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अफ़रपदाहा, (15635)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) तमाम वोलmuth - सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण
BZD27C100PHMTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C100PHMTG -
सराय
 ECAD 8615 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 75 V 100 वी 200 ओम
UDZS10B R9G Taiwan Semiconductor Corporation UDZS10B R9G 0.0354
सराय
 ECAD 8274 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F UDZS10 200 सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 180 पायल @ 7 वी 10 वी 20 ओम
RSFAL RQG Taiwan Semiconductor Corporation RSFAL RQG -
सराय
 ECAD 8740 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab एक प्रकार का तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.3 वी @ 500 एमए 150 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4v, 1MHz
1SMA5955 Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5955 0.0935
सराय
 ECAD 5601 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1SMA5955 1.5 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 500 NA @ 136.8 V 180 वी 900 ओम
BZD27C82PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C82PHR3G 0.2933
सराय
 ECAD 5264 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 62 V 82 वी 200 ओम
1SMB5928HR5G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMB5928HR5G -
सराय
 ECAD 9804 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AA, SMB 1SMB5928 3 डब DO-214AA (SMB) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 850 1 µa @ 9.9 V 13 वी 7 ओम
BZD17C47P Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C47P 0.2625
सराय
 ECAD 9375 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZD17 800 सभा उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZD17C47PTR Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 36 V 47 वी 45 ओम
BZD27C7V5P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C7V5P RHG -
सराय
 ECAD 5247 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.04% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 50 µa @ 3 वी 7.45 वी 2 ओम
BZD27C180PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C180PHR3G -
सराय
 ECAD 7917 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.4% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 130 V 179.5 वी 450 ओम
1N4743A A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4743A A0G -
सराय
 ECAD 1143 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4743 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 @a @ 29.7 V 13 वी 60 ओम
1T3G R0G Taiwan Semiconductor Corporation 1T3G R0G -
सराय
 ECAD 4058 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से टी -18, lectun 1t3g तमाम टीएस -1 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 1 ए 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
MBRS1060 MNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1060 MNG -
सराय
 ECAD 9499 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRS1060 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 950 mV @ 10 ए 100 µa @ 60 V -55 ° C ~ 175 ° C 10 ए -
BZD17C18P RTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C18P RTG -
सराय
 ECAD 7782 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD17 800 सभा उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 13 वी 18 वी 15 ओम
TSM4NC50CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4NC50CP ROG 1.8600
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TSM4 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-252, (डी-rana) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 500 वी 4 ए (टीसी) 10V 2.7OHM @ 1.7A, 10V 3V @ 250µA 12 स्याह @ 10 वी ± 20 वी 453 पीएफ @ 50 वी - 83W (टीसी)
TPUH6D S1G Taiwan Semiconductor Corporation TPUH6D S1G 1.0500
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन Tpuh6 तमाम To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.05 वी @ 6 ए 45 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 6 ए 50pf @ 4v, 1MHz
1N4743A B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4743A B0G -
सराय
 ECAD 5543 0.00000000 तमाम - थोक Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4743 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,000 5 @a @ 29.7 V 13 वी 60 ओम
S3DB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3DB R5G -
सराय
 ECAD 8869 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AA, SMB S3d के तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.15 वी @ 3 ए 1.5 µs 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 40pf @ 4v, 1MHz
GBU604H Taiwan Semiconductor Corporation GBU604H 0.7051
सराय
 ECAD 7852 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-e, GBU GBU604 तमाम जीबीयू तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-GBU604H Ear99 8541.10.0080 1,000 1.1 वी @ 6 ए 5 @a @ 400 वी 6 ए सिंगल फेज़ 400 वी
TSM680P06CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM680P06CZ C0G -
सराय
 ECAD 4105 0.00000000 तमाम - थोक शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम TSM680P06CZC0G Ear99 8541.29.0095 1 पी-पी 60 वी 18 ए (टीसी) 4.5V, 10V 68MOHM @ 6A, 10V 2.2V @ 250µA 16.4 ranak @ 10 वी ± 20 वी 870 पीएफ @ 30 वी - 42W (टीसी)
TSM3N80CP ROG Taiwan Semiconductor Corporation TSM3N80CP ROG -
सराय
 ECAD 8040 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TSM3N80 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-252, (डी-rana) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 800 वी 3 ए (टीसी) 10V 4.2OHM @ 1.5A, 10V 4V @ 250µA 19 सराय @ 10 वी ± 30V 696 पीएफ @ 25 वी - 94W (टीसी)
TSSE3U60 RVG Taiwan Semiconductor Corporation TSSE3U60 RVG 0.8700
सराय
 ECAD 38 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Sod-123h Tsse3 schottky Sod-123he तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 580 mV @ 3 ए 1 पायल @ 60 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
RS1JL MQG Taiwan Semiconductor Corporation RS1JL MQG -
सराय
 ECAD 7680 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab RS1J तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 800 एमए 250 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4v, 1MHz
RS1JL RVG Taiwan Semiconductor Corporation RS1JL RVG 0.4500
सराय
 ECAD 25 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab RS1J तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 800 एमए 250 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4v, 1MHz
MBRF2545CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBRF2545CTH 1.0053
सराय
 ECAD 2027 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक MBRF2545 schottky ITO-220AB तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MBRF2545CTH Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 25 ए 750 एमवी @ 25 ए 2 सना हुआ @ 45 वी -55 ° C ~ 150 ° C
1SMA4758H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4758H 0.0995
सराय
 ECAD 3649 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1SMA4758 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1 @a @ 42.6 V 56 वी 110 ओम
HER207G Taiwan Semiconductor Corporation HER207G 0.1247
सराय
 ECAD 6754 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT HER207 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.7 वी @ 2 ए 75 एनएस 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 20pf @ 4v, 1MHz
BC337-16-B0 A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC337-16-B0 A1G -
सराय
 ECAD 8294 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) ६२५ सदाचार को -92 तंग तमाम 1801-BC337-16-B0A1GTB शिर 1 45 वी 800 सना हुआ 100NA (ICBO) एनपीएन 700MV @ 50mA, 500mA 250 @ 100ma, 5v 100MHz
BZD27C16P RFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C16P RFG -
सराय
 ECAD 4072 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 12 वी 16.2 वी 15 ओम
TSF10L200CW Taiwan Semiconductor Corporation TSF10L200CW 1.0358
सराय
 ECAD 1913 0.00000000 तमाम - नली नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक TSF10 schottky ITO-220AB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 5 ए 900 mV @ 5 ए 50 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
SS210 R5G Taiwan Semiconductor Corporation SS210 R5G -
सराय
 ECAD 3890 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AA, SMB SS210 schottky DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 850 mV @ 2 ए 100 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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