SIC
close
छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण
SF3004PT Taiwan Semiconductor Corporation SF3004PT 2.9800
सराय
ECAD 2057 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 SF3004 तमाम To-247ad (to-3p) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 mV @ 15 ए 35 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 30 ए 175pf @ 4v, 1MHz
S4J V7G Taiwan Semiconductor Corporation S4J V7G 1.0100
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC S4J तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.15 वी @ 4 ए 1.5 µs 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 4 ए 60pf @ 4v, 1MHz
UF1A R1G Taiwan Semiconductor Corporation Uf1a r1g -
सराय
ECAD 5055 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut Uf1a तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 17pf @ 4v, 1MHz
SFT12GH Taiwan Semiconductor Corporation SFT12GH -
सराय
ECAD 7937 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से टी -18, lectun तमाम टीएस -1 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-SFT12GHTR Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 950 mV @ 1 ए 35 एनएस 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 20pf @ 4v, 1MHz
1N5408G B0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5408G B0G -
सराय
ECAD 2355 0.00000000 तमाम - थोक शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun 1N5408 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1 वी @ 3 ए 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 25pf @ 4v, 1MHz
1N4003G A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N4003G A0G -
सराय
ECAD 6539 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4003 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1 वी @ 1 ए 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
RS2MA Taiwan Semiconductor Corporation Rs2ma 0.0731
सराय
ECAD 8777 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RS2M तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.3 वी @ 1.5 ए 500 एनएस 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 50pf @ 4v, 1MHz
SFAF804GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF804GHC0G -
सराय
ECAD 1737 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 SFAF804 तमाम ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 mV @ 8 ए 35 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए 90pf @ 4v, 1MHz
1SMA4753 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA4753 R3G 0.4600
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1SMA4753 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1 .A @ 27.4 वी 36 वी 50 ओम
BC548A A1G Taiwan Semiconductor Corporation BC548A A1G -
सराय
ECAD 5591 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) BC548 ५०० तंग को -92 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 4,000 30 वी 100 सवार 15NA (ICBO) एनपीएन - 110 @ 2MA, 5V -
TSM4946DCS Taiwan Semiconductor Corporation TSM4946DCS 0.7284
सराय
ECAD 4904 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) TSM4946 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 2.4W (TA) 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-TSM4946DCSTR Ear99 8541.29.0095 5,000 2 एन-चैनल 60V 4.5 ए (टीए () 55MOHM @ 4.5A, 10V 3V @ 250µA 30nc @ 10v 910pf @ 24v तमाम
2A04GH Taiwan Semiconductor Corporation 2A04GH 0.0760
सराय
ECAD 2422 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 2A04 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1 वी @ 2 ए 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 15pf @ 4v, 1MHz
BAT54W RVG Taiwan Semiconductor Corporation BAT54W RVG -
सराय
ECAD 8981 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur SC-70, SOT-323 BAT54 schottky SOT-323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 1 वी @ 100 एमए 5 एनएस 2 @a @ 25 वी -55 ° C ~ 150 ° C 200MA 10pf @ 1v, 1MHz
SRT16HA1G Taiwan Semiconductor Corporation Srt16ha1g -
सराय
ECAD 2258 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से टी -18, lectun SRT16 schottky टीएस -1 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 700 एमवी @ 1 ए 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क -
BZD27C51PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C51PHMHG -
सराय
ECAD 4623 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 39 V 51 वी 60 ओम
6A40GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A40GHB0G -
सराय
ECAD 7179 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 थोक Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से Rabr -6, s अकmun 6A40 तमाम कमाई -6 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 400 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1 वी @ 6 ए 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 6 ए 60pf @ 4v, 1MHz
1N5249B Taiwan Semiconductor Corporation 1N5249B 0.0271
सराय
ECAD 2274 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 200 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5249 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-1N5249BTR Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 14 वी 19 वी 23 ओम
SF12GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation SF12GHA0G -
सराय
ECAD 2627 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut SF12 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 950 mV @ 1 ए 35 एनएस 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 20pf @ 4v, 1MHz
ES1DL RTG Taiwan Semiconductor Corporation ES1DL RTG -
सराय
ECAD 1997 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab ES1D तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 mV @ 1 ए 35 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 1v, 1MHz
SS12HR3G Taiwan Semiconductor Corporation SS12HR3G -
सराय
ECAD 1385 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AC, SMA SS12 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 500 एमवी @ 1 ए 200 @a @ 20 वी -55 ° C ~ 125 ° C 1 क -
SFT12GHA1G Taiwan Semiconductor Corporation Sft12gha1g -
सराय
ECAD 2110 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से टी -18, lectun SFT12 तमाम टीएस -1 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 950 mV @ 1 ए 35 एनएस 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 20pf @ 4v, 1MHz
BZD27C100PHRTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C100PHRTG -
सराय
ECAD 5230 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 75 V 100 वी 200 ओम
RS1ML RFG Taiwan Semiconductor Corporation RS1ml RFG -
सराय
ECAD 4790 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab RS1M तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.3 वी @ 800 एमए 500 एनएस 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 10pf @ 4v, 1MHz
TSF40L150C Taiwan Semiconductor Corporation TSF40L150C 1.3110
सराय
ECAD 7896 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक TSF40 schottky ITO-220AB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 20 ए 960 mV @ 20 ए 100 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
TSM2314CX RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM2314CX RFG 0.5307
सराय
ECAD 39 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 TSM2314 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.29.0095 3,000 n- चैनल 20 वी 4.9 ए (टीसी टीसी) 1.8V, 4.5V 33MOHM @ 4.9A, 4.5V 1.2V @ 250µA 11 सना ± 12V 900 पीएफ @ 10 वी - 1.25W (TA)
BZX585B4V3 RKG Taiwan Semiconductor Corporation BZX585B4V3 RKG -
सराय
ECAD 3504 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZX585B4 200 सभा Sod-523f तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 2.7 µA @ 1 वी 4.3 वी 90 ओम
PU3JC Taiwan Semiconductor Corporation Pu3jc 0.1893
सराय
ECAD 8504 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC Pu3j तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-PU3JCTR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 3 ए 25 एनएस 2 @a @ 600 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 31PF @ 4V, 1MHz
TSI10H120CW Taiwan Semiconductor Corporation TSI10H120CW -
सराय
ECAD 3659 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa TSI10 schottky I2pak तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 120 वी 5 ए 790 mV @ 5 ए 100 µa @ 120 V -55 ° C ~ 150 ° C
HS1GL R3G Taiwan Semiconductor Corporation HS1GL R3G 0.1377
सराय
ECAD 4067 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab Hs1g तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 20pf @ 4v, 1MHz
BZT55C3V0 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C3V0 L1G -
सराय
ECAD 8467 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZT55 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1 वी @ 10 एमए 4 µa @ 1 वी 3 वी 85 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम