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अफ़रपदाहा, (15635)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
ZM4744A Taiwan Semiconductor Corporation ZM4744A 0.0830
सराय
 ECAD 9893 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ab, melf ZM4744 1 डब Melf तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-ZM4744ATR Ear99 8541.10.0050 5,000 5 µa @ 11.4 V 15 वी 14 ओम
ES3B R6 Taiwan Semiconductor Corporation ES3B R6 -
सराय
 ECAD 6583 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-ES3BR6TR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 950 mV @ 3 ए 35 एनएस 10 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 45pf @ 4v, 1MHz
UGF2004GH Taiwan Semiconductor Corporation UGF2004GH 0.6996
सराय
 ECAD 6077 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक UGF2004 तमाम ITO-220AB तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-UGF2004GH Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 20 ए 950 mV @ 10 ए 20 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C
SS23 Taiwan Semiconductor Corporation SS23 0.0990
सराय
 ECAD 5321 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB SS23 schottky DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 500 एमवी @ 2 ए 400 @a @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 2 ए -
BZT52C11 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C11 0.0412
सराय
 ECAD 9672 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F BZT52C ५०० तंग सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52C11TR Ear99 8541.10.0050 6,000 1 वी @ 10 एमए 90 सना हुआ @ 8 वी 11 वी 20 ओम
MBRS1645H Taiwan Semiconductor Corporation MBRS1645H 0.6851
सराय
 ECAD 2353 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRS1645 schottky TO-263AB (D2PAK) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MBRS1645HTR Ear99 8541.10.0080 1,600 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 630 mV @ 16 ए 500 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C 16 ए -
BZY55C5V6 Taiwan Semiconductor Corporation BZY55C5V6 0.0350
सराय
 ECAD 9252 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) Bzy55 ५०० तंग 0805 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZY55C5V6TR Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए 100 gay @ 1 वी 5.6 वी 30 ओम
MTZJ33SC Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ33SCS 0.0305
सराय
 ECAD 3451 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT Mtzj33 ५०० तंग DO-34 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MTZJ33SCTR Ear99 8541.10.0050 10,000 २०० सदाबहार @ २५ वी 31.7 वी 65 ओम
SR002 Taiwan Semiconductor Corporation SR002 -
सराय
 ECAD 7777 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut schottky DO-204AL (DO-41) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-SR002TR Ear99 8541.10.0070 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 550 एमवी @ 500 एमए 500 µA @ 20 वी -55 ° C ~ 125 ° C 500ma 110pf @ 4v, 1MHz
BZD27C91PHR3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C91PHR3G -
सराय
 ECAD 3548 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.07% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 68 V 90.5 वी 200 ओम
MBR30L100CTH Taiwan Semiconductor Corporation MBR30L100CTH 1.5213
सराय
 ECAD 6557 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 MBR30 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MBR30L100CTH Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 30 ए 770 mV @ 15 ए 500 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C
BZX55C9V1 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C9V1 0.0287
सराय
 ECAD 3841 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX55 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZX55C9V1TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 100 एमए 100 gaba @ 6.8 वी 9.1 वी 10 ओम
TSM60NB099CF Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB09999CF 7.8447
सराय
 ECAD 8224 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TSM60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक ITO-220S तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-TSM60NB09999CF Ear99 8541.29.0095 4,000 n- चैनल 600 वी 38 ए (टीसी) 10V 99MOHM @ 5.3a, 10v 4V @ 250µA 62 सना ± 30V 2587 पीएफ @ 100 वी - 69W (टीसी)
S15DLW Taiwan Semiconductor Corporation S15DLW 0.0597
सराय
 ECAD 9269 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोड -123W तमाम सोड -123W तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-S15DLWTR Ear99 8541.10.0080 20,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 1.5 ए 1 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 1.5 ए 10pf @ 4v, 1MHz
RS2JFL Taiwan Semiconductor Corporation Rs2jfl 0.0888
सराय
 ECAD 4089 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F तमाम सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-RS2JFLTR Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 2 ए 250 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 9pf @ 4v, 1MHz
TPMR10GH Taiwan Semiconductor Corporation TPMR10GH 0.4860
सराय
 ECAD 3334 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन TPMR10 तमाम To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-TPMR10GHTR Ear99 8541.10.0080 6,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.2 वी @ 10 ए 35 एनएस 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 10 ए 140pf @ 4v, 1MHz
BZT52C13 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C13 0.0412
सराय
 ECAD 3755 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F BZT52C ५०० तंग सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52C13TR Ear99 8541.10.0050 6,000 1 वी @ 10 एमए 90 सना हुआ @ 8 वी 13 वी 30 ओम
1PGSMC5366 V7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5366 V7G -
सराय
 ECAD 4970 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 डब DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-1PGSMC5366V7GTR Ear99 8541.10.0050 850 500 NA @ 29.7 V 39 वी 14 ओम
HSKLWH Taiwan Semiconductor Corporation Hsklwh 0.0906
सराय
 ECAD 3511 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोड -123W तमाम सोड -123W तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-hsklwhtr Ear99 8541.10.0080 20,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.7 वी @ 800 एमए 75 एनएस 1 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 5pf @ 4v, 1MHz
TSM160N10CZ C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM160N10CZ C0G 2.6900
सराय
 ECAD 29 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TSM160 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक को -220 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 50 n- चैनल 100 वी 160 ए (टीसी) 10V 5.5MOHM @ 30A, 10V 4V @ 250µA 154 सना ± 20 वी 9840 पीएफ @ 30 वी - 300W (टीसी)
SS16L RFG Taiwan Semiconductor Corporation SS16L RFG -
सराय
 ECAD 9761 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS16 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 700 एमवी @ 1 ए 400 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क -
TSZU52C6V2 Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C6V2 0.0669
सराय
 ECAD 3306 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) Tszu52 १५० तंग 0603 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-TSZU52C6V2TR Ear99 8541.10.0050 20,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gapa @ 2 वी 6.2 वी 10 ओम
BZS55B33 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B33 RAG -
सराय
 ECAD 6355 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) BZS55 ५०० तंग 1206 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-BZS55B33RAGTR Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए 100 gaba @ 24 वी 33 वी 80 ओम
2M91ZHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 2M91ZHB0G -
सराय
 ECAD 6277 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 थोक शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 2M91 2 डब DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,000 500 NA @ 69.2 V 91 वी 125 ओम
SFA1005G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA1005G C0G -
सराय
 ECAD 4441 0.00000000 तमाम - नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-2 SFA1005 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.3 वी @ 10 ए 35 एनएस 10 µa @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए 50pf @ 4v, 1MHz
HSJLW Taiwan Semiconductor Corporation HSJLW 0.0907
सराय
 ECAD 9524 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोड -123W तमाम सोड -123W तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-HSJLWTR Ear99 8541.10.0080 20,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 800 एमए 75 एनएस 1 @a @ 600 वी -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 5pf @ 4v, 1MHz
1PGSMC5348HR7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5348HR7G -
सराय
 ECAD 2866 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 डब DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 850 5 µa @ 8.4 V 11 वी 3 ओम
1SMA5946H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5946H 0.1016
सराय
 ECAD 4547 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1.5 डब DO-214AC (SMA) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-1SMA5946HTR Ear99 8541.10.0050 7,500 ५०० सना 75 वी 140 ओम
F1T6G A1G Taiwan Semiconductor Corporation F1t6g a1g -
सराय
 ECAD 2079 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से टी -18, lectun F1t6 तमाम टीएस -1 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.3 वी @ 1 ए 500 एनएस 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
BZT52B3V3-G Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B3V3-G 0.0461
सराय
 ECAD 2418 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZT52B ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52B3V3-GTR Ear99 8541.10.0050 6,000 900 एमवी @ 10 एमए 5 µA @ 1 वी 3.3 वी 95 ओम
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    मानक उत्पाद एकक

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    दुनिया भर में निर्माता

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AD9208BBPZ-3000

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