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अफ़र्याशियस (6960)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कड़ा पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़सि तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
BZX84C10VLYT116 Rohm Semiconductor BZX84C10VLYT116 0.4200
सराय
 ECAD 8 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 सवार @ 7 वी 10 वी 20 ओम
BAW156HYT116 Rohm Semiconductor BAW156HYT116 0.3700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Baw156 तमाम एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 80 वी 215ma (डीसी डीसी) 1.25 वी @ 150 एमए 3 μs 5 सना हुआ @ 75 वी 150 ° C
RSX301LAM30TR Rohm Semiconductor Rsx301llam330tr 0.4500
सराय
 ECAD 53 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RSX301 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 420 mV @ 3 ए 200 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RB751S-40LTE61 Rohm Semiconductor RB751S-40LTE61 -
सराय
 ECAD 5628 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर RB751 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RB751S-40LTE61TR शिर 3,000
R6520ENJTL Rohm Semiconductor R6520ENJTL 6.2900
सराय
 ECAD 100 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB R6520 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक LPTS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 650 वी 20 ए (टीसी) 10V 205MOHM @ 9.5A, 10V 4V @ 630µA 61 सना ± 20 वी 1400 पीएफ @ 25 वी - 231W (टीसी)
RB532HS-30T15R Rohm Semiconductor RB532HS-30T15R 0.3800
सराय
 ECAD 9 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) RB532 schottky DSN0603-2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 15,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 500 एमवी @ 100 एमए 100 µa @ 30 V 150 ° C 200MA -
BZX84C2V7LFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C2V7LFHT116 0.1600
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5.56% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µA @ 1 वी 2.7 वी 90 ओम
R8006KNXC7G Rohm Semiconductor R8006KNXC7G 3.3400
सराय
 ECAD 790 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu R8006 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220fm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 800 वी 6 ए (टीए) 10V 900MOHM @ 3A, 10V 4.5V @ 4MA २२ सदाबहार @ १० ± 20 वी 650 पीएफ @ 100 वी - 52W (टीसी)
SCS215AJHRTLL Rohm Semiconductor SCS215AJHRTLL 9.5300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB SCS215 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-263ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.55 वी @ 15 ए 0 एनएस 300 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 15 ए 550pf @ 1V, 1MHz
RQ6E045BNTCR Rohm Semiconductor RQ6E045BNTCR 0.5100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-23-6 पतली, TSOT-23-6 RQ6E045 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक TSMT6 (SC-95) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 4.5 ए (टीजे () 4.5V, 10V 30mohm @ 4.5a, 10v 2.5V @ 1MA 8.4 सना ± 20 वी 330 पीएफ @ 15 वी - 1.25W (TA)
RB055LA-409HKTR Rohm Semiconductor RB055LA-409HKTR -
सराय
 ECAD 9426 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 schottky तमाम - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB055LA-409HKTR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 620 mV @ 3 ए 100 µa @ 40 V 150 ° C 3 ए -
RRU1LAM4STFTR Rohm Semiconductor Rru1lam4stftr 0.5800
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur सोद -128 Rru1lam44 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RRU1LAM4STFCT Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 800 एमए 400 एनएस 10 µA @ 400 V 150 ° C 1 क -
RBR5LAM30ATR Rohm Semiconductor RBR5ALM30ATR 0.5400
सराय
 ECAD 16 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RBR5ALM30 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 540 mV @ 5 ए 100 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए -
RB715WMFHTL Rohm Semiconductor RB715WMFHTL 0.3500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-89, SOT-490 RB715 schottky EMD3F तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 40 वी 30ma 370 mV @ 1 सना हुआ 1 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
EDZFHTE6122B Rohm Semiconductor Edzfhte6122b -
सराय
 ECAD 2737 0.00000000 रोटी एडज़ R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur Edzfht 100 तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-EDZFHTE6122BTR Ear99 8541.10.0050 3,000
RB078BM10SFNSTL Rohm Semiconductor RB078BM10SFNSTL 1.6500
सराय
 ECAD 3612 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-पीएलसीसी RB078 schottky 2-एसएमडी - 1 (असीमित) 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 740 mV @ 5 ए 6.4 @a @ 100 वी 175 ° C 5 ए -
RB088LAM-30TR Rohm Semiconductor RB088LAME-30TR 0.4800
सराय
 ECAD 11 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB088 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 690 mV @ 5 ए 2.5 @a @ 30 वी 150 ° C 5 ए -
RB055L-30DDTE25 Rohm Semiconductor RB055L-30DDTE25 0.5500
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RB055 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 550 mV @ 3 ए 50 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
PDZVTFTR3.0B Rohm Semiconductor Pdzvtftr3.0b 0.4400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, PDZVTF R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.67% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 Pdzvtftr3.0 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 µA @ 1 वी 3.2 वी 15 ओम
RB851YGT2R Rohm Semiconductor RB851YGT2R -
सराय
 ECAD 4966 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75-4, SOT-543 schottky EMD4 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB851YGT2RTR शिर 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति २ सभ्य 3 वी 30ma (डीसी) 460 mV @ 1 सना हुआ 700 पायल @ 1 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RQ5E030AJTCL Rohm Semiconductor RQ5E030AJTCL 0.4600
सराय
 ECAD 6 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur एससी -96 RQ5E030 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Tsmt3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 3 ए (टीए) 4.5V 75MOHM @ 3A, 4.5V 1.5V @ 1MA २.१ सना हुआ @ ५ ± 12V 240 पीएफ @ 15 वी - 1W (टीसी टीसी)
DTC123JE3HZGTL Rohm Semiconductor DTC123JE3HZGTL 0.4100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-75, SOT-416 DTC123 १५० तंग EMT3 तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na एनपीएन - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग २.२ किलो 47
RBQ30TB45BHZC9 Rohm Semiconductor RBQ30TB45BHZC9 2.5400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 schottky To-220fn-2 - 3 (168 घंटे) 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 590 mV @ 30 ए 350 µA @ 45 V 150 ° C 30 ए -
RFV5BM6STL Rohm Semiconductor RFV5BM6STL 0.9900
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RFV5BM6 तमाम TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.8 वी @ 5 ए 40 एनएस 10 µA @ 600 V 150 ° C 5 ए -
BZX84C3V9LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C3V9LYFHT116 0.3800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.13% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 1 वी 3.9 वी 90 ओम
PDZVTR27B Rohm Semiconductor PDZVTR27B 0.4500
सराय
 ECAD 5 0.00000000 रोटी पीडीजेडवी R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.57% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 PDZVTR27 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 21 वी 28.9 वी 16 ओम
DAP202FMFHT106 Rohm Semiconductor DAP202FMFHT106 0.3800
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 DAP202 तमाम SOT-323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 80 वी 100ma 1.2 वी @ 100 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी 150 ° C
SCT4045DEHRC11 Rohm Semiconductor SCT4045DEHRC11 15.2900
सराय
 ECAD 460 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) To-247n तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-SCT4045DEHRC11 Ear99 8541.29.0095 450 n- चैनल 750 वी 34 ए (टीसी) 18V 59MOHM @ 17A, 18V 4.8V @ 8.89ma 63 सना +21V, -4V 1460 पीएफ @ 500 वी - 115W
RB522S-30FHTE61 Rohm Semiconductor RB522S-30FHTE61 -
सराय
 ECAD 9464 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RB522S-30FHTE61TR शिर 3,000
UFZVTE-173.6B Rohm Semiconductor UFZVTE-173.6b 0.3900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3.56% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F ५०० तंग UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 1 वी 3.6 वी 60 ओम
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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