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अफ़र्याशियस (6960)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार शराबी तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम R पruguth की स कसना कांपना अफ़म सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक तमाम Td (ranah/बंद) @ 25 ° C सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
EDZVT2R10B Rohm Semiconductor Edzvt2r10b 0.2800
सराय
 ECAD 76 0.00000000 रोटी Edzv R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvt2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 gapa @ 7 वी 10 वी 30 ओम
RB531VM-40FHTE-17 Rohm Semiconductor RB531VM-40FHTE-17 0.3700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-90, SOD-323F RB531 schottky UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 610 एमवी @ 100 एमए 100 µa @ 40 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
RGS50TSX2GC11 Rohm Semiconductor RGS50TSX2GC11 8.1700
सराय
 ECAD 174 0.00000000 रोटी - नली शिर -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 RGS50 तमाम ३ ९ ५ To-247n तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RGS50TSX2GC11 Ear99 8541.29.0095 30 600V, 25A, 10Ohm, 15V क्योरस कांवस 1200 वी 50 ए 75 ए 2.1V @ 15V, 25A 1.4MJ (ON), 1.65MJ (OFF) 67 एन.सी. 37NS/140NS
GDZ8EPT2R6.2 Rohm Semiconductor Gdz8ept2r6.2 -
सराय
 ECAD 2269 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-GDZ8EPT2R6.2TR Ear99 8541.10.0050 8,000
YFZVFHTR33B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr3333b 0.4300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 2.51% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Yfzvfhtr33 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सदाबहार @ २५ वी 31.1 वी 65 ओम
RB160L-60TE25 Rohm Semiconductor RB160L-60TE25 0.1613
सराय
 ECAD 8783 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RB160 schottky तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 580 mV @ 1 ए 1 पायल @ 60 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RB088LAM100TR Rohm Semiconductor RB088LAMA100TR 0.6100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB088 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 870 mV @ 5 ए 3 µa @ 100 वी 150 ° C 5 ए -
UMH33NTN Rohm Semiconductor Umh33ntn 0.5300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMH33 १५० तंग Umt6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 20 वी 400ma 500NA (ICBO) 2 एनपीएन - rayrach -पक 100MV @ 3MA, 30mA 820 @ 10MA, 5V 35MHz 2.2KOHMS -
RR1LAM6STR Rohm Semiconductor Rr1lam6str 0.4300
सराय
 ECAD 9 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur सोद -128 RR1LAME66 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 1 ए 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
US6T9TR Rohm Semiconductor US6T9TR 0.2300
सराय
 ECAD 2253 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 US6T9 400MW Umt6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 30V 1 क 100NA (ICBO) 2 पीएनपी (rurी) 350mv @ 25ma, 500ma 270 @ 100ma, 2v 320MHz
SCT4045DW7HRTL Rohm Semiconductor SCT4045DW7HRTL 15.1500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-8, DICPAK (7 टैब + टैब), TO-263CA Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) To-263-7L तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 750 वी 31 ए (टीसी) 18V 59MOHM @ 17A, 18V 4.8V @ 8.89ma 63 सना +21V, -4V 1460 पीएफ @ 500 वी - 93W
VDZT2R15B Rohm Semiconductor Vdzt2r15b -
सराय
 ECAD 2108 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SOD-723 Vdzt2 100 तंग VMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 gaba @ 11 वी 14.7 वी 42 ओम
2SAR340PT100Q Rohm Semiconductor 2SAR340PT100Q 0.6600
सराय
 ECAD 100 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-243aa 2SAR340 ५०० तंग Mpt3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 1,000 400 वी 100 सवार 10 ए (आईसीबीओ) तमाम 400MV @ 2MA, 20mA 82 @ 10MA, 10V -
RX3R05BBHC16 Rohm Semiconductor RX3R05BBHC16 3.9700
सराय
 ECAD 9237 0.00000000 रोटी - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 RX3R05 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -220 एबी तंग 1 (असीमित) तमाम 846-RX3R05BHC16 Ear99 8541.29.0095 100 n- चैनल 150 वी 50 ए (टीए) 6v, 10v 29MOHM @ 25A, 10V 4V @ 1MA 37 सना ± 20 वी 2150 पीएफ @ 75 वी - 89W (TA)
RBR15BGE40ATL Rohm Semiconductor RBR15BGE40ATL 1.8400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RBR15 schottky TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 15 ए 550 mV @ 7.5 ए 240 µA @ 40 वी 150 ° C
BAS21HYT116 Rohm Semiconductor BAS21HYT116 0.4000
सराय
 ECAD 20 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Bas21 तमाम एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 200 वी 1.25 वी @ 200 एमए 50 एनएस 100 kay @ 200 वी 150 ° C 200MA 2.5pf @ 0v, 1MHz
RSX071VAM30TR Rohm Semiconductor RSX071VAM30TR 0.3800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Rsx071 schottky TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 420 एमवी @ 700 एमए 9.6 एनएस 200 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 700ma -
RB500SM-30FHT2R Rohm Semiconductor RB500SM-30FHT2R 0.2000
सराय
 ECAD 22 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 RB500 schottky EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 450 एमवी @ 10 एमए ५०० सदाबहार @ १० वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 100ma -
DTB723YMT2L Rohm Semiconductor DTB723YMT2L 0.1035
सराय
 ECAD 4214 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur एसओटी -723 DTB723 १५० तंग Vmt3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 8,000 30 वी 200 एमए 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 2.5MA, 50mA 140 @ 100ma, 2v २६० सभा २.२ किलो 10 कांपो
RGWS00TS65GC13 Rohm Semiconductor RGWS00TS65GC13 6.2100
सराय
 ECAD 7117 0.00000000 रोटी - नली शिर -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 Rgws00 तमाम २४५ इलकम To-247g तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RGWS00TS65GC13 Ear99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 10Ohm, 15V क्योरस कांवस 650 वी 88 ए 150 ए 2V @ 15V, 50 ए 980 ONJ (ON), 910) J (बंद) 108 एनसी 46NS/145NS
RRS090N03FU7TB1 Rohm Semiconductor RRS090N03FU7TB1 -
सराय
 ECAD 8919 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-सेप - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RRS090N03FU7TB1TR Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 30 वी 9 ए (टीए) 4V, 10V 19mohm @ 9a, 10v 2.5V @ 1MA 18 स्याह @ 5 वी ± 20 वी 1450 पीएफ @ 10 वी - 2W (TA)
RSL020P03TR Rohm Semiconductor RSL020P03TR 0.2246
सराय
 ECAD 5040 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड RSL020 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Tumt6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 30 वी 2 ए (टीए) 4V, 10V 120MOHM @ 2A, 10V - ३. ९ सराय @ ५ वी ± 20 वी 350 पीएफ @ 10 वी - 1W (TA)
SCT3080KRC15 Rohm Semiconductor SCT3080KRC15 15.2000
सराय
 ECAD 7686 0.00000000 रोटी - नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-4 SCT3080 एसआईसी (सिलिकॉन kabauramaut जंकthuramakiraur) To-247-4L तंग 3 (168 घंटे) तमाम 846-SCT3080KRC15 Ear99 8541.29.0095 450 n- चैनल 1200 वी 31 ए (टीजे) 18V 104mohm @ 10a, 18v 5.6V @ 5ma 60 सना +22v, -4v 785 पीएफ @ 800 वी - 165W
2SAR552PFRAT100 Rohm Semiconductor 2SAR552PFRAT100 0.5700
सराय
 ECAD 858 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-243aa 2SAR552 ५०० तंग Mpt3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 1,000 30 वी 3 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 400MV @ 50mA, 1 ए 200 @ 500mA, 2V 330MHz
BSS64AHZGT116 Rohm Semiconductor BSS64AHZGT116 0.3900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS64 200 सभा Sst3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 100 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन 300MV @ 10MA, 100mA 30 @ 25ma, 1v 140MHz
RGCL80TS60GC11 Rohm Semiconductor RGCL80TS60GC11 4.6100
सराय
 ECAD 420 0.00000000 रोटी - थोक नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 RGCL80 तमाम 148 इक्चम To-247n तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 450 400V, 40A, 10Ohm, 15V क्योरस कांवस 600 वी 65 ए 160 ए 1.8V @ 15V, 40a 1.11MJ (ON), 1.68MJ (OFF) 98 एनसी 53NS/227NS
BM63574S-VC Rohm Semiconductor BM63574S-VC 24.6300
सराय
 ECAD 60 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से २५ सराय से (१.३२ of ", ३३.7० मिमी) आईजीबीटी BM63574 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-BM63574S-VC Ear99 8542.39.0001 60 ३ 15 ए 600 वी 1500VRMS
2SA1774TLQ Rohm Semiconductor 2SA1774TLQ 0.3800
सराय
 ECAD 40 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-75, SOT-416 2SA1774 १५० तंग EMT3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 500MV @ 5MA, 50mA 120 @ 1MA, 6V 140MHz
TDZTR30B Rohm Semiconductor Tdztr30b -
सराय
 ECAD 9560 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tdztr30 ५०० तंग TUMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 21 वी 30 वी
RBR5LAM40ATR Rohm Semiconductor RBR5ALM40ATR 0.6200
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RBR5ALM40 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 530 mV @ 5 ए 200 @a @ 40 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
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