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अफ़र्याशियस (6960)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम R पruguth की स सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक तमाम Td (ranah/बंद) @ 25 ° C सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
QH8MB5TCR Rohm Semiconductor QH8MB5TCR 0.9600
सराय
 ECAD 2245 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड QH8MB5 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 1.1W (TA) Tsmt8 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 3,000 एन rur पी-चैनल 40v 4.5 ए (टीए), 5 टीए (टीए () 44MOHM @ 4.5A, 10V, 41MOHM @ 5A, 10V 2.5V @ 1MA 3.5NC @ 10V, 17.2NC @ 10V 150pf @ 20v, 920pf @ 20V -
RB068L100DDTE25 Rohm Semiconductor RB068L100DDTE25 0.7200
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RB068 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 790 mV @ 2 ए 15 µA @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
RBS3MM40ATR Rohm Semiconductor RBS3MM40ATR 0.4100
सराय
 ECAD 5397 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RBS3MM40 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 490 mV @ 3 ए 500 µA @ 20 वी 125 ° C 3 ए -
DTD123ECT116 Rohm Semiconductor DTD123ECT116 0.3700
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTD123 200 सभा Sst3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी ५०० तंग 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 2.5MA, 50mA 39 @ 50ma, 5v २०० सराय २.२ किलो २.२ किलो
SCT2280KEC Rohm Semiconductor SCT2280KEC -
सराय
 ECAD 9972 0.00000000 रोटी - नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 SCT2280 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम SCT2280KECU Ear99 8541.29.0095 360 n- चैनल 1200 वी 14 ए (टीसी) 18V 364MOHM @ 4A, 18V 4V @ 1.4MA 36 सना +22v, -6v 667 पीएफ @ 800 वी - 108W (टीसी)
RGS00TS65HRC11 Rohm Semiconductor RGS00TS65HRC11 7.5200
सराय
 ECAD 2797 0.00000000 रोटी - नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 RGS00 तमाम ३२६ इलकम To-247n तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RGS00TS65HRC11 Ear99 8541.29.0095 30 400V, 50A, 10Ohm, 15V क्योरस कांवस 650 वी 88 ए 150 ए 2.1V @ 15V, 50 ए 1.46MJ (ON), 1.29MJ (OFF) 58 एन.सी. 36NS/115NS
RGS30TSX2HRC11 Rohm Semiconductor RGS30TSX2HRC11 6.9300
सराय
 ECAD 3931 0.00000000 रोटी - नली शिर -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 RGS30 तमाम 267 इकम To-247n तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RGS30TSX2HRC11 Ear99 8541.29.0095 30 600V, 15A, 10Ohm, 15V क्योरस कांवस 1200 वी 30 ए 45 ए 2.1V @ 15V, 15A 740 ONJ (rana), 600) J (बंद) 41 एन.सी. 30NS/70NS
DTA143ECAHZGT116 Rohm Semiconductor DTA143ECAHZGT116 0.1900
सराय
 ECAD 850 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTA143 ३५० तंग Sst3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 100 सवार - पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 10MA 30 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 ४.7
RN142ST2R Rohm Semiconductor RN142ST2R -
सराय
 ECAD 7059 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RN142ST2RTR शिर 3,000
RBQ20NS45AFHTL Rohm Semiconductor RBQ20NS45AFHTL 1.2500
सराय
 ECAD 19 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBQ20 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 20 ए 650 mV @ 10 ए 140 @a @ 45 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BZX84C4V7LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C4V7LYFHT116 0.3800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.38% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 2 वी 4.7 वी 80 ओम
2SAR513RHZGTL Rohm Semiconductor 2SAR513RHZGTL 0.7200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur एससी -96 ५०० तंग Tsmt3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 1 ए 1 ए (आईसीबीओ) तमाम 400MV @ 25ma, 500ma 180 @ 50MA, 2V 400MHz
RQ3E070BNTB Rohm Semiconductor RQ3E070BNTB 0.4800
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn RQ3E070 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-HSMT (3.2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 7 ए (टीए) 4.5V, 10V 27MOHM @ 7A, 10V 2.5V @ 1MA 8.9 सभा @ 10 वी ± 20 वी 410 पीएफ @ 15 वी - 2W (TA)
RB168LAM-30TR Rohm Semiconductor RB168LAME-30TR 0.4000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB168 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 690 mV @ 1 ए ६०० सवार @ ३० वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
EDZVT2R30B Rohm Semiconductor Edzvt2r30b 0.2800
सराय
 ECAD 3604 0.00000000 रोटी Edzv R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvt2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 100 kay @ 23 वी 30 वी 200 ओम
R6025FNZ1C9 Rohm Semiconductor R6025FNZ1C9 -
सराय
 ECAD 4757 0.00000000 रोटी - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 R6025 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 600 वी 25 ए (टीसी) 10V 180mohm @ 12.5a, 10v 5V @ 1MA 85 सभा @ 10 वी ± 30V 3500 पीएफ @ 25 वी - 150W (टीसी)
RBR1LAM60ATFTR Rohm Semiconductor RBR1LAM60ATFTR 0.4100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rbr1lam60 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 75 µA @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
TFZGTR36B Rohm Semiconductor Tfzgtr36b 0.0886
सराय
 ECAD 9733 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tfzgtr36 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 २०० सवार @ २ वी वी 36 वी 75 ओम
SCS205KGC17 Rohm Semiconductor SCS205KGC17 5.8100
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220ACFP तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-SCS205KGC17 Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.6 वी @ 5 ए 0 एनएस 100 µA @ 1200 वी 175 ° C 5 ए 270pf @ 1V, 1MHz
RQ5C060BCTCL Rohm Semiconductor RQ5C060BCTCL 0.8000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur एससी -96 RQ5C060 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Tsmt3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 6 ए (टीए) 4.5V 21.1MOHM @ 6A, 4.5V 1.2V @ 1MA १ ९। ± 8V 1360 पीएफ @ 10 वी - 1W (टीसी टीसी)
BZX84C9V1LYT116 Rohm Semiconductor BZX84C9V1LYT116 0.4200
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.04% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 ५०० सदाबहार @ ६ वी 9.1 वी 15 ओम
R6007KNJTL Rohm Semiconductor R6007KNJTL 1.9600
सराय
 ECAD 17 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB R6007 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक LPTS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 600 वी 7 ए (टीसी) 10V 620MOHM @ 2.4A, 10V 5V @ 1MA 14.5 vapak @ 10 वी ± 20 वी 470 पीएफ @ 25 वी - 78W (टीसी)
SCS210AMC Rohm Semiconductor SCS210AMC 5.6300
सराय
 ECAD 248 0.00000000 रोटी - नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं होल के kaytaumauth से To-220-2 SCS210 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220fm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.55 वी @ 10 ए 0 एनएस 200 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए 365pf @ 1V, 1MHz
R6014YNX3C16 Rohm Semiconductor R6014YNX3C16 3.7100
सराय
 ECAD 9832 0.00000000 रोटी - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 R6014 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -220 एबी तंग 1 (असीमित) 846-R6014YNX3C16 50 n- चैनल 600 वी 14 ए (टीसी) 10V, 12V 260mohm @ 5a, 12v 6V @ 1.4MA २० सना हुआ @ १० ± 30V 890 पीएफ @ 100 वी - 132W (टीसी)
RB861Y9HKT2R Rohm Semiconductor RB861Y9HKT2R -
सराय
 ECAD 4790 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75-4, SOT-543 schottky EMD4 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB861Y9HKT2RTR शिर 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 5 वी 10ma (डीसी) 290 mV @ 1 सना हुआ 30 µA @ 1 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RB520S-30G9JTE61 Rohm Semiconductor RB520S-30G9JTE61 -
सराय
 ECAD 9246 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर RB520 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RB520S-30G9JTE61TR Ear99 8541.10.0070 3,000
RB160M-40TR Rohm Semiconductor RB160M-40TR 0.3500
सराय
 ECAD 2366 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur सोद -123F RB160 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 510 mV @ 1 ए 30 µA @ 40 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RD3R02BBHTL1 Rohm Semiconductor RD3R02BBHTL1 1.7900
सराय
 ECAD 2448 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RD3R02 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक TO-252 तंग 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 150 वी 20 ए (टीसी) 6v, 10v 81MOHM @ 10A, 10V 4V @ 1MA 12.4 ranak @ 10 वी ± 20 वी 730 पीएफ @ 75 वी - 50w (टीसी)
TFZGTR13B Rohm Semiconductor Tfzgtr13b 0.0886
सराय
 ECAD 6655 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड TFZGTR13 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 सवार @ 10 वी 13 वी 14 ओम
DTC044TEBTL Rohm Semiconductor DTC044TEBTL 0.1900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-89, SOT-490 DTC044 १५० तंग EMT3F (SOT-416FL) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 60 सना हुआ 500NA (ICBO) एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 500µA, 5ma 100 @ 5ma, 10v २५० तंग 47
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