SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण
SK510C M6 Taiwan Semiconductor Corporation SK510C M6 -
सराय
ECAD 7007 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC schottky DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-SK510CM6TR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 850 mV @ 5 ए 300 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए -
HS3GBH Taiwan Semiconductor Corporation HS3GBH 0.1467
सराय
ECAD 5662 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-HS3GBHTR Ear99 8541.10.0080 6,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 3 ए 50 एनएस 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 80pf @ 4v, 1MHz
BZD27C33P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C33P R3G 0.1600
सराय
ECAD 9177 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.06% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 24 वी 33 वी 15 ओम
TSD2150ACY RMG Taiwan Semiconductor Corporation TSD2150ACY RMG -
सराय
ECAD 6148 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur To-243aa ६०० तंग SOT-89 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-TSD2150ACYRMGTR Ear99 8541.21.0095 1,000 50 वी 3 ए 100NA (ICBO) एनपीएन 500MV @ 200ma, 2a 200 @ 500mA, 2V 90MHz
BZD27C24P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C24P RFG -
सराय
ECAD 6620 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.78% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 18 V 24.2 वी 15 ओम
1N5262B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5262B A0G -
सराय
ECAD 9962 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 5% 100 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5262 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.1 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 39 वी 51 वी 125 ओम
RS1DLWHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1dlwhrvg 0.4700
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोड -123W RS1D तमाम सोड -123W तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 1 क -
TSM35N10CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM35N10CP ROG 1.6271
सराय
ECAD 8011 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TSM35 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-252, (डी-rana) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 100 वी 32 ए (टीसी) 4.5V, 10V 37MOHM @ 10A, 10V 3V @ 250µA 34 सना ± 20 वी 1598 पीएफ @ 30 वी - 83.3W (टीसी)
UF1KHA0G Taiwan Semiconductor Corporation Uf1kha0g -
सराय
ECAD 1629 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut Uf1k तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.7 वी @ 1 ए 75 एनएस 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 17pf @ 4v, 1MHz
2A02G Taiwan Semiconductor Corporation 2A02G -
सराय
ECAD 1045 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT तमाम DO-204AC (DO-15) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-2A02GTR Ear99 8541.10.0080 3,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.1 वी @ 2 ए 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 15pf @ 4v, 1MHz
RS1JM Taiwan Semiconductor Corporation RS1JM 0.0986
सराय
ECAD 2003 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-RS1JMTR Ear99 8541.10.0080 18,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 1 ए 250 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क -
TSM1NB60CH Taiwan Semiconductor Corporation TSM1NB60CH 0.7448
सराय
ECAD 1962 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-251-3 riguth लीड exci, ipak, to-251aa TSM1 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक TO-251 (IPAK) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-TSM1NB60CH Ear99 8541.29.0095 15,000 n- चैनल 600 वी 1 ए (टीसी) 10V 10ohm @ 500ma, 10v 4.5V @ 250µA 6.1 सना ± 30V 138 पीएफ @ 25 वी - 39W (टीसी)
TSF40L45C Taiwan Semiconductor Corporation TSF40L45C 2.7900
सराय
ECAD 4 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक TSF40 schottky ITO-220AB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 20 ए 600 एमवी @ 20 ए 500 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C18PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C18PHR3G -
सराय
ECAD 9033 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 13 वी 17.95 वी 15 ओम
BZD17C43PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C43PH 0.2790
सराय
ECAD 6989 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZD17 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZD17C43PHTR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 200 एमए 1 @a @ 33 वी 43 वी 45 ओम
SS19L RFG Taiwan Semiconductor Corporation SS19L RFG -
सराय
ECAD 7497 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS19 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 90 वी 800 mV @ 1 ए 50 µa @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क -
MMSZ5225B RHG Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5225B RHG 0.0433
सराय
ECAD 1529 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F MMSZ5225 ५०० तंग सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 50 µa @ 1 वी 3 वी 29 ओम
M3Z36VC Taiwan Semiconductor Corporation M3Z36VC 0.0297
सराय
ECAD 1693 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F M3Z36 200 सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-M3Z36VCTR Ear99 8541.10.0050 6,000 100 gapa @ 27 वी 36 वी 80 ओम
BAT54A RFG Taiwan Semiconductor Corporation BAT54A RFG 0.2600
सराय
ECAD 56 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 schottky एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 30 वी 200MA 1 वी @ 100 एमए 5 एनएस 2 @a @ 25 वी -55 ° C ~ 125 ° C
TST20H200CW Taiwan Semiconductor Corporation TST20H200CW 1.2342
सराय
ECAD 7037 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 TST20 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 930 mV @ 10 ए 100 µA @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए -
BZT52B47S R9G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B47S R9G 0.3000
सराय
ECAD 6167 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F BZT52B 200 सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 45 पायल @ 33 वी 47 वी 170 ओम
BZD27C130PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C130PHRTG -
सराय
ECAD 2421 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 100 वी 132.5 वी 300 ओम
1N5406G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5406G 0.1366
सराय
ECAD 2217 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun 1N5406 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1 वी @ 3 ए 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 25pf @ 4v, 1MHz
UG5J Taiwan Semiconductor Corporation Ug5j -
सराय
ECAD 6981 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 तमाम TO-220AC - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-जे 5 जे Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 3 वी @ 5 ए 20 एनएस 30 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए -
BZD27C160PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C160PW 0.1092
सराय
ECAD 5349 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur सोड -123W BZD27 1 डब सोड -123W तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 200 एमए 1 @a @ 120 V 160 वी 350 ओम
TSM650P02CX Taiwan Semiconductor Corporation TSM650P02CX 0.2435
सराय
ECAD 6711 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM650 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-TSM650P02CXTR Ear99 8541.29.0095 12,000 पी-पी 20 वी 4.1 ए (टीसी) 1.8V, 4.5V 65MOHM @ 3A, 4.5V 0.8V @ 250µA ६.४ सदा ± 10V 515 पीएफ @ 10 वी - 1.56W (टीसी)
TSC5802DCP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSC5802DCP ROG -
सराय
ECAD 1747 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TSC5802 ३. To-252, (डी-rana) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 450 वी 2.5 ए 250 'ए एनपीएन 3V @ 600ma, 2a 50 @ 100ma, 5v -
ESH1GM RSG Taiwan Semiconductor Corporation Esh1gm RSG 0.3700
सराय
ECAD 9 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड Esh1 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.5 वी @ 1 ए 25 एनएस 1 µa @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 3pf @ 4v, 1MHz
SR1090 C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR1090 C0G -
सराय
ECAD 3244 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 SR1090 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 90 वी 850 mV @ 5 ए 100 µa @ 90 V -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए -
BZS55C36 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C36 RXG 0.0340
सराय
ECAD 6061 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) BZS55 ५०० तंग 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए 100 gapa @ 27 वी 36 वी 80 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम