SIC
close
छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण
SS12L RTG Taiwan Semiconductor Corporation SS12L RTG -
सराय
ECAD 3404 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS12 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 450 mV @ 1 ए 400 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 125 ° C 1 क -
MBRF1050CT C0G Taiwan Semiconductor Corporation MBRF1050CT C0G -
सराय
ECAD 8846 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक MBRF1050 schottky ITO-220AB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 50 वी 10 ए 900 mV @ 10 ए 100 µa @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZD17C12PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C12PH 0.2790
सराय
ECAD 6512 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZD17 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZD17C12PHTR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 200 एमए 3 µa @ 9.1 V 12 वी 7 ओम
BZV55B18 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B18 L0G 0.0357
सराय
ECAD 9266 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55B ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 100 एमए 100 gaba @ 13 वी 18 वी 50 ओम
S1JALH Taiwan Semiconductor Corporation S1JALH 0.4000
सराय
ECAD 5 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-221ac, sma ktur एस 1 जे तमाम तंग - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 1 ए 1 @a @ 600 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 8pf @ 4v, 1MHz
BAV99L RFG Taiwan Semiconductor Corporation BAV99L RFG 0.2000
सराय
ECAD 16 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAV99 तमाम एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 70 वी 200MA 1.25 वी @ 150 एमए 6 एनएस 2.5 µA @ 70 V -55 ° C ~ 150 ° C
TSM60NB099PW C1G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB099PW C1G 15.1800
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 TSM60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक टू -247 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 25 n- चैनल 600 वी 38 ए (टीसी) 10V 99MOHM @ 11.7A, 10V 4V @ 250µA 62 सना ± 30V 2587 पीएफ @ 100 वी - 329W (टीसी)
BZY55B3V9 RYG Taiwan Semiconductor Corporation BZY55B3V9 RYG -
सराय
ECAD 1011 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) Bzy55 ५०० तंग 0805 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए 2 @a @ 1 वी 3.9 वी 85 ओम
1PGSMC5352 Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmc5352 0.8400
सराय
ECAD 4 0.00000000 तमाम 1pgsmc53 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 डब DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 µA @ 11.5 V 15 वी 3 ओम
2M12ZHA0G Taiwan Semiconductor Corporation 2m12zha0g -
सराय
ECAD 5992 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 2M12 2 डब DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 1 µa @ 9.1 V 12 वी 4.5 ओम
BC848CW RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC848CW RFG 0.0368
सराय
ECAD 6348 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-70, SOT-323 BC848 200 सभा SOT-323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 30 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन 600MV @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
1N5242B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5242B A0G 0.3200
सराय
ECAD 4 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर ± 5% 100 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5242 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.1 वी @ 200 एमए ५०० सदाबहार @ 9 वी 12 वी 30 ओम
MTZJ18SA Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ18SA 0.0305
सराय
ECAD 9836 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJ18 ५०० तंग DO-34 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MTZJ18SATR Ear99 8541.10.0050 10,000 २०० सदाबहार @ १३ वी 16.64 वी 45 ओम
BZD27C51P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C51P M2G -
सराय
ECAD 2139 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 39 V 51 वी 60 ओम
SR002 A0G Taiwan Semiconductor Corporation SR002 A0G -
सराय
ECAD 7630 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut SR002 schottky DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 550 एमवी @ 500 एमए 500 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 125 ° C 500ma 110pf @ 4v, 1MHz
HT11G Taiwan Semiconductor Corporation HT11G -
सराय
ECAD 3579 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से टी -18, lectun तमाम टीएस -1 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-HT11GTR Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
TSI30H200CW Taiwan Semiconductor Corporation TSI30H200CW -
सराय
ECAD 9065 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa TSI30 schottky I2pak तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 15 ए 920 mV @ 15 ए 150 µA @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
MBR20L100CTHC0G Taiwan Semiconductor Corporation MBR20L100CTHC0G -
सराय
ECAD 3873 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 MBR20 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 20 ए 850 mV @ 20 ए 20 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C
SFF2005GH Taiwan Semiconductor Corporation SFF2005GH -
सराय
ECAD 6202 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक SFF2005 तमाम ITO-220AB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.3 वी @ 10 ए 35 एनएस 10 µa @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 20 ए 90pf @ 4v, 1MHz
S1GMHRSG Taiwan Semiconductor Corporation S1GMHRSG 0.4400
सराय
ECAD 50 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-फ, फmun लीड लीड एस 1 जी तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 1 ए 780 एनएस 1 µa @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 5pf @ 4v, 1MHz
ES15GLW Taiwan Semiconductor Corporation ES15GLW 0.1134
सराय
ECAD 1305 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोड -123W ES15 तमाम सोड -123W तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 1.5 ए 35 एनएस 1 µa @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 21PF @ 4V, 1MHz
BZD27C75PHMQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C75PHMQG -
सराय
ECAD 5547 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 56 V 74.5 वी 100 ओम
1SMA5926H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5926H 0.0995
सराय
ECAD 6196 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1SMA5926 1.5 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 ५०० पायल @ ४.४ वी 11 वी 5.5 ओम
SFAF1002G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1002G C0G -
सराय
ECAD 2261 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 SFAF1002 तमाम ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 975 mV @ 10 ए 35 एनएस 10 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए 170pf @ 4v, 1MHz
PU1BFSH Taiwan Semiconductor Corporation Pu1bfsh 0.4600
सराय
ECAD 23 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 तमाम सोद -128 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-PU1BFSHCT Ear99 8541.10.0080 14,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 930 mV @ 1 ए 25 एनएस 2 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 19pf @ 4v, 1MHz
SFAF805G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF805G -
सराय
ECAD 3663 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 तमाम ITO-220AC - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-SFAF805G Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.3 वी @ 8 ए 35 एनएस 10 µa @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए 60pf @ 4v, 1MHz
S1GALH Taiwan Semiconductor Corporation S1galh 0.4000
सराय
ECAD 6 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-221ac, sma ktur एस 1 जी तमाम तंग - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 1 ए 1 µa @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 8pf @ 4v, 1MHz
ES3A Taiwan Semiconductor Corporation ES3A -
सराय
ECAD 6854 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-ES3ATR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 950 mV @ 3 ए 35 एनएस 10 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 45pf @ 4v, 1MHz
BC857C RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC857C RFG 0.0343
सराय
ECAD 4570 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC857 200 सभा एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 45 वी 100 सवार 100NA (ICBO) तमाम 650mv @ 5ma, 100ma 420 @ 2MA, 5V 100MHz
BYG23M Taiwan Semiconductor Corporation BYG23M 0.0897
सराय
ECAD 7615 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA BYG23 तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.7 वी @ 1.5 ए 65 एनएस 1 @a @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 15pf @ 4v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम