SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना कांप -रन सरायना तमाम सवार तमाम कांपना तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सराफक रन (amps) सराफक तमाम तंग करना सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव सींग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) वोलmume - rurugut सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2) सींत (डीबी yanau @ एफ)
PH2369,126 NXP USA Inc. PH2369,126 -
सराय
ECAD 8562 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) PH23 ५०० तंग से 92-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 2,000 15 वी 200 एमए 400NA (ICBO) एनपीएन 250MV @ 1MA, 10MA 40 @ 10MA, 1V 500MHz
BTA425X-800B127 NXP USA Inc. BTA425X-800B127 -
सराय
ECAD 5978 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। * थोक शिर तंग तंग 3 (168 घंटे) सराय Ear99 8541.30.0080 1
2N7002BK,215 NXP USA Inc. 2N7002BK, 215 -
सराय
ECAD 4606 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। ऑटोमोटिव, AEC-Q101, SAUTURAY ™ थोक शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 2N7002 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसओटी -23 तंग Ear99 8541.21.0095 1 n- चैनल 60 वी 350ma (TA) 10V 1.6OHM @ 500mA, 10V 2.1V @ 250µA 0.6 ranah @ 4.5 वी ± 20 वी 50 पीएफ @ 10 वी - 370MW (TA)
PSMN003-30B,118 NXP USA Inc. PSMN003-30B, 118 -
सराय
ECAD 5483 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। सट्री R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Psmn0 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक D2PAK तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 800 n- चैनल 30 वी 75 ए (टीसी) 5V, 10V 2.8MOHM @ 25A, 10V 3V @ 1MA 170 सनाह ± 20 वी 9200 पीएफ @ 25 वी - 230W (टीसी)
BUK9Y43-60E/GFX NXP USA Inc. Buk9y43-60e/gfx -
सराय
ECAD 5034 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। * R टेप ray ryील (ther) शिर Buk9 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम शिर 0000.00.0000 1,500
MMRF1018NR1 NXP USA Inc. MMRF1018NR1 -
सराय
ECAD 6451 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर 120 वी सतह rurcur To-270-4 Mmrf1 860MHz LDMOS TO-270 WB-4 - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 935320384528 Ear99 8541.29.0075 500 - 350 18 डब 22 डीबी - 50 वी
PZU5.6B1115 NXP USA Inc. PZU5.6B1115 -
सराय
ECAD 1270 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - थोक शिर ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-90, SOD-323F ३१० सभा Sod -323f तंग तंग 1 (असीमित) सराय Ear99 8541.10.0050 1 1.1 वी @ 100 एमए 1 µa @ 2.5 V 5.6 वी 40 ओम
PDTC115EEF,115 NXP USA Inc. PDTC115EEF, 115 -
सराय
ECAD 9960 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-89, SOT-490 PDTC115 २५० तंग एससी -89 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 4,000 50 वी २० सना हुआ 1 एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 250µA, 5ma 80 @ 5MA, 5V 100 कांप 100 कांप
BUK7515-100A,127 NXP USA Inc. BUK7515-100A, 127 0.7700
सराय
ECAD 5 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। * नली शिर Buk75 - Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8541.29.0095 1,000
BZX284-B5V6,115 NXP USA Inc. BZX284-B5V6,115 -
सराय
ECAD 4788 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोड -110 BZX284 ४०० तंग सोड -110 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.1 वी @ 100 एमए 1 µa @ 2 वी 5.6 वी 40 ओम
BFU520XRR NXP USA Inc. BFU520XRR 0.4700
सराय
ECAD 2 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -143R BFU520 450MW एसओटी -143R तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 20 डीबी 12v 30ma एनपीएन 60 @ 5ma, 8v 10.5GHz 0.65db @ 900MHz
BC807-25/6235 NXP USA Inc. BC807-25/6235 0.0200
सराय
ECAD 370 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। * थोक शिर तंग तंग 1 (असीमित) सराय Ear99 8541.21.0075 10,000
PMPB20EN,115 NXP USA Inc. PMPB20EN, 115 -
सराय
ECAD 5409 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 6-XFDFN SANAHAR THE मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक DFN1010B-6 तंग Ear99 8541.29.0095 1 n- चैनल 30 वी 7.2 ए (टीए () 4.5V, 10V 19.5MOHM @ 7A, 10V 2V @ 250µA 10.8 ranah @ 10 वी ± 20 वी 435 पीएफ @ 10 वी - 1.7W (TA), 12.5W (टीसी)
PMN45EN,165 NXP USA Inc. PMN45EN, 165 -
सराय
ECAD 9346 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। सट्री R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-74, SOT-457 PMN4 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एससी -74 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 10,000 n- चैनल 30 वी 5.2 ए (टीसी () 4.5V, 10V 40mohm @ 3a, 10v 2V @ 1ma ६.१ सदा 20 वी 495 पीएफ @ 25 वी - 1.75W (टीसी)
MHT1008NT1 NXP USA Inc. MHT1008NT1 -
सराय
ECAD 9066 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर 28 वी सतह rurcur PLD-1.5W MHT1008 2.4GHz ~ 2.5GHz LDMOS PLD-1.5W तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.29.0075 1,000 - 12.5 डब 18.6db -
PBR951,215 NXP USA Inc. PBR951,215 -
सराय
ECAD 9894 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PBR95 365MW SOT-23 (TO-236AB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 - 10V 100ma एनपीएन 50 @ 5ma, 6v 8GHZ 1.3db ~ 2db @ 1GHz ~ 2GHz
MRF9045NR1 NXP USA Inc. MRF9045NR1 -
सराय
ECAD 3612 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर 65 वी सतह rurcur To-270AAA MRF90 945MHz LDMOS To-270-2 तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 935322765528 5A991G 8541.21.0075 500 - 350 45W 19DB - 28 वी
BFU725F,115 NXP USA Inc. BFU725F, 115 -
सराय
ECAD 6308 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-343F Bfu72 136MW 4-डीएफपी - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 10db ~ 24db 2.8V 40ma एनपीएन 300 @ 10MA, 2V 70GHz 0.42DB ~ 1.1DB @ 1.5GHz ~ 12GHz
PDTC144EK,115 NXP USA Inc. PDTC144EK, 115 -
सराय
ECAD 4095 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTC144 २५० तंग Smt3; तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 9,000 50 वी 100 सवार 1 एनपीएन - rurcume -पक 150MV @ 500µA, 10MA 80 @ 5MA, 5V 47 47
BYV29X-600,127 NXP USA Inc. BYV29X-600,127 0.4100
सराय
ECAD 941 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - थोक शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 तमाम To-220f तंग Ear99 8541.10.0080 941 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.26 वी @ 8 ए 60 एनएस 50 µa @ 600 V 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 9 ए -
PDZ13B,135 NXP USA Inc. PDZ13B, 135 1.0000
सराय
ECAD 8538 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - थोक शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-76, SOD-323 ४०० तंग Sod -323 तंग Ear99 8541.10.0050 1 1.1 वी @ 100 एमए 100 gaba @ 10 वी 13 वी 10 ओम
MRF8P20160HSR5 NXP USA Inc. MRF8P20160HSR5 -
सराय
ECAD 5625 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर 65 वी सतह rurcur NI-780S-4L Mrf8 1.92GHz LDMOS NI-780S-4L - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.29.0075 50 एक प्रकार का - 550 एमए 37W 16.5db - 28 वी
PEMB24,115 NXP USA Inc. PEMB24,115 0.0700
सराय
ECAD 32 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। * थोक शिर PEMB2 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8541.21.0095 4,000
PSMN9R5-100XS,127 NXP USA Inc. PSMN9R5-100XS, 127 -
सराय
ECAD 4681 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक Psmn9 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 44.2 ए (टीसी टीसी) 10V 9.6MOHM @ 10A, 10V 4V @ 1MA 81.5 सना ± 20 वी 4454 पीएफ @ 50 वी - 52.6W (टीसी)
PH4530AL,115 NXP USA Inc. PH4530AL, 115 -
सराय
ECAD 4040 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर - सतह rurcur एससी -100, एसओटी -669 PH45 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक LFPAK56, SANAHAR-‘8 - रोहस 1 (असीमित) तमाम 934063198115 Ear99 8541.29.0095 1,500 n- चैनल 30 वी - - - - -
MRF7S15100HR5 NXP USA Inc. MRF7S15100HR5 -
सराय
ECAD 2065 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर 65 वी अँगुला एसओटी -957 ए MRF7 1.51GHz LDMOS NI-780H-2L तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.29.0075 50 - ६०० सना हुआ 23W 19.5db - 28 वी
BFR93AW,135 NXP USA Inc. BFR93AW, 135 -
सराय
ECAD 1759 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 BFR93 300MW एससी -70 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 934022950135 Ear99 8541.21.0075 10,000 - 12v 35ma एनपीएन 40 @ 30MA, 5V 5GHz 1.5DB ~ 2.1DB @ 1GHz ~ 2GHz
A3G26H502W17SR3 NXP USA Inc. A3G26H502W17SR3 155.9687
सराय
ECAD 2650 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 वी अँगुला NI-780-4S2S 2.496GHz ~ 2.69GHz गण मन NI-780-4S2S - Rohs3 आजthabaira तमाम 568-A3G26H502W17SR3TR Ear99 8541.29.0095 250 2 एन-चैनल - 370 80W 13.1db - 48 वी
PDTC124XMB315 NXP USA Inc. PDTC124XMB315 -
सराय
ECAD 6993 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। * थोक शिर तंग 0000.00.0000 1
BUK7524-55A,127 NXP USA Inc. BUK7524-55A, 127 -
सराय
ECAD 4840 0.00000000 एनएक एनएक यूएसए इंक। इंक। इंक। सट्री नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 Buk75 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 55 वी 47 ए (टीसी) 10V 24mohm @ 25a, 10v 4V @ 1MA ± 20 वी 1310 पीएफ @ 25 वी - 106W (टीसी)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम