SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
RB715FM-40T106 Rohm Semiconductor RB715FM-40T106 0.4000
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 RB715 schottky SOT-323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 30ma 370 mV @ 1 सना हुआ 1 µa @ 10 V 150 ° C
RW1A030APT2CR Rohm Semiconductor RW1A030APT2CR -
सराय
ECAD 3626 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-फ, फmun लीड लीड RW1A030 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 6-वेमट तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 8,000 पी-पी 12 वी 3 ए (टीए) 1.5V, 4.5V 42MOHM @ 3A, 4.5V 1V @ 1MA २२ सदा -8v 2700 पीएफ @ 6 वी - 700MW (TA)
SCS230KE2GC11 Rohm Semiconductor SCS230KE2GC11 19.7300
सराय
ECAD 9057 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 SCS230 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247n तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-SCS230KE2GC11 Ear99 8541.10.0080 450 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 15 ए (डीसी) 1.6 वी @ 15 ए 0 एनएस 300 µA @ 1200 V 175 ° C
RFN1LAM7STFTR Rohm Semiconductor Rfn1lam7stftr 0.6000
सराय
ECAD 6 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Rfn1lam7 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 700 वी 1.5 वी @ 800 एमए 80 एनएस 1 µA @ 700 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 800ma -
RLZTE-114.7A Rohm Semiconductor Rlzte-114.7a -
सराय
ECAD 4105 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% - सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 ५०० तंग LLDS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 5 µA @ 1 वी 4.7 वी 25 ओम
RSX071VAM30TR Rohm Semiconductor RSX071VAM30TR 0.3800
सराय
ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Rsx071 schottky TUMD2M तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 420 एमवी @ 700 एमए 9.6 एनएस 200 µa @ 30 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 700ma -
RB751S-40FHTE61 Rohm Semiconductor RB751S-40FHTE61 -
सराय
ECAD 7867 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर RB751 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RB751S-40FHTE61TR शिर 3,000
RB088LAM100TR Rohm Semiconductor RB088LAMA100TR 0.6100
सराय
ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 RB088 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 870 mV @ 5 ए 3 µa @ 100 वी 150 ° C 5 ए -
RB078RSM15STL1 Rohm Semiconductor RB078RSM15STL1 1.1200
सराय
ECAD 3 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन RB078 schottky To-277a तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 870 mV @ 5 ए 2.1 @a @ 150 V 175 ° C 5 ए -
RSS070N05FW4TB1 Rohm Semiconductor RSS070N05FW4TB1 -
सराय
ECAD 5107 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-RSS070N05FW4TB1TR शिर 2,500 -
RB541SM-40T2R Rohm Semiconductor RB541SM-40T2R 0.3900
सराय
ECAD 5 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-79, SOD-523 RB541 schottky EMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 610 एमवी @ 100 एमए 100 µa @ 40 V 125 ° C 200MA -
BZX84B6V2LYFHT116 Rohm Semiconductor BZX84B6V2LYFHT116 0.4200
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 1.94% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 २५० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 4 वी 6.2 वी 10 ओम
UDZWTE-1733B Rohm Semiconductor UDZWTE-173333b -
सराय
ECAD 3809 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-90, SOD-323F UMD2 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 3,000
RSM002N06T2L Rohm Semiconductor RSM002N06T2L 0.4300
सराय
ECAD 25 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -723 RSM002 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Vmt3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 8,000 n- चैनल 60 वी 250ma (TA) 2.5V, 10V 2.4OHM @ 250MA, 10V 2.3V @ 1MA ± 20 वी 15 पीएफ @ 25 वी - 150MW (TA)
UDZVTE-173.6B Rohm Semiconductor UDZVTE-173.6b 0.2700
सराय
ECAD 22 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F Udzvte 200 सभा UMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 10 µa @ 1 वी 3.6 वी 100 ओम
RB557WMFHTL Rohm Semiconductor RB557WMFHTL 0.4300
सराय
ECAD 140 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur SC-89, SOT-490 RB557 schottky EMD3F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 30 वी 100ma 490 mV @ 100 Ma 10 µa @ 10 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
SCS205KGHRC Rohm Semiconductor SCS205KGHRC -
सराय
ECAD 4632 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 SCS205 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.6 वी @ 5 ए 0 एनएस 100 µA @ 1200 वी 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 5 ए 270pf @ 1V, 1MHz
RB160QS-40T18R Rohm Semiconductor RB160QS-40T18R 0.4400
सराय
ECAD 68 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं RB160 schottky SMD1006 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 18,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 650 mV @ 1.5 ए 20 µa @ 40 V 150 ° C 1.5 ए -
RB085T-60NZC9 Rohm Semiconductor RB085T-60NZC9 2.0200
सराय
ECAD 980 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB085 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB085T-60NZC9 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 10 ए 580 mV @ 5 ए 300 µA @ 60 V 150 ° C
RBR3L30BDDTE25 Rohm Semiconductor RBR3L30BDDTE25 0.6600
सराय
ECAD 837 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA Rbr3l30 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 530 mV @ 3 ए 80 @a @ 30 वी 150 ° C 3 ए -
1SS400LDTE61 Rohm Semiconductor 1SS400LDTE61 -
सराय
ECAD 7529 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 846-1SS400LDTE61TR शिर 3,000
BAT54AHMFHT116 Rohm Semiconductor BAT54AHMFHT116 -
सराय
ECAD 6813 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 schottky SSD3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 30 वी 200ma (डीसी) 800 एमवी @ 100 एमए 50 एनएस 2 @a @ 25 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
R6015ENJTL Rohm Semiconductor R6015ENJTL 4.0000
सराय
ECAD 4 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB R6015 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक LPTS तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 1,000 n- चैनल 600 वी 15 ए (टीसी) 10V 290mohm @ 6.5a, 10v 4V @ 1MA 40 एनसी @ 10 वी ± 20 वी 910 पीएफ @ 25 वी - 40W (टीसी)
RB095T-60NZC9 Rohm Semiconductor RB095T-60NZC9 2.0200
सराय
ECAD 1 0.00000000 रोटी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu RB095 schottky To-220fn तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB095T-60NZC9 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 6 ए 580 mV @ 3 ए 300 µA @ 60 V 150 ° C
RB751ASA-40FHT2RB Rohm Semiconductor RB751ASA-40FHT2RB 0.4800
सराय
ECAD 8 0.00000000 रोटी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOD-882 schottky DFN1006-2W तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0070 8,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 370 mV @ 1 सना हुआ ५०० सवार @ ३० वी 150 ° C 30ma 2PF @ 1V, 1MHz
RFN6B2DTL Rohm Semiconductor RFN6B2DTL -
सराय
ECAD 4713 0.00000000 रोटी * R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 2,500
RFN3BM6STL Rohm Semiconductor RFN3BM6STL 0.4575
सराय
ECAD 5939 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 Rfn3b तमाम TO-252 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.55 वी @ 3 ए 30 एनएस 10 µA @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 3 ए -
RB088BGE-30TL Rohm Semiconductor RB088BGE-30TL 1.6600
सराय
ECAD 2 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 RB088 schottky TO-252GE तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 5 ए 720 mV @ 5 ए 3 µa @ 30 V 150 ° C
RB161SS-30T2R Rohm Semiconductor RB161SS-30T2R -
सराय
ECAD 5794 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) RB161 schottky KMD2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 846-RB161SS-30T2RTR Ear99 8541.10.0080 8,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 520 mV @ 1 ए 500 @a @ 30 V 125 ° C 1 क -
RRS040P03FRATB Rohm Semiconductor RRS040P03FRATB 0.3489
सराय
ECAD 2760 0.00000000 रोटी - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) RRS040 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-सेप तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 पी-पी 30 वी 4 ए (टीए) 4V, 10V 75MOHM @ 4A, 10V 2.5V @ 1MA ५.२ सना ± 20 वी 480 पीएफ @ 10 वी - 2W (TA)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम