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अफ़रपदाहा, (15635)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BZT52C13 RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C13 RHG 0.0412
सराय
 ECAD 4070 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F BZT52C ५०० तंग सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 10 एमए 90 सना हुआ @ 8 वी 13 वी 30 ओम
PUUP6BH Taiwan Semiconductor Corporation Puup6bh 1.1100
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन तमाम To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 6,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 940 mV @ 6 ए 25 एनएस 2 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 6 ए 96pf @ 4v, 1MHz
BZV55C11 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C11 L1G -
सराय
 ECAD 6379 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55C ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1 वी @ 10 एमए 100 gaba @ 8.2 वी 11 वी 20 ओम
TS15P05GHC2G Taiwan Semiconductor Corporation TS15P05GHC2G -
सराय
 ECAD 5644 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली Sic में बंद r क rur kay -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -टीएस, टीएस -6 पी TS15P05 तमाम टीएस -6 पी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 15 1.1 वी @ 15 ए 10 µA @ 600 V 15 ए सिंगल फेज़ 600 वी
DBL103GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation Dbl103ghc1g -
सराय
 ECAD 7714 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली Sic में बंद r क rur kay -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) DBL103 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 1.1 वी @ 1 ए 2 µa @ 200 वी 1 ए सिंगल फेज़ 200 वी
DBL152GHC1G Taiwan Semiconductor Corporation Dbl152ghc1g -
सराय
 ECAD 4395 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली Sic में बंद r क rur kay -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) DBL152 तमाम तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 1.1 वी @ 1.5 ए 2 @a @ 100 वी 1.5 ए सिंगल फेज़ 100 वी
TSM048NB06LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM048NB06LCR RLG 3.8200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur 8 नताया TSM048 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-PDFN (5.2x5.75) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम TSM048NB06LCRRLGTR Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 60 वी 16 ए (टीए), 107 टीसी (टीसी () 4.5V, 10V 4.8MOHM @ 16A, 10V 2.5V @ 250µA 105 सना ± 20 वी 6253 पीएफ @ 30 वी - 3.1W (TA), 136W (टीसी)
AZ23C4V3 Taiwan Semiconductor Corporation Az23c4v3 0.0786
सराय
 ECAD 7159 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Az23c ३०० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-AZ23C4V3TR Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड 4.3 वी 95 ओम
BZD27C20P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C20P RTG -
सराय
 ECAD 5221 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 15 वी 20 वी 15 ओम
SK520C M6 Taiwan Semiconductor Corporation SK520C M6 -
सराय
 ECAD 8823 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC schottky DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-SK520CM6TR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 mV @ 5 ए 300 µA @ 200 V -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए -
TS10P05GHD2G Taiwan Semiconductor Corporation TS10P05GHD2G -
सराय
 ECAD 1182 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -टीएस, टीएस -6 पी TS10P05 तमाम टीएस -6 पी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 15 1.1 वी @ 10 ए 10 µA @ 600 V 10 ए सिंगल फेज़ 600 वी
SF28GH Taiwan Semiconductor Corporation SF28GH 0.1394
सराय
 ECAD 9284 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT SF28 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 2 ए 35 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 20pf @ 4v, 1MHz
BZD27C10PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C10PH 0.1173
सराय
 ECAD 6947 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZD27C10PHTR Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 7 µa @ 7.5 V 10 वी 4 ओम
UGF2008GH Taiwan Semiconductor Corporation UGF2008GH 0.6996
सराय
 ECAD 1658 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक UGF2008 तमाम ITO-220AB तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-UGF2008GH Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 20 ए 1.7 वी @ 10 ए 25 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
MUR440S R6G Taiwan Semiconductor Corporation MUR440S R6G -
सराय
 ECAD 5173 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-MUR440SR6GTR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.25 वी @ 4 ए 50 एनएस 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 4 ए 65pf @ 4v, 1MHz
BZT52B6V8-G RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B6V8-G RHG 0.0461
सराय
 ECAD 2141 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZT52B ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 900 एमवी @ 10 एमए 2 @a @ 4 वी 6.8 वी 15 ओम
MMSZ5230B Taiwan Semiconductor Corporation MMSZ5230B 0.0433
सराय
 ECAD 2827 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F MMSZ5230 ५०० तंग सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MMSZ5230BTR Ear99 8541.10.0050 6,000 900 एमवी @ 10 एमए 5 µa @ 2 वी 4.7 वी 19 ओम
BZT55B62 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B62 0.0385
सराय
 ECAD 7764 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Sod-80 sauturण ५०० तंग QMMELF तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT55B62TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 100 gaba @ 47 वी 62 वी 150 ओम
1SMB5949 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5949 0.1453
सराय
 ECAD 3155 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AA, SMB 1SMB5949 3 डब DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 76 V 100 वी 250 ओम
RB520G-30 Taiwan Semiconductor Corporation RB520G-30 0.0587
सराय
 ECAD 1117 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SOD-723 schottky SOD-723F तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-RB520G-30TR Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 450 एमवी @ 10 एमए ५०० सदाबहार @ १० वी 125 ° C 100ma -
ES1DLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Es1dlhrvg -
सराय
 ECAD 2176 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab ES1D तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 mV @ 1 ए 35 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
BZT55B18 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B18 L1G -
सराय
 ECAD 7291 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZT55 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1 वी @ 10 एमए 100 gaba @ 13 वी 18 वी 50 ओम
TSSW3U60 RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSSW3U60 RVG 0.6700
सराय
 ECAD 11 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur सोड -123W schottky सोड -123W तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 580 mV @ 3 ए 1 पायल @ 60 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
BZD17C68P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C68P MHG -
सराय
 ECAD 7546 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD17 800 सभा उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µA @ 51 वी 68 वी 80 ओम
MURF1620CT Taiwan Semiconductor Corporation MURF1620CT -
सराय
 ECAD 2620 0.00000000 तमाम - नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक MURF1620 तमाम ITO-220AB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 16 ए 975 mV @ 8 ए 25 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
1SMA4758HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4758HR3G -
सराय
 ECAD 2372 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1SMA4758 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1 @a @ 42.6 V 56 वी 110 ओम
BZV55B11 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B11 0.0357
सराय
 ECAD 9550 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55B ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZV55B11TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 100 एमए 100 gaba @ 8.2 वी 11 वी 20 ओम
BZT52C3V9S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C3V9S 0.0357
सराय
 ECAD 8272 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F BZT52C 200 सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52C3V9STR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 2.7 µA @ 1 वी 3.9 वी 90 ओम
GBPC3506W Taiwan Semiconductor Corporation GBPC3506W 3.7238
सराय
 ECAD 3462 0.00000000 तमाम GBPC35 शिर शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-rirch, gbpc-w GBPC3506 तमाम जीबीपीसी-डब तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-GBPC3506W Ear99 8541.10.0080 200 1.1 वी @ 17.5 ए 5 µA @ 600 V 35 ए सिंगल फेज़ 600 वी
SS36L RUG Taiwan Semiconductor Corporation SS36L आप 0.3675
सराय
 ECAD 3219 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS36 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 750 एमवी @ 3 ए 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

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    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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