SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण
1N4740G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4740G A0G -
सराय
ECAD 6601 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4740 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 9.1 V 10 वी 9 ओम
BZV55B8V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B8V2 0.0357
सराय
ECAD 2209 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55B ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZV55B8V2TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 100 एमए 100 gaba @ 6.2 वी 8.2 वी 7 ओम
1N4742G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4742G B0G -
सराय
ECAD 7686 0.00000000 तमाम - थोक शिर ± 5% -65 ° C ~ 200 ° C (TA) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4742 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 27.4 V 12 वी 50 ओम
UG1005GH Taiwan Semiconductor Corporation UG1005GH 0.5370
सराय
ECAD 9493 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 UG1005 तमाम टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 300 वी 10 ए 1.25 वी @ 5 ए 22 एनएस 10 µa @ 300 V -55 ° C ~ 175 ° C
BZX585B7V5 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B7V5 RKG -
सराय
ECAD 9155 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZX585B7 200 सभा Sod-523f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 900 पायल @ 5 वी 7.5 वी 15 ओम
SS310 R7 Taiwan Semiconductor Corporation SS310 R7 -
सराय
ECAD 9702 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC schottky DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-SS310R7TR Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 850 mV @ 3 ए 100 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
HS1D Taiwan Semiconductor Corporation HS1D 0.0853
सराय
ECAD 1832 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA HS1D तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 20pf @ 4v, 1MHz
1N5402G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5402G 0.1844
सराय
ECAD 1619 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun तमाम Do-201ad - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-1N5402GTR Ear99 8541.10.0080 1,250 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 3 ए 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 25pf @ 4v, 1MHz
US1D R3G Taiwan Semiconductor Corporation US1D R3G 0.5700
सराय
ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AC, SMA US1D तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
BZX79C3V3 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C3V3 0.0287
सराय
ECAD 2392 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX79 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZX79C3V3TR Ear99 8541.10.0050 20,000 1.5 वी @ 100 एमए 25 µa @ 1 वी 3.3 वी 95 ओम
S1ML MTG Taiwan Semiconductor Corporation S1ML MTG -
सराय
ECAD 6202 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab S1ML तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.8 µs 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 9pf @ 4v, 1MHz
ES1DVH Taiwan Semiconductor Corporation ES1DVH 0.0984
सराय
ECAD 2343 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA ES1D तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 920 mV @ 1 ए 15 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 17pf @ 4v, 1MHz
BZD27C20PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C20PHRFG -
सराय
ECAD 5262 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 15 वी 20 वी 15 ओम
HS1MLW Taiwan Semiconductor Corporation Hs1mlw 0.4300
सराय
ECAD 13 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोड -123W Hs1m तमाम सोड -123W तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.7 वी @ 1 ए 75 एनएस 1 @a @ 1000 V -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 7PF @ 4V, 1MHz
HS1DH Taiwan Semiconductor Corporation HS1DH 0.0907
सराय
ECAD 6741 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-HS1DHTR Ear99 8541.10.0080 15,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 20pf @ 4v, 1MHz
HS5M M6 Taiwan Semiconductor Corporation HS5M M6 -
सराय
ECAD 2861 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-HS5MM6TR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.7 वी @ 5 ए 75 एनएस 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए 50pf @ 4v, 1MHz
SS110LHMQG Taiwan Semiconductor Corporation SS110LHMQG -
सराय
ECAD 4949 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS110 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 800 mV @ 1 ए 50 µa @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क -
BZX55B68 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B68 0.0333
सराय
ECAD 6862 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX55 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZX55B68TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 100 एमए 100 gaba @ 51 वी 68 वी 160 ओम
MUR860HC0G Taiwan Semiconductor Corporation Mur860hc0g -
सराय
ECAD 8050 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-2 Mur860 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 8 ए 50 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 8 ए -
2M75Z Taiwan Semiconductor Corporation 2M75Z 0.1565
सराय
ECAD 1821 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 2M75 2 डब DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,500 ५०० सना 75 वी 90 ओम
SFAF1008G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1008G 1.9500
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 SFAF1008 तमाम ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 10 ए 35 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए 140pf @ 4v, 1MHz
BC856B RFG Taiwan Semiconductor Corporation BC856B RFG 0.0343
सराय
ECAD 3590 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC856 200 सभा एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0075 3,000 65 वी 100 सवार 100NA (ICBO) तमाम 650mv @ 5ma, 100ma 220 @ 2MA, 5V 100MHz
BZX584B8V2 Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B8V2 0.0639
सराय
ECAD 3614 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZX584 १५० तंग Sod-523f तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZX584B8V2TR Ear99 8541.10.0050 104,000 700 पायल @ 5 वी 8.2 वी 15 ओम
1N4764AHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4764AHB0G -
सराय
ECAD 5734 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 थोक Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4764 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,000 5 µa @ 76 V 100 वी 350 ओम
HS3G R7 Taiwan Semiconductor Corporation HS3G R7 -
सराय
ECAD 1168 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-HS3GR7TR Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 3 ए 50 एनएस 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 80pf @ 4v, 1MHz
SK32A R3G Taiwan Semiconductor Corporation SK32A R3G -
सराय
ECAD 2053 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AC, SMA SK32 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 550 mV @ 3 ए 500 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
S1ALHMHG Taiwan Semiconductor Corporation S1ALHMHG -
सराय
ECAD 7746 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab S1A तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.8 µs 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 9pf @ 4v, 1MHz
BZD27C91P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C91P SALA 0.2753
सराय
ECAD 8762 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 68 V 90.5 वी 200 ओम
TSM110NB04LDCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM110NB04LDCR RLG 1.0500
सराय
ECAD 5 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-पॉव TSM110 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 2 letcuni (टीए), 48W (टीसी) 8-PDFN (5x6) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 2 the-चैनल (therी) 40v 10 ए (टीए), 48 टीसी (टीसी () 11mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250µA 23nc @ 10v 1269pf @ 20V -
SS35 V7G Taiwan Semiconductor Corporation SS35 V7G 1.0000
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC SS35 schottky DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 750 एमवी @ 3 ए 500 µA @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम