SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BZS55C16 RXG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55C16 RXG 0.0340
सराय
ECAD 2210 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) BZS55 ५०० तंग 1206 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए 100 kaga @ 12 वी 16 वी 40 ओम
BZT52C6V2-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C6V2-G 0.0445
सराय
ECAD 2473 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZT52C ३५० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52C6V2-GTR Ear99 8541.10.0050 6,000 900 एमवी @ 10 एमए 3 µa @ 4 वी 6.2 वी 10 ओम
BZX85C56 R0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C56 R0G 0.0645
सराय
ECAD 3093 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut BZX85 1.3 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 वी @ 10 एमए ५०० सवार @ ३ ९ वी 56 वी 120 ओम
MTZJ3V6SA Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ3V6SA 0.0305
सराय
ECAD 8221 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT Mtzj3 ५०० तंग DO-34 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MTZJ3V6SATR Ear99 8541.10.0050 10,000 10 µa @ 1 वी 3.6 वी 100 ओम
MBD4448HTW REG Taiwan Semiconductor Corporation MBD4448HTW REG -
सराय
ECAD 1449 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 तमाम एसओटी -363 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-MBD4448HTWREGRER Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) ३ स 57 वी 250ma 1.25 वी @ 150 एमए 4 एनएस 100 kaba @ 70 वी -55 ° C ~ 150 ° C
BZT55C24 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C24 0.0350
सराय
ECAD 4641 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Sod-80 sauturण ५०० तंग QMMELF तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT55C24TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 100 gaba @ 18 वी 24 वी 80 ओम
SF21GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF21GHA0G -
सराय
ECAD 7121 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT SF21 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 950 mV @ 2 ए 35 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 40pf @ 4v, 1MHz
BZD27C36P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C36P MTG -
सराय
ECAD 7686 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 27 V 36 वी 40 ओम
S3MH Taiwan Semiconductor Corporation S3MH 0.1561
सराय
ECAD 9412 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.15 वी @ 3 ए 1.5 µs 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 60pf @ 4v, 1MHz
RS2MALH Taiwan Semiconductor Corporation Rs2malh 0.0795
सराय
ECAD 4441 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-221ac, sma ktur तमाम तंग तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-RS2MALHTR Ear99 8541.10.0080 28,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.3 वी @ 2 ए 500 एनएस 1 @a @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 10pf @ 4v, 1MHz
BZD27C82PH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C82PH 0.2933
सराय
ECAD 5947 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.1% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZD27C82PHTR Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 62 V 82 वी 200 ओम
TSM038N03PQ33 Taiwan Semiconductor Corporation TSM038N03PQ33 0.7613
सराय
ECAD 4780 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8 नताया TSM038 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-PDFN (3.1x3.1) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-TSM038N03PQ33TR Ear99 8541.29.0095 10,000 n- चैनल 30 वी 19 ए (टीए), 78 टीसी (टीसी () 4.5V, 10V 3.8MOHM @ 19A, 10V 2.5V @ 250µA 48 सना ± 20 वी 2557 पीएफ @ 15 वी - 2.4W (टीए), 39W (टीसी)
1N5252B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5252B A0G 0.3200
सराय
ECAD 5 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर ± 5% 100 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5252 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.1 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 18 वी 24 वी 33 ओम
PUAD10BCH Taiwan Semiconductor Corporation PUAD10BCH 0.9500
सराय
ECAD 4 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 PUAD10 तमाम थिंदपक तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 4,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 10 ए 950 mV @ 10 ए 25 एनएस 2 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C
BZD27C47P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C47P R3G -
सराय
ECAD 8905 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 36 V 47 वी 45 ओम
S12GCHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S12GCHR7G -
सराय
ECAD 4039 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC S12G तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 12 ए 1 µa @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 12 ए 78pf @ 4v, 1MHz
SRS1040 Taiwan Semiconductor Corporation SRS1040 0.6690
सराय
ECAD 4833 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB SRS1040 schottky TO-263AB (D2PAK) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-SRS1040TR Ear99 8541.10.0080 1,600 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 10 ए 550 एमवी @ 5 ए 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C
RS3KB-T R5G Taiwan Semiconductor Corporation RS3KB-T R5G 0.4700
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB RS3K तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.3 वी @ 3 ए 500 एनएस 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 50pf @ 4v, 1MHz
RS1GLHRQG Taiwan Semiconductor Corporation Rs1glhrqg -
सराय
ECAD 5081 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab RS1g तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 800 एमए 150 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4v, 1MHz
F1T7GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation F1t7gha0g -
सराय
ECAD 2414 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से टी -18, lectun F1t7 तमाम टीएस -1 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.3 वी @ 1 ए 500 एनएस 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
SS22LHRQG Taiwan Semiconductor Corporation SS22LHRQG -
सराय
ECAD 7667 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS22 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 500 एमवी @ 2 ए 400 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
S5JB Taiwan Semiconductor Corporation S5JB 0.1328
सराय
ECAD 7152 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB S5J तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 5 ए 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए 40pf @ 4v, 1MHz
BZD27C120P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C120P R3G -
सराय
ECAD 1290 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.39% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 91 वी 120.5 वी 300 ओम
SR002 R1G Taiwan Semiconductor Corporation SR002 R1G -
सराय
ECAD 8609 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut SR002 schottky DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 550 एमवी @ 500 एमए 500 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 125 ° C 500ma 110pf @ 4v, 1MHz
BZT52B3V9S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B3V9S 0.0340
सराय
ECAD 1908 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F BZT52B 200 सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52B3V9STR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 2.7 µA @ 1 वी 3.9 वी 90 ओम
1SMA4752HR3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4752HR3G -
सराय
ECAD 4425 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1SMA4752 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1 µa @ 25.1 V 33 वी 45 ओम
BZV55C68 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C68 L1G -
सराय
ECAD 2937 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55C ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1 वी @ 10 एमए 100 gaba @ 51 वी 68 वी 160 ओम
BZT52C16K RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C16K RKG 0.0474
सराय
ECAD 9707 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZT52C 200 सभा Sod-523f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 kaga @ 12 वी 16 वी 40 ओम
MTZJ27SD R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ27SD R0G 0.0305
सराय
ECAD 4097 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT MTZJ27 ५०० तंग DO-34 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 २०० सवार @ २१ वी 26.97 वी 45 ओम
RSFJLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation Rsfjlhrvg 0.1815
सराय
ECAD 4210 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab RSFJL तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 500 एमए 250 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम