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अफ़र्याशानस (2909)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सराफक - अधिकतम R पruguth की स सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक तमाम Td (ranah/बंद) @ 25 ° C तमाम वोलmuth - वोलmume - बthirana अफ़स्या वोलmut - कटऑफ (वीजीएस ऑफ ऑफ) @ आईडी सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) पthirraurोध @ yur, एफ तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण रत्नता - अफ़राह रत्नता - reyr the (ther 2)
2SK880-BL(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage 2SK880-BL (TE85L, F) 0.5900
सराय
 ECAD 14 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 2SK880 100 तंग एससी -70 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 n- चैनल 13pf @ 10v 50 वी 6 सना हुआ @ 10 वी 1.5 वी @ 100 सवार
CMZ16(TE12L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CMZ16 (TE12L, Q, M) 0.5400
सराय
 ECAD 4384 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -128 CMZ16 2 डब एम-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 11 वी 16 वी 30 ओम
CRZ39(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage CRZ39 (TE85L, Q, M) 0.4900
सराय
 ECAD 7342 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F CRZ39 700 सभा एस-फ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µa @ 31.2 V 39 वी 35 ओम
CRY91(TE85L,Q,M) Toshiba Semiconductor and Storage Cry91 (TE85L, Q, M) -
सराय
 ECAD 2201 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123F Cry91 700 सभा एस-फ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 10 µa @ 5.5 V 9.1 वी 30 ओम
SSM6J206FE(TE85L,F Toshiba Semiconductor and Storage SSM6J206FE (TE85L, F -
सराय
 ECAD 3596 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur SOT-563, SOT-666 SSM6J206 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Es6 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 4,000 पी-पी 20 वी 2 ए (टीए) 1.8V, 4V 130MOHM @ 1A, 4V 1V @ 1MA ± 8V 335 पीएफ @ 10 वी - 500MW (TA)
TK50P04M1(T6RSS-Q) Toshiba Semiconductor and Storage TK50P04M1 (T6RSS-Q) -
सराय
 ECAD 3751 0.00000000 तमाम U-mosvi-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK50P04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक तमाम तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 40 वी 50 ए (टीए) 4.5V, 10V 8.7MOHM @ 25A, 10V 2.3V @ 500µA 38 सना ± 20 वी 2600 पीएफ @ 10 वी - 60W (टीसी)
TPCP8103-H(TE85LFM Toshiba Semiconductor and Storage TPCP8103-H (TE85LFM -
सराय
 ECAD 9306 0.00000000 तमाम U-mosiii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-फ, फmun लीड लीड TPCP8103 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक PS-8 (2.9x2.4) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 पी-पी 40 वी 4.8 ए (टीए) 4.5V, 10V 40mohm @ 2.4a, 10v 2V @ 1ma 19 सराय @ 10 वी ± 20 वी 800 पीएफ @ 10 वी - 840MW (TA)
1SS315[U/D] Toshiba Semiconductor and Storage 1SS315 [U/D] -
सराय
 ECAD 3369 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) SC-76, SOD-323 यूएससी तंग 1 (असीमित) 264-1SS315 [यू/डी] Ear99 8541.10.0070 3,000 ३० सना हुआ 0.06pf @ 200mv, 1MHz Schottky - एकल 5V -
TK3R3E08QM,S1X Toshiba Semiconductor and Storage TK3R3E08QM, S1X 2.3500
सराय
 ECAD 82 0.00000000 तमाम U-mosx-h नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 80 वी 120 ए (टीसी) 6v, 10v 3.3MOHM @ 50A, 10V 3.5V @ 1.3MA 110 सना ± 20 वी 7670 पीएफ @ 40 वी - 230W (टीसी)
TK6R8A08QM,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK6R8A08QM, S4X 1.2100
सराय
 ECAD 40 0.00000000 तमाम U-mosx-h नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 80 वी 58 ए (टीसी) 6v, 10v 6.8mohm @ 29a, 10v 3.5V @ 500µA 39 सना ± 20 वी 2700 पीएफ @ 40 वी - 41W (टीसी)
GT30N135SRA,S1E Toshiba Semiconductor and Storage GT30N135SRA, S1E 3.7700
सराय
 ECAD 3270 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 तमाम 348 डब टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 300V, 60A, 39OHM, 15V - 1350 वी 60 120 ए 2.6V @ 15V, 60a -, 1.3MJ (बंद) 270 एन.सी. -
TW107N65C,S1F Toshiba Semiconductor and Storage TW107N65C, S1F 9.6200
सराय
 ECAD 96 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C होल के kaytaumauth से To-247-3 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 650 वी 20 ए (टीसी) 18V 145MOHM @ 10A, 18V 5V @ 1.2MA 21 सना +25v, -10v 600 पीएफ @ 400 वी - 76W (टीसी)
2SC2873-Y(TE12L,ZC Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2873-Y (TE12L, ZC 0.4200
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-243aa ५०० तंग पीडबmun-मिनी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 1,000 50 वी 2 ए 100NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 50ma, 1 ए 70 @ 500mA, 2V 120MHz
TPW2R508NH,L1Q Toshiba Semiconductor and Storage TPW2R508NH, L1Q 2.8100
सराय
 ECAD 1661 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur 8 नताया मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-अग तेरस तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 75 वी 150 ए (टीए) 10V 2.5MOHM @ 50A, 10V 4V @ 1MA 72 सना ± 20 वी 6000 पीएफ @ 37.5 वी - 800MW (TA), 142W (TC)
TK25A20D,S5X Toshiba Semiconductor and Storage TK25A20D, S5X 1.7900
सराय
 ECAD 40 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 200 वी 25 ए (टीए) 10V 70mohm @ 12.5a, 10v 3.5V @ 1MA 60 सना ± 20 वी 2550 पीएफ @ 100 वी - 45W (टीसी)
TK22V65X5,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK22V65x5, LQ 5.6600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम Dtmosiv-h R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 4-ईपी-ईपी (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 650 वी 22 ए (टीए) 10V 170mohm @ 11a, 10v 4.5V @ 1.1MA ५० सदाबहार @ १० ± 30V 2400 पीएफ @ 300 वी - 180W (टीसी)
TK14V65W,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK14V65W, LQ 3.4800
सराय
 ECAD 2719 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 4-ईपी-ईपी (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 650 वी 13.7 ए (टीए टीए) 10V 280mohm @ 6.9a, 10v 3.5V @ 690µA 35 सना ± 30V 1300 पीएफ @ 300 वी - 139W (टीसी)
2SC5200-O(S1,F Toshiba Semiconductor and Storage 2SC5200-O (S1, F 3.0100
सराय
 ECAD 21 0.00000000 तमाम - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-3pl 150 से 3 पी (एल) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 25 230 वी 15 ए 5 ए (आईसीबीओ) एनपीएन 3V @ 800mA, 8a 55 @ 1 ए, 5 वी 30MHz
GT50JR21(STA1,E,S) Toshiba Semiconductor and Storage GT50JR21 (STA1, E, S) 4.7900
सराय
 ECAD 6501 0.00000000 तमाम - नली शिर 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 तमाम 230 से 3 पी (एन) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 264-GT50JR21 (STA1ES) Ear99 8541.29.0095 25 - - 600 वी 50 ए 100 ए 2V @ 15V, 50 ए - -
SSM3J15CT,L3F Toshiba Semiconductor and Storage SSM3J15CT, L3F 0.3100
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur SC-101, SOT-883 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Cst3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 10,000 पी-पी 30 वी 100ma (TA) 2.5V, 4V 12ohm @ 10ma, 4v 1.7V @ 100 @a ± 20 वी 9.1 पीएफ @ 3 वी - 100MW (TA)
TK5P65W,RQ Toshiba Semiconductor and Storage TK5P65W, RQ 1.3700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम Dtmosiv R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक डीपैक - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 650 वी 5.2 ए (टीए () 10V 1.22OHM @ 2.6A, 10V 3.5V @ 170µA 10.5 सना ± 30V 380 पीएफ @ 300 वी - 60W (टीसी)
TK099V65Z,LQ Toshiba Semiconductor and Storage TK09999V65Z, LQ 5.5600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम DTMOSVI R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को TK099V65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 5-((8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 650 वी 30 ए (टीए) 10V 99MOHM @ 15A, 10V 4V @ 1.27ma 47 सना ± 30V 2780 पीएफ @ 300 वी - 230W (टीसी)
TJ20S04M3L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TJ20S04M3L, LXHQ 0.9400
सराय
 ECAD 34 0.00000000 तमाम U-mosvi R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TJ20S04 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 पी-पी 40 वी 20 ए (टीए) 6v, 10v 22.2MOHM @ 10A, 10V 3V @ 1MA 37 सना +10V, -20V 1850 पीएफ @ 10 वी - 41W (टीसी)
TK40S06N1L,LXHQ Toshiba Semiconductor and Storage TK40S06N1L, LXHQ 1.0700
सराय
 ECAD 20 0.00000000 तमाम U-mosviii-h R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TK40S06 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक Dpak+ तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 2,000 n- चैनल 60 वी 40 ए (टीए) 4.5V, 10V 18MOHM @ 20A, 10V 2.5V @ 200 @ 26 सना ± 20 वी 1650 पीएफ @ 10 वी - 88.2W (टीसी)
XPN7R104NC,L1XHQ Toshiba Semiconductor and Storage XPN7R104NC, L1XHQ 1.2500
सराय
 ECAD 9396 0.00000000 तमाम U-mosiii R टेप ray ryील (ther) शिर 175 ° C सतह rurcur 8-powervdfn XPN7R104 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-टसन ranak-डब thuntur (3.1x3.1) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 40 वी 20 ए (टीए) 4.5V, 10V 7.1mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 200 @ 21 सना ± 20 वी 1290 पीएफ @ 10 वी - 840MW (TA), 65W (TC)
TRS12A65F,S1Q Toshiba Semiconductor and Storage TRS12A65F, S1Q 5.4900
सराय
 ECAD 28 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 TRS12A65 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220f-2l - Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.6 वी @ 12 ए 0 एनएस 60 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 12 ए 44pf @ 650V, 1MHz
TK110A65Z,S4X Toshiba Semiconductor and Storage TK110A65Z, S4X 4.2300
सराय
 ECAD 51 0.00000000 तमाम DTMOSVI नली शिर 150 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TK110A65 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-220sis तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 650 वी 24 ए (टीए) 10V 110mohm @ 12a, 10v 4V @ 1.02MA 40 एनसी @ 10 वी ± 30V 2250 पीएफ @ 300 वी - 45W (टीसी)
RN2418,LF Toshiba Semiconductor and Storage RN2418, LF 0.1800
सराय
 ECAD 7742 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 RN2418 200 सभा एस-एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0075 3,000 50 वी 100 सवार 500na पीएनपी - rurcume -पक 300MV @ 250µA, 5ma 50 @ 10MA, 5V २०० सराय 47 10 कांपो
2SA2154MFVGR,L3F Toshiba Semiconductor and Storage 2SA2154MFVGR, L3F 0.1900
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -723 2SA2154 १५० तंग Vesm तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 8,000 50 वी १५० सना हुआ 100NA (ICBO) तमाम 300MV @ 10MA, 100mA 200 @ 2MA, 6V 80MHz
2SC6100,LF Toshiba Semiconductor and Storage 2SC6100, एलएफ 0.5300
सराय
 ECAD 42 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur 3-, 2SC6100 ५०० तंग यूएफएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.21.0095 3,000 50 वी 2.5 ए 100NA (ICBO) एनपीएन 140mv @ 20ma, 1a 400 @ 300mA, 2V -
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