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अफ़रपदाहा, (15635)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
HS1DL RQG Taiwan Semiconductor Corporation HS1DL RQG -
सराय
 ECAD 3532 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab HS1D तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 mV @ 1 ए 50 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 20pf @ 4v, 1MHz
1N4001GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4001GHR0G -
सराय
 ECAD 9167 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4001 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 50 वी 1 वी @ 1 ए 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
1PGSMB5942H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5942h 0.1798
सराय
 ECAD 9207 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, 1PGSMB59 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AA, SMB 3 डब DO-214AA (SMB) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 µA @ 38.8 V 51 वी 70 ओम
BZX55C3V9 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C3V9 0.0287
सराय
 ECAD 7801 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX55 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZX55C3V9TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 100 एमए 2 @a @ 1 वी 3.9 वी 85 ओम
MBRAD560H Taiwan Semiconductor Corporation Mbrad560h 0.6600
सराय
 ECAD 9506 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 MBRAD560 schottky थिंदपक - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 4,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 800 एमवी @ 5 ए 100 µa @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए 244pf @ 4v, 1MHz
BZD27C91P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C91P RQG -
सराय
 ECAD 9416 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 68 V 90.5 वी 200 ओम
BZD27C8V2P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C8V2P RTG -
सराय
 ECAD 6206 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 3 वी 8.2 वी 2 ओम
RS2GFL Taiwan Semiconductor Corporation RS2GFL 0.0888
सराय
 ECAD 3065 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F तमाम सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-RS2GFLTR Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 2 ए 150 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 16PF @ 4V, 1MHz
SR105H Taiwan Semiconductor Corporation SR105H -
सराय
 ECAD 5265 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut schottky DO-204AL (DO-41) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-SR105HTR Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 700 एमवी @ 1 ए 500 µA @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क -
BZY55C22 Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C22 0.0350
सराय
 ECAD 1720 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) Bzy55 ५०० तंग 0805 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZY55C22TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 10 एमए 100 gay @ 16 वी 22 वी 55 ओम
AZ23C3V6 Taiwan Semiconductor Corporation Az23c3v6 0.0786
सराय
 ECAD 1090 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Az23c ३०० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-AZ23C3V6TR Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड 3.6 वी 95 ओम
BAT54CD-G Taiwan Semiconductor Corporation BAT54CD-G 0.1224
सराय
 ECAD 9967 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 BAT54 schottky एसओटी -363 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BAT54CD-GTR Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 2 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 200MA 240 एमवी @ 100 एमए 2 @ ए @ 30 वी -55 ° C ~ 150 ° C
UF1KH Taiwan Semiconductor Corporation Uf1kh 0.1044
सराय
 ECAD 2260 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut Uf1k तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.7 वी @ 1 ए 75 एनएस 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 17pf @ 4v, 1MHz
FR152GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation FR152GHB0G -
सराय
 ECAD 8070 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 थोक शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT FR152 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.3 वी @ 1.5 ए 150 एनएस 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 20pf @ 4v, 1MHz
BZX84C9V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZX84C9V1 0.0511
सराय
 ECAD 2648 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.04% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84 ३०० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZX84C9V1TR Ear99 8541.10.0050 6,000 900 एमवी @ 10 एमए ५०० सदाबहार @ ६ वी 9.1 वी 15 ओम
RS1DL RHG Taiwan Semiconductor Corporation RS1DL RHG -
सराय
 ECAD 1891 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab RS1D तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.3 वी @ 800 एमए 150 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4v, 1MHz
BZX85C9V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZX85C9V1 0.0645
सराय
 ECAD 1489 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut BZX85 1.3 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZX85C9V1TR Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 वी @ 10 एमए 1 µa @ 6.9 V 9.1 वी 5 ओम
BZD27C15PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C15PHRFG -
सराय
 ECAD 1361 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 11 वी 14.7 वी 10 ओम
HER3L06GH Taiwan Semiconductor Corporation Her3l06gh 0.2535
सराय
 ECAD 7930 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-HER3L06GHTR Ear99 8541.10.0080 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 3 ए 75 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 54PF @ 4V, 1MHz
BAS20W Taiwan Semiconductor Corporation BAS20W 0.0498
सराय
 ECAD 1900 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 BAS20 तमाम SOT-323 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BAS20WTR Ear99 8541.10.0070 45,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 150 वी 1.25 वी @ 100 एमए 50 एनएस 100 gay @ 150 वी 125 ° C 200MA 5pf @ 0v, 1MHz
MUR440S V7G Taiwan Semiconductor Corporation MUR440S V7G 1.3400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC सिया 440 तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.25 वी @ 4 ए 50 एनएस 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 4 ए 65pf @ 4v, 1MHz
ES1BL RHG Taiwan Semiconductor Corporation ES1BL RHG -
सराय
 ECAD 5966 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab Es1b तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 950 mV @ 1 ए 35 एनएस 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 1v, 1MHz
MBR10150CTC0 Taiwan Semiconductor Corporation MBR10150CTC0 -
सराय
 ECAD 4695 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 MBR1015 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira तंग तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 10 ए 980 mV @ 10 ए 100 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
TSM5NC50CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM5NC50CZ C0G 2.8500
सराय
 ECAD 671 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TSM5 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 4,000 n- चैनल 500 वी 5 ए (टीसी) 10V 1.38OHM @ 2.5A, 10V 4.5V @ 250µA 15 सराय @ 10 वी ± 30V 586 पीएफ @ 50 वी - 89W (टीसी)
SR2060HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SR2060HC0G -
सराय
 ECAD 8732 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 SR2060 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 20 ए 700 एमवी @ 10 ए 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBR1045CT Taiwan Semiconductor Corporation MBR1045CT -
सराय
 ECAD 3729 0.00000000 तमाम - नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-3 MBR104 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 10 ए 800 mV @ 10 ए 100 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
BAS70-04 Taiwan Semiconductor Corporation BAS70-04 0.0453
सराय
 ECAD 1605 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS70 तमाम एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BAS70-04TR Ear99 8541.10.0070 6,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 70 वी 70ma 1 वी @ 15 सना हुआ 5 एनएस 100 gapa @ 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C
SS36LHRFG Taiwan Semiconductor Corporation SS36LHRFG -
सराय
 ECAD 8063 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS36 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 750 एमवी @ 3 ए 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
BZD27C16P RVG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C16P RVG -
सराय
 ECAD 5507 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 12 वी 16.2 वी 15 ओम
BZD27C130PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C130PHMTG -
सराय
 ECAD 5678 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 100 वी 132.5 वी 300 ओम
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AD9208BBPZ-3000

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