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अफ़रपदाहा, (15635)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ 25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
HSMLWH Taiwan Semiconductor Corporation Hsmlwh 0.0906
सराय
 ECAD 8945 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोड -123W तमाम सोड -123W तंग Rohs3 आजthabairay तमाम 1801-HSMLWHTR Ear99 8541.10.0080 20,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.7 वी @ 800 एमए 75 एनएस 1 @a @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 800ma 5pf @ 4v, 1MHz
TSM120N06LCS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM120N06LCS RLG 2.5200
सराय
 ECAD 19 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) TSM120 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-सेप तंग Rohs3 आजthabairay 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8541.29.0095 2,500 n- चैनल 60 वी 23 ए (टीसी) 4.5V, 10V 12mohm @ 10a, 10v 2.5V @ 250µA 37 सना ± 20 वी 2193 पीएफ @ 30 वी - 12.5W (टीसी)
AZ23C16 Taiwan Semiconductor Corporation AZ23C16 0.0794
सराय
 ECAD 4801 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Az23c ३०० तंग एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabairay तमाम 1801-AZ23C16TR Ear99 8541.10.0050 3,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 kaga @ 12 वी 16 वी 40 ओम
TSM260P02CX6 RFG Taiwan Semiconductor Corporation TSM260P02CX6 RFG 1.3100
सराय
 ECAD 47 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -23-6 TSM260 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसओटी -26 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 3,000 पी-पी 20 वी 6.5 ए (टीसी) 1.8V, 4.5V 26MOHM @ 5A, 4.5V 1V @ 250µA १ ९। ± 10V 1670 पीएफ @ 15 वी - 1.56W (टीसी)
MTZJ5V6SC R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ5V6SC R0G 0.0305
सराय
 ECAD 7749 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT Mtzj5 ५०० तंग DO-34 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 5 µA @ 2.5 V 5.76 वी 60 ओम
SFAS801GHMNG Taiwan Semiconductor Corporation SFAS801GHMNG -
सराय
 ECAD 6901 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB SFAS801 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 950 mV @ 8 ए 35 एनएस 10 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए 80pf @ 4v, 1MHz
BZD17C180P M2G Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C180P M2G -
सराय
 ECAD 1194 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD17 800 सभा उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 130 V 180 वी 450 ओम
TST20L100CW Taiwan Semiconductor Corporation TST20L100CW 2.1000
सराय
 ECAD 884 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 TST20 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 840 mV @ 10 ए 100 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए -
TSM060N03PQ33 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSM060N03PQ33 RGG 1.5500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8 नताया TSM060 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-PDFN (3.1x3.1) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 30 वी 62 ए (टीसी) 4.5V, 10V 6mohm @ 15a, 10v 2.5V @ 250µA २५.४ ranak ± 20 वी 1342 पीएफ @ 15 वी - 40W (टीसी)
1PGSMC5367 M6G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5367 M6G -
सराय
 ECAD 3032 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 डब DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम 1801-1PGSMC5367M6GTR Ear99 8541.10.0050 3,000 500 NA @ 32.7 V 43 वी 20 ओम
TSM70N600CP Taiwan Semiconductor Corporation TSM70N600CP 2.5896
सराय
 ECAD 4568 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 TSM70 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-252, (डी-rana) तंग Rohs3 आजthabairay तमाम 1801-TSM70N600CPTR Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 700 वी 8 ए (टीसी) 10V 600MOHM @ 2.4A, 10V 4V @ 250µA 12.6 ranak @ 10 वी ± 30V 743 पीएफ @ 100 वी - 83W (टीसी)
S8GCHR7G Taiwan Semiconductor Corporation S8GCHR7G -
सराय
 ECAD 8906 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC S8GC तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 985 mV @ 8 ए 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए 48pf @ 4v, 1MHz
BZT52C24S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C24S 0.0357
सराय
 ECAD 4728 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F BZT52C 200 सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabairay तमाम 1801-BZT52C24STR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 45 पायल que 16.8 24 वी 70 ओम
RSFAL RQG Taiwan Semiconductor Corporation RSFAL RQG -
सराय
 ECAD 8740 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab एक प्रकार का तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.3 वी @ 500 एमए 150 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4v, 1MHz
MBR30100CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBR30100CT-Y 0.7462
सराय
 ECAD 3702 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 MBR30100 schottky टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabairay तमाम 1801-MBR30100CT-Y Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 30 ए 940 mV @ 30 ए 200 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C
SS115LHMHG Taiwan Semiconductor Corporation SS115LHMHG -
सराय
 ECAD 5686 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS115 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 900 mV @ 1 ए 50 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क -
BZD27C24P Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C24P 0.2753
सराय
 ECAD 6759 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.79% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabairay तमाम 1801-BZD27C24PTR Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 18 V 24.2 वी 15 ओम
SR4060PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SR4060PT C0G -
सराय
 ECAD 9293 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 SR4060 schottky To-247ad (to-3p) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 40 ए 700 एमवी @ 20 ए 1 पायल @ 60 वी -55 ° C ~ 150 ° C
BZX55B4V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZX55B4V7 0.0301
सराय
 ECAD 6841 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX55 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabairay तमाम 1801-BZX55B4V7TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 100 एमए ५०० पायल @ १ वी 4.7 वी 60 ओम
RSFML RQG Taiwan Semiconductor Corporation RSFML RQG -
सराय
 ECAD 4107 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab RSFML तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.3 वी @ 500 एमए 500 एनएस 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4v, 1MHz
BZX584B9V1 RSG Taiwan Semiconductor Corporation BZX584B9V1 RSG 0.0639
सराय
 ECAD 4586 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZX584 १५० तंग Sod-523f तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 900 एमवी @ 10 एमए ५०० सदाबहार @ ६ वी 9.1 वी 15 ओम
BZT55C20 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C20 L1G -
सराय
 ECAD 3783 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZT55 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1 वी @ 10 एमए 100 kaga @ 15 वी 20 वी 55 ओम
SK54CHR7G Taiwan Semiconductor Corporation SK54CHR7G -
सराय
 ECAD 3917 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC SK54 schottky DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 एमवी @ 5 ए 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए -
1PGSMA4745 R3G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4745 R3G 0.4500
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1PGSMA4745 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 .a @ 12.2 वी 16 वी 16 ओम
FR154GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation Fr154gha0g -
सराय
 ECAD 8034 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT FR154 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 1.5 ए 150 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 20pf @ 4v, 1MHz
SF803GHC0G Taiwan Semiconductor Corporation SF803GHC0G -
सराय
 ECAD 7103 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-3 SF803 तमाम टू -220 एबी तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 975 mV @ 8 ए 35 एनएस 10 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए 70pf @ 4v, 1MHz
SK310A Taiwan Semiconductor Corporation SK310A 0.4100
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA SK310 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 850 mV @ 3 ए 100 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
UDZS3V6B Taiwan Semiconductor Corporation UDZS3V6B 0.0416
सराय
 ECAD 5442 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F UDZS3V6 200 सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabairay तमाम 1801-UDZS3V6BTR Ear99 8541.10.0050 6,000 4.5 µA @ 1 वी 3.6 वी 90 ओम
SS16LHR3G Taiwan Semiconductor Corporation SS16LHR3G 0.2235
सराय
 ECAD 8253 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS16 schottky उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 700 एमवी @ 1 ए 400 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क -
BZT52C4V7 Taiwan Semiconductor Corporation BZT52C4V7 0.0412
सराय
 ECAD 1673 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123F BZT52C ५०० तंग सोद -123F तंग Rohs3 आजthabairay तमाम 1801-BZT52C4V7TR Ear99 8541.10.0050 6,000 1 वी @ 10 एमए 2.7 µA @ 2 वी 4.7 वी 80 ओम
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AD9208BBPZ-3000

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