SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachus सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण
SRAS8100 Taiwan Semiconductor Corporation Sras8100 0.6279
सराय
ECAD 9504 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Sras8100 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 950 mV @ 8 ए 100 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
1N4751A Taiwan Semiconductor Corporation 1N4751A 0.1118
सराय
ECAD 1187 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4751 1 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 22.8 V 30 वी 40 ओम
BYG23M Taiwan Semiconductor Corporation BYG23M 0.0897
सराय
ECAD 7615 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA BYG23 तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.7 वी @ 1.5 ए 65 एनएस 1 @a @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 15pf @ 4v, 1MHz
BZD27C6V8P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C6V8P M2G -
सराय
ECAD 6464 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.88% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 3 वी 6.8 वी 3 ओम
S1BL RTG Taiwan Semiconductor Corporation S1BL RTG -
सराय
ECAD 4063 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab एस 1 बी तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.8 µs 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 9pf @ 4v, 1MHz
UG06AHA1G Taiwan Semiconductor Corporation Ug06aha1g -
सराय
ECAD 5079 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से टी -18, lectun UG06 तमाम टीएस -1 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 950 एमवी @ 600 एमए 15 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 600ma 9pf @ 4v, 1MHz
BZD27C15P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C15P MTG -
सराय
ECAD 3673 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.12% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 11 वी 14.7 वी 10 ओम
1PGSMB5951H Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5951h 0.1798
सराय
ECAD 3720 0.00000000 तमाम ऑटोमोटिव, AEC-Q101, 1PGSMB59 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AA, SMB 3 डब DO-214AA (SMB) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 µA @ 91.2 V 120 वी 360 ओम
SFA806G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA806G C0G -
सराय
ECAD 6768 0.00000000 तमाम - नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-2 SFA806 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 8 ए 35 एनएस 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए 60pf @ 4v, 1MHz
SS25LHMHG Taiwan Semiconductor Corporation SS25LHMHG -
सराय
ECAD 2822 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS25 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 700 एमवी @ 2 ए 400 @a @ 50 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
1PGSMB5942 Taiwan Semiconductor Corporation 1pgsmb5942 0.1689
सराय
ECAD 7834 0.00000000 तमाम 1pgsmb59 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AA, SMB 3 डब DO-214AA (SMB) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 µA @ 38.8 V 51 वी 70 ओम
1SMA5947H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5947H 0.0995
सराय
ECAD 2794 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1SMA5947 1.5 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 500 NA @ 62.2 V 82 वी 160 ओम
1N5821 Taiwan Semiconductor Corporation 1N5821 0.1788
सराय
ECAD 7613 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun 1N5821 schottky Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 500 एमवी @ 3 ए 500 @a @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 3 ए 200pf @ 4V, 1MHz
BC817-16 Taiwan Semiconductor Corporation BC817-16 0.0336
सराय
ECAD 8345 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC817 ३०० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BC817-16TR Ear99 8541.21.0075 6,000 45 वी ५०० तंग 100NA (ICBO) एनपीएन 700MV @ 50mA, 500mA 100 @ 100ma, 1v 100MHz
BZT55C6V8 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C6V8 L0G 0.0350
सराय
ECAD 6003 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZT55 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 100 gay @ 3 वी 6.8 वी 8 ओम
BZT55B3V9 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B3V9 L1G -
सराय
ECAD 2182 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZT55 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1 वी @ 10 एमए 2 @a @ 1 वी 3.9 वी 85 ओम
SK115BHR5G Taiwan Semiconductor Corporation SK115BHR5G -
सराय
ECAD 6242 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AA, SMB SK115 schottky DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 950 mV @ 3 ए 100 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क -
UG12J C0G Taiwan Semiconductor Corporation UG12J C0G -
सराय
ECAD 2464 0.00000000 तमाम - नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-2 UG12 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2 वी @ 12 ए 20 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 12 ए -
BZT52C33S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C33S 0.0357
सराय
ECAD 1173 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F BZT52C 200 सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52C33STR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 45 पायल @ 23 वी 33 वी 80 ओम
BZX79B2V4 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79B2V4 0.0322
सराय
ECAD 8056 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX79 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZX79B2V4TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 100 एमए 1 पायल @ 100 वी 2.4 वी 100 ओम
BZX79C12 Taiwan Semiconductor Corporation BZX79C12 0.0287
सराय
ECAD 2895 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX79 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZX79C12TR Ear99 8541.10.0050 20,000 1.5 वी @ 100 एमए 100 gapa @ 8 वी 12 वी 25 ओम
MTZJ33SD R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ33SD R0G 0.0305
सराय
ECAD 6316 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT Mtzj33 ५०० तंग DO-34 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 २०० सदाबहार @ २५ वी 32.3 वी 65 ओम
BC550C B1G Taiwan Semiconductor Corporation BC550C B1G -
सराय
ECAD 6081 0.00000000 तमाम - थोक शिर -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BC550 ५०० तंग को -92 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.21.0095 5,000 45 वी 100 सवार 15NA (ICBO) एनपीएन - 420 @ 2MA, 5V -
BZD27C24PWH Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C24PWH 0.1191
सराय
ECAD 2716 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur सोड -123W BZD27 1 डब सोड -123W तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 200 एमए 1 µa @ 18 V 24 वी 15 ओम
SF3005PTH Taiwan Semiconductor Corporation SF3005PTH 2.0470
सराय
ECAD 7848 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 SF3005 तमाम To-247ad (to-3p) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-SF3005PTH Ear99 8541.10.0080 900 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 300 वी 30 ए 1.3 वी @ 15 ए 35 एनएस 10 µa @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C
BZD27C9V1PHMQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C9V1PHMQG -
सराय
ECAD 4754 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 5 वी 9.05 वी 4 ओम
S3KB R5G Taiwan Semiconductor Corporation S3KB R5G -
सराय
ECAD 7719 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AA, SMB S3K तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.15 वी @ 3 ए 1.5 µs 10 µa @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 40pf @ 4v, 1MHz
2A07G Taiwan Semiconductor Corporation 2A07G 0.0712
सराय
ECAD 2363 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 2A07 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1 वी @ 2 ए 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 15pf @ 4v, 1MHz
SF37GHR0G Taiwan Semiconductor Corporation SF37GHR0G -
सराय
ECAD 2471 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun SF37 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,250 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 500 वी 1.7 वी @ 3 ए 35 एनएस 5 @a @ 500 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 60pf @ 4v, 1MHz
BZT55C11 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C11 L1G -
सराय
ECAD 3053 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZT55 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1 वी @ 10 एमए 100 gaba @ 8.2 वी 11 वी 20 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम