SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण
RLZTE-118.2B Rohm Semiconductor RLZTE-118.2B -
सराय
ECAD 4044 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 ५०० सदाबहार @ ५ वी 8 वी 8 ओम
RBR3L60ADDTE25 Rohm Semiconductor RBR3L60ADDTE25 0.6600
सराय
ECAD 662 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RBR3L60 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 660 mV @ 3 ए 100 µa @ 60 V 150 ° C 3 ए -
RR1VWM4STR Rohm Semiconductor Rr1vwm4str 0.3600
सराय
ECAD 13 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Rr1vwm4 तमाम पीएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.2 वी @ 1 ए 10 µA @ 400 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB068VWM-60TR Rohm Semiconductor RB068VWM-60TR 0.5000
सराय
ECAD 5928 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB068 schottky पीएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 840 mV @ 2 ए ५०० सदाबहार @ ६० वी 175 ° C 2 ए -
RB561VM-40TE-17 Rohm Semiconductor RB561VM-40TE-17 0.3900
सराय
ECAD 175 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB561 schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 560 एमवी @ 500 एमए 300 µA @ 40 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 500ma -
RBE05SM20AGJT2R Rohm Semiconductor RBE05SM20AGJT2R -
सराय
ECAD 8317 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 schottky EMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RBE05SM20AGJT2RTR Ear99 8541.10.0070 8,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 530 एमवी @ 500 एमए 150 @a @ 20 वी 125 ° C 500ma -
RB098BGE-40TL Rohm Semiconductor RB098BGE-40TL 1.6100
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB095 schottky TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 3 ए 770 mV @ 3 ए 1.5 µA @ 40 वी 150 ° C
RW1A025APT2CR Rohm Semiconductor RW1A025APT2CR -
सराय
ECAD 4370 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड RW1A025 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-वेमट तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 8,000 पी-पी 12 वी 2.5 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 62MOHM @ 2.5A, 4.5V 1V @ 1MA 16 सना -8v 2000 पीएफ @ 6 वी - 400MW (TA)
RB705DFHT146 Rohm Semiconductor RB705DFHT146 0.2028
सराय
ECAD 2043 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RB705 schottky Smd3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 30ma 370 mV @ 1 सना हुआ 1 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB168L-60TE25 Rohm Semiconductor RB168L-60TE25 0.1632
सराय
ECAD 4671 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RB168 schottky तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 680 mV @ 1 ए 1.5 µA @ 60 V 150 ° C 1 क -
RFS30TZ6SGC13 Rohm Semiconductor RFS30TZ6SGC13 6.1700
सराय
ECAD 600 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 RFS30 तमाम To-247ge तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RFS30TZ6SGC13 Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 650 वी 2.3 वी @ 30 ए 35 एनएस 5 @a @ 650 V 175 ° C 30 ए -
UFZVTE-1718B Rohm Semiconductor UFZVTE-1718B 0.3000
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2.63% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F Ufzvte ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सदाबहार @ १३ वी 18 वी 23 ओम
RB085T-60NZC9 Rohm Semiconductor RB085T-60NZC9 2.0200
सराय
ECAD 980 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB085 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB085T-60NZC9 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 10 ए 580 mV @ 5 ए 300 µA @ 60 V 150 ° C
RB160QS-40T18R Rohm Semiconductor RB160QS-40T18R 0.4400
सराय
ECAD 68 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं RB160 schottky SMD1006 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 18,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 650 mV @ 1.5 ए 20 µa @ 40 V 150 ° C 1.5 ए -
BZX84B10VLYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B10VLYFHT116 0.4400
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 सवार @ 7 वी 10 वी 20 ओम
RFUH20TB4SNZC9 Rohm Semiconductor RFUH20TB4SNZC9 2.2500
सराय
ECAD 991 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 RFUH20 तमाम To-220nfm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RFUH20TB4SNZC9 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 430 वी 1.7 वी @ 20 ए 25 एनएस 10 µA @ 430 V 150 ° C 20 ए -
BAS116HYFHT116 Rohm Semiconductor BAS116HYFHT116 0.3900
सराय
ECAD 880 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas116 तमाम एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 80 वी 1.25 वी @ 150 एमए 3 μs 5 सना हुआ @ 75 वी 150 ° C 215mA 4pf @ 0v, 1MHz
RB715FM-40T106 Rohm Semiconductor RB715FM-40T106 0.4000
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RB715 schottky SOT-323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 30ma 370 mV @ 1 सना हुआ 1 µa @ 10 V 150 ° C
RW1A030APT2CR Rohm Semiconductor RW1A030APT2CR -
सराय
ECAD 3626 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड RW1A030 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-वेमट तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 8,000 पी-पी 12 वी 3 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 42MOHM @ 3A, 4.5V 1V @ 1MA २२ सदा -8v 2700 पीएफ @ 6 वी - 700MW (TA)
R8005ANJFRGTL Rohm Semiconductor R8005ANJFRGTL 3.2100
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB R8005 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक LPTS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 800 वी 5 ए (टीसी) 10V 2.1OHM @ 2.5A, 10V 5V @ 1MA २० सना हुआ @ १० ± 30V 500 पीएफ @ 25 वी - 120W (टीसी)
RFN1LAM7STFTR Rohm Semiconductor Rfn1lam7stftr 0.6000
सराय
ECAD 6 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rfn1lam7 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 700 वी 1.5 वी @ 800 एमए 80 एनएस 1 µA @ 700 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 800ma -
2SA1576U3HZGT106R Rohm Semiconductor 2SA1576U3HZGT106R 0.3800
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SA1576 200 सभा Umt3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 500MV @ 5ma, 5ma 120 @ 1MA, 6V 140MHz
CDZFHT2RA3.6B Rohm Semiconductor Cdzfht2ra3.6b 0.3900
सराय
ECAD 6 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, CDZFH R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 3.29% 150 ° C (TJ) सतह rurcur Sod-923 Cdzfht2 100 तंग VMN2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 10 µa @ 1 वी 3.72 वी 100 ओम
SCT3060ALHRC11 Rohm Semiconductor SCT3060ALHRC11 25.3100
सराय
ECAD 282 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 SCT3060 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) To-247n तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 39 ए (टीसी) 18V 78MOHM @ 13A, 18V 5.6V @ 6.67ma 58 सना +22v, -4v 852 पीएफ @ 500 वी - 165W
1SS400G9JTE61 Rohm Semiconductor 1SS400G9JTE61 -
सराय
ECAD 9203 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-1SS400G9JTE61TR Ear99 8541.10.0070 3,000
R6530KNX3C16 Rohm Semiconductor R6530KNX3C16 6.3600
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 R6530 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-R6530KNX3C16 Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 30 ए (टीसी) 10V 140MOHM @ 14.5A, 10V 5V @ 960µA ५६ सना ± 20 वी 2350 पीएफ @ 25 वी - 307W (टीसी)
R6018JNJGTL Rohm Semiconductor R6018JNJGTL 4.2600
सराय
ECAD 626 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB R6018 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक LPTS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 600 वी 18 ए (टीसी) 15V 286MOHM @ 9A, 15V 7V @ 4.2MA ४२ सना ± 30V 1300 पीएफ @ 100 वी - 220W (टीसी)
RRS050P03HZGTB Rohm Semiconductor RRS050P03HZGTB 1.2800
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) RRS050 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 पी-पी 30 वी 5 ए (टीए) 4V, 10V 50mohm @ 5a, 10v 2.5V @ 1MA ९। ± 20 वी 850 पीएफ @ 10 वी - 2W (TA)
VDZT2R2.7B Rohm Semiconductor Vdzt2r2.7b -
सराय
ECAD 4985 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur एसओटी -723 Vdzt2 100 तंग VMD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 2.7 वी
HS8K1TB Rohm Semiconductor HS8K1TB 0.8800
सराय
ECAD 4 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-udfn ने पैड को को ranahar HS8K1 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 2W (TA) HSML3030L10 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 3,000 2 the-चैनल (therी) 30V 10 ए (टीए), 11 टीए (टीए () 14.6MOHM @ 10a, 10v, 11.8mohm @ 11a, 10v 2.5V @ 1MA 6NC @ 10V, 7.4NC @ 10V 348pf @ 15v, 429pf @ 15v -
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    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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