 10MA, 100mA 120 @ 1MA, 2V 400MHz
RSX071VA-30TR Rohm Semiconductor RSX071VA-30TR 0.5200
सराय
 ECAD 320 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Rsx071 schottky TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 420 एमवी @ 700 एमए 200 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 700ma -
UDZSTE-175.1B Rohm Semiconductor Udzste-175.1b 0.3900
सराय
 ECAD 290 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzste 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 2 @a @ 1.5 वी 5.1 वी 80 ओम
RR274EA-400FHTR Rohm Semiconductor RR274EA-400FHTR 0.9000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOT-23-5 पतली, TSOT-23-5 RR274 तमाम TSMD5 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 400 वी 500ma 1.1 वी @ 500 एमए 10 µA @ 400 V 150 ° C
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