SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम R पruguth की स सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic तमाम Td (ranah/बंद) @ 25 ° C सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
RB520S-30GHTE61 Rohm Semiconductor RB520S-30GHTE61 -
सराय
ECAD 1099 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर RB520 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RB520S-30GHTE61TR Ear99 8541.10.0070 3,000
RB168LAM100TR Rohm Semiconductor RB168LAME100TR 0.4900
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB168 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 810 mV @ 1 ए ४०० पायल @ १०० वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
DTC023YEBTL Rohm Semiconductor DTC023YEBTL 0.1900
सराय
ECAD 5315 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-89, SOT-490 DTC023 १५० तंग EMT3F (SOT-416FL) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार - एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 500µA, 5ma 35 @ 5ma, 10v २५० तंग २.२ किलो 10 कांपो
RSX501LA-20TR Rohm Semiconductor RSX501LA-20TR -
सराय
ECAD 2398 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RSX501 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 390 mV @ 3 ए 500 µA @ 20 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
2SK3541T2L Rohm Semiconductor 2SK3541T2L 0.4700
सराय
ECAD 92 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -723 2SK3541 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Vmt3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 8,000 n- चैनल 30 वी 100ma (TA) 2.5V, 4V 8OHM @ 10MA, 4V 1.5V @ 100 @a ± 20 वी 13 पीएफ @ 5 वी - 150MW (TA)
SDZT15R8.2 Rohm Semiconductor SDZT15R8.2 0.3100
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5% 150 ° C सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं SDZT15 100 तंग Smd0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 ५०० सदाबहार @ ५ वी 8.2 वी
HP8K22TB Rohm Semiconductor HP8K22TB 1.3600
सराय
ECAD 4 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-पॉव HP8K22 - 25W 8-एचएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 २- चैनल-चैनल 30V 27 ए, 57 ए 4.6MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 1MA 16.8NC @ 10V 1080pf @ 15v -
BAW156HYFHT116 Rohm Semiconductor BAW156HYFHT116 0.4400
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Baw156 तमाम एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 80 वी 215ma (डीसी डीसी) 1.25 वी @ 150 एमए 3 μs 5 सना हुआ @ 75 वी 150 ° C
RCJ331N25TL Rohm Semiconductor RCJ331N25TL 4.3400
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RCJ331 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-263s तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 250 वी 33 ए (टीसी) 10V 105MOHM @ 16.5A, 10V 5V @ 1MA 80 सीन @ 10 वी ± 30V 4500 पीएफ @ 25 वी - 1.56W (TA), 211W (TC)
RB522ES-30T15R Rohm Semiconductor RB522ES-30T15R 0.3100
सराय
ECAD 27 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं RB522 schottky Smd0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 15,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 370 एमवी @ 10 एमए 7 µa @ 10 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
RB085B-40GTL Rohm Semiconductor RB085B-40GTL -
सराय
ECAD 7082 0.00000000 रोटी * R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 3,000
RBR20NS40ATL Rohm Semiconductor RBR20NS40ATL 0.7845
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBR20 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RBR20NS40ATLCT Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 10 ए 620 mV @ 10 ए 240 µA @ 40 वी 150 ° C
R6011ENX Rohm Semiconductor R6011ENX 3.0700
सराय
ECAD 500 0.00000000 रोटी - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu R6011 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220fm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 500 n- चैनल 600 वी 11 ए (टीसी) 10V 390MOHM @ 3.8A, 10V 4V @ 1MA 32 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 670 पीएफ @ 25 वी - 40W (टीसी)
QS8K13TCR Rohm Semiconductor QS8K13TCR 0.5704
सराय
ECAD 3494 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड QS8K13 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 550MW Tsmt8 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 30V 6 ए 28MOHM @ 6A, 10V 2.5V @ 1MA 20NC @ 10V 390pf @ 10v -
RGW00TS65EHRC11 Rohm Semiconductor RGW00TS65EHRC11 8.8900
सराय
ECAD 6866 0.00000000 रोटी - नली शिर -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 RGW00 तमाम 254 डब To-247n तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RGW00TS65EHRC11 Ear99 8541.29.0095 450 400V, 25A, 10Ohm, 15V 90 एनएस क्योरस कांवस 650 वी 96 ए 200 ए 1.9V @ 15V, 50 ए 141 एन.सी. 50ns/183ns
SM6K2T110 Rohm Semiconductor SM6K2T110 0.4400
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74, SOT-457 Sm6k2 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 300MW Smt6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 60V 200MA 2.4ohm @ 200ma, 10v 2.5V @ 1MA 4.4NC @ 10V 15pf @ 10v सराय -स
BZX84C6V2LFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C6V2LFHT116 0.1600
सराय
ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6.45% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 4 वी 6.2 वी 10 ओम
RB531VM-40TE-17 Rohm Semiconductor RB531VM-40TE-17 0.3400
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB531 schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 610 एमवी @ 100 एमए 100 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
SH8J66TB1 Rohm Semiconductor SH8J66TB1 2.5500
सराय
ECAD 7 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) SH8J66 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक २ तंग 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 2 the-चैनल (therी) 30V 9 ए 18.5MOHM @ 9A, 10V 2.5V @ 1MA 35NC @ 5V 3000pf @ 10v सराय -स
RBR3MM30ATR Rohm Semiconductor RBR3MM30ATR 0.4100
सराय
ECAD 8 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RBR3MM30 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 510 mV @ 3 ए 100 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RB058L-60TE25 Rohm Semiconductor RB058L-60TE25 0.6600
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RB058 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 640 mV @ 3 ए 4 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RUF015N02TL Rohm Semiconductor RUF015N02TL 0.4900
सराय
ECAD 18 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, Ruf015 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Tumt3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 1.5 ए (टीए) 1.8V, 4.5V 180MOHM @ 1.5A, 4.5V 1V @ 1MA 2.5 सना ± 10V 110 पीएफ @ 10 वी - 800MW (TA)
DTA143EUBTL Rohm Semiconductor Dta143eubtl 0.2000
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur एससी -85 DTA143 200 सभा Umt3f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 ४.7
DTC643TKT146 Rohm Semiconductor DTC643TKT146 0.4300
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC643 200 सभा SMT3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 20 वी ६०० सना हुआ 500NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 2.5mA, 50mA 820 @ 50MA, 5V १५० तंग ४.7
EDZGTE615.1B Rohm Semiconductor Edzgte615.1b -
सराय
ECAD 2013 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzgt 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZGTE615.1BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
RSS125N03FU6TB Rohm Semiconductor RSS125N03FU6TB -
सराय
ECAD 9211 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) RSS125 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 30 वी 12.5 ए (टीए) 4V, 10V 8.9mohm @ 12.5a, 10v 2.5V @ 1MA 28 स्याह @ 5 वी 20 वी 1670 पीएफ @ 10 वी - 2W (TA)
R6004ENDTL Rohm Semiconductor R6004ENDTL 1.4600
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 R6004 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cpt3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 600 वी 4 ए (टीसी) 10V 980MOHM @ 1.5A, 10V 4V @ 1MA 15 सराय @ 10 वी ± 20 वी 250 पीएफ @ 25 वी - 20W (टीसी)
SH8K4TB1 Rohm Semiconductor Sh8k4tb1 1.9600
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) SH8K4 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक २ तंग 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 2 the-चैनल (therी) 30V 9 ए 17mohm @ 9a, 10v 2.5V @ 1MA 21nc @ 5v 1190pf @ 10v सराय -स
TDZVTR6.8 Rohm Semiconductor Tdzvtr6.8 0.3800
सराय
ECAD 143 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 8.82% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tdzvtr6.8 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 3.5 V 6.8 वी
RLZTE-113.6B Rohm Semiconductor RLZTE-113.6b -
सराय
ECAD 4340 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 10 µa @ 1 वी 3.6 वी 60 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम