SIC
close

अफ़र्याशियस (6960)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
EDZVFHT2R3.0B Rohm Semiconductor Edzvfht2r3.0b 0.3400
सराय
 ECAD 8768 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 3.5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvfht2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 50 µa @ 1 वी 3 वी 120 ओम
YFZVFHTR3.3B Rohm Semiconductor Yfzvfhtr3.3b 0.4300
सराय
 ECAD 3 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3.07% 150 ° C (TJ) सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Yfzvfhtr3.3 ५०० तंग TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 20 µA @ 1 वी 3.43 वी 70 ओम
RBR30NS40ATL Rohm Semiconductor RBR30NS40ATL 1.7100
सराय
 ECAD 995 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB RBR30 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 15 ए 620 mV @ 15 ए 360 µA @ 40 वी 150 ° C
RB085BM-90FHTL Rohm Semiconductor RB085BM-90FHTL 1.6000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB085 schottky TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 90 वी 10 ए 830 mV @ 5 ए 7.4 एनएस 150 µA @ 90 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
CDZVT2R4.7B Rohm Semiconductor Cdzvt2r4.7b 0.2700
सराय
 ECAD 29 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Cdzvt2 100 तंग Vmn2m तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 2 @a @ 1 वी 4.7 वी 100 ओम
EDZVT2R6.2B Rohm Semiconductor Edzvt2r6.2b 0.2800
सराय
 ECAD 23 0.00000000 रोटी Edzv R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-79, SOD-523 Edzvt2 १५० तंग EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 1 µa @ 3 वी 6.2 वी 60 ओम
RD3G07BATTL1 Rohm Semiconductor RD3G07BATTL1 2.3900
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RD3G07 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 पी-पी 40 वी 70 ए (टीए) 4.5V, 10V 7.1MOHM @ 70A, 10V 2.5V @ 1MA 105 सना ± 20 वी 5550 पीएफ @ 20 वी - 101W (TA)
PTZTE258.2B Rohm Semiconductor PTZTE258.2B 0.2014
सराय
 ECAD 7812 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6% - सतह rurcur DO-214AC, SMA PTZTE258.2 1 डब तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 20 µa @ 5 वी 8.7 वी 4 ओम
BZX84C3V3LFHT116 Rohm Semiconductor BZX84C3V3LFHT116 -
सराय
 ECAD 5512 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 6.06% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 २५० तंग SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 1 वी 3.3 वी 95 ओम
RB495DT146 Rohm Semiconductor RB495DT146 0.5400
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RB495 schottky Smd3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम कैथोड 25 वी 200MA 500 एमवी @ 200 एमए 70 @a @ 25 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
RP1E070XNTCR Rohm Semiconductor RP1E070XNTCR -
सराय
 ECAD 8467 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड RP1E070 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Mpt6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 30 वी 7 ए (टीए) 4V, 10V 28MOHM @ 7A, 10V 2.5V @ 1MA 5.8 ranah @ 5 वी ± 20 वी 390 पीएफ @ 10 वी - 2W (TA)
RBR1LAM30ATR Rohm Semiconductor RBR1LAM30ATR 0.4700
सराय
 ECAD 380 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rbr1lam330 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 480 mV @ 1 ए 50 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
RQ3E150MNTB1 Rohm Semiconductor RQ3E150MNTB1 0.5924
सराय
 ECAD 9123 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-powervdfn RQ3E150 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-HSMT (3.2x3) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 15 ए (टीए) 4.5V, 10V 6.7mohm @ 15a, 10v 2.5V @ 1MA २० सना हुआ @ १० ± 20 वी 1100 पीएफ @ 15 वी - 2W (TA)
RB168VWM-60TFTR Rohm Semiconductor RB168VWM-60TFTR 0.5700
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड RB168 schottky पीएमडी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 760 mV @ 1 ए ५०० सदाबहार @ ६० वी 175 ° C 1 क -
RBR2MM60BTFTR Rohm Semiconductor RBR2MM60BTFTR 0.4300
सराय
 ECAD 4 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F RBR2MM60 schottky पेडु तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 580 mV @ 2 ए 100 µa @ 60 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
UMH9NFHATN Rohm Semiconductor UMH9NFHATN 0.4800
सराय
 ECAD 625 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 UMH9 १५० तंग Umt6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 100ma 500na 2 एनपीएन - rayrach -पक 300MV @ 250µA, 5ma 68 @ 5ma, 5v 250MHz 10kohms 47KOHMS
RR2L4SDDTE25 Rohm Semiconductor RR2L4SDDTE25 0.6300
सराय
 ECAD 635 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RR2L4 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 2 ए 10 µA @ 400 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
RV2C010UNT2L Rohm Semiconductor RV2C010UNT2L 0.4100
सराय
 ECAD 8 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-101, SOT-883 RV2C010 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक VML1006 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 8,000 n- चैनल 20 वी 1 ए (टीए) 1.2V, 4.5V 470MOHM @ 500MA, 4.5V 1V @ 1MA ± 8V 40 पीएफ @ 10 वी - 400MW (TA)
DTA143ZMFHAT2L Rohm Semiconductor DTA143ZMFHAT2L 0.2400
सराय
 ECAD 35 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 DTA143 १५० तंग Vmt3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 8,000 100 सवार - पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 80 @ 10MA, 5V २५० तंग ४.7 47
TDZTR30 Rohm Semiconductor Tdztr30 0.3800
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 10% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Tdztr30 ५०० तंग TUMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 21 वी 30 वी
DTA123EMFHAT2L Rohm Semiconductor DTA123EMFHAT2L 0.2400
सराय
 ECAD 7 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur एसओटी -723 DTA123 १५० तंग Vmt3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 8,000 100 सवार - पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 500µA, 10MA 20 @ 20MA, 5V २५० तंग २.२ किलो २.२ किलो
RB068L100TE25 Rohm Semiconductor RB068L100TE25 0.1786
सराय
 ECAD 7005 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur DO-214AC, SMA RB068 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 800 mV @ 2 ए 50 µa @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
RS1E240GNTB Rohm Semiconductor RS1E240GNTB 0.9600
सराय
 ECAD 22 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-पॉव RS1E मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-एचएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 30 वी 24 ए (टीए) 4.5V, 10V 3.3MOHM @ 24A, 10V 2.5V @ 1MA 23 सना ± 20 वी 1500 पीएफ @ 15 वी - 3 letcuni (टीए), 27.4w (टीसी)
RW4E045AJTCL1 Rohm Semiconductor RW4E045AJTCL1 1.1000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-पॉव RW4E045 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक DFN1616-7T तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 30 वी 4.5 ए (टीए () 2.5V, 4.5V 40mohm @ 4.5a, 4.5v 1.5V @ 1MA 4 एनसी @ 4.5 वी ± 12V 450 पीएफ @ 15 वी - 1.5W (TA)
R6002ENHTB1 Rohm Semiconductor R6002ENHTB1 1.1900
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) R6002 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 600 वी 1.7 ए (टीए टीए) 10V 3.4OHM @ 500MA, 10V 4V @ 1MA 6.5 सना ± 20 वी 65 पीएफ @ 25 वी - 2W (TA)
MTZJT-772.2B Rohm Semiconductor MTZJT-772.2B -
सराय
 ECAD 4872 0.00000000 रोटी एमटीजेड जे टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 3% - होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT ५०० तंग एमएसडी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Mtzjt772.2b Ear99 8541.10.0050 5,000 2.2 वी
RSS095N05FRATB Rohm Semiconductor RSS095N05FRATB 2.1000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) RSS095 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 45 वी 9.5 ए (टीए टीए) 4V, 10V 16MOHM @ 9.5A, 10V 2.5V @ 1MA २६.५ सना @ ५ वी ± 20 वी 1830 पीएफ @ 10 वी - 1.4W (TA)
BAV70T216 Rohm Semiconductor BAV70T216 -
सराय
 ECAD 3527 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV70 तमाम SSD3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-BAV70T216TR शिर 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 70 वी 215ma (डीसी डीसी) 1.25 वी @ 150 एमए 4 एनएस 2.5 µA @ 70 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
SCS210AJTLL Rohm Semiconductor SCS210AJTLL 5.4900
सराय
 ECAD 1 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB SCS210 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-263ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.55 वी @ 10 ए 0 एनएस 200 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए 365pf @ 1V, 1MHz
RF302LAM2STFTR Rohm Semiconductor RF302ALM2STFTR 0.7600
सराय
 ECAD 14 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RF302 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 920 mV @ 3 ए 25 एनएस 10 µa @ 200 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

RFQ सूची (0 आइटम)
कार्ट सूची (0 आइटम)
Wishlistविशलिस्ट (0 आइटम)
SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

मात्रा: 1

सूची (0 आइटम) की तुलना करें
खोज या ESC को बंद करने के लिए प्रवेश करें