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अफ़रपदाहा, (15635)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
SRAF550HC0G Taiwan Semiconductor Corporation SRAF550HC0G -
सराय
 ECAD 2563 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से TO-220-2 SRAF550 schottky ITO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 700 एमवी @ 5 ए 500 µA @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए -
SK510C R6G Taiwan Semiconductor Corporation SK510C R6G -
सराय
 ECAD 9714 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC schottky DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-SK510CR6GTR Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 850 mV @ 5 ए 300 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए -
SF45G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF45G A0G -
सराय
 ECAD 4125 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun SF45 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.3 वी @ 4 ए 35 एनएस 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 4 ए 80pf @ 4v, 1MHz
S10GC R6G Taiwan Semiconductor Corporation S10GC R6G -
सराय
 ECAD 1737 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC तमाम DO-214AB (SMC) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-S10GCR6GTR Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 10 ए 1 µa @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए 60pf @ 4v, 1MHz
ES1BALH Taiwan Semiconductor Corporation Es1balh 0.1131
सराय
 ECAD 3347 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-221ac, sma ktur तमाम तंग तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-ES1BALHTR Ear99 8541.10.0080 14,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 950 mV @ 1 ए 35 एनएस 1 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 18pf @ 4v, 1MHz
SF35G A0G Taiwan Semiconductor Corporation SF35G A0G -
सराय
 ECAD 9621 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun SF35 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.3 वी @ 3 ए 35 एनएस 5 µA @ 300 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 60pf @ 4v, 1MHz
S1J-KR3G Taiwan Semiconductor Corporation S1J-KR3G -
सराय
 ECAD 1601 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA एस 1 जे तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.5 µs 1 @a @ 600 वी -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 12pf @ 4v, 1MHz
HS2MFS Taiwan Semiconductor Corporation HS2MFS 0.4500
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 Hs2m तमाम सोद -128 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.7 वी @ 2 ए 75 एनएस 1 @a @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 12pf @ 4v, 1MHz
S5MBH Taiwan Semiconductor Corporation S5MBH 0.1415
सराय
 ECAD 2123 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB S5M तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 5 ए 10 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए 40pf @ 4v, 1MHz
BZT55C12 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C12 0.0350
सराय
 ECAD 5722 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Sod-80 sauturण ५०० तंग QMMELF तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT55C12TR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 100 kay @ 9.1 वी 12 वी 20 ओम
BZD17C180P RQG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C180P RQG -
सराय
 ECAD 8441 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.38% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD17 800 सभा उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 130 V 180 वी 450 ओम
1PGSMC5357HR7G Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMC5357HR7G -
सराय
 ECAD 3582 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AB, SMC 1pgsmc 5 डब DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 850 500 NA @ 15.2 V 20 वी 3 ओम
MBR16100H Taiwan Semiconductor Corporation MBR16100H -
सराय
 ECAD 5221 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 MBR1610 schottky TO-220AC - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-MBR16100H Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 850 mV @ 16 ए 300 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 16 ए -
BZT55B3V9 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B3V9 L1G -
सराय
 ECAD 2182 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZT55 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1 वी @ 10 एमए 2 @a @ 1 वी 3.9 वी 85 ओम
MBRS2060CTHMNG Taiwan Semiconductor Corporation MBRS2060CTHMNG -
सराय
 ECAD 6951 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRS2060 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 20 ए 950 mV @ 20 ए 100 µa @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
S1DFS MWG Taiwan Semiconductor Corporation S1DFS MWG 0.0814
सराय
 ECAD 6446 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -128 एस 1 डी तमाम सोद -128 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 1 ए 1 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 9pf @ 4v, 1MHz
BZD27C16P R3G Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C16P R3G -
सराय
 ECAD 1138 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.55% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 12 वी 16.2 वी 15 ओम
TSZL52C3V3-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C3V3-F0 RWG -
सराय
 ECAD 6622 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) सतह rurcur 1005 (2512 पेरस) 200 सभा 1005 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-TSZL52C3V3-F0RWGTR Ear99 8541.10.0050 4,000 900 एमवी @ 10 एमए 25 µa @ 1 वी 3.3 वी 95 ओम
1N5248B A0G Taiwan Semiconductor Corporation 1N5248B A0G -
सराय
 ECAD 6196 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 5% 100 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5248 ५०० तंग DO-35 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.1 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 14 वी 18 वी 21 ओम
BZS55B2V4 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B2V4 RAG -
सराय
 ECAD 2319 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) BZS55 ५०० तंग 1206 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-BZS55B2V4RAGTR Ear99 8541.10.0050 5,000 1.5 वी @ 10 एमए 50 µa @ 1 वी 2.4 वी 85 ओम
TSM3443CX6 Taiwan Semiconductor Corporation TSM3443CX6 0.3395
सराय
 ECAD 2478 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur एसओटी -23-6 TSM3443 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक एसओटी -26 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-TSM3443CX6TR Ear99 8541.29.0095 12,000 पी-पी 20 वी 4.7 ए (टीए टीए) 2.5V, 4.5V 60MOHM @ 4.7A, 4.5V 1.4V @ 250µA 9 सना ± 12V 640 पीएफ @ 10 वी - 2W (TA)
BZD27C130P RHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C130P RHG -
सराय
 ECAD 9237 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.41% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 100 वी 132.5 वी 300 ओम
HER3006PTH Taiwan Semiconductor Corporation HER3006PTH 1.8804
सराय
 ECAD 2941 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 तमाम To-247ad (to-3p) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-HER3006PTH Ear99 8541.10.0080 900 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 600 वी 30 ए 1.7 वी @ 15 ए 80 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C
MBRS30H45CT Taiwan Semiconductor Corporation MBRS30H45CT 0.8505
सराय
 ECAD 5317 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRS30 schottky TO-263AB (D2PAK) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-MBRS30H45CTTR Ear99 8541.10.0080 1,600 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 30 ए 900 एमवी @ 30 ए 200 µa @ 45 V -55 ° C ~ 175 ° C
MBRF10200CT-Y Taiwan Semiconductor Corporation MBRF10200CT-Y 0.9400
सराय
 ECAD 997 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक MBRF10200 तमाम ITO-220AB तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-MBRF10200CT-Y Ear99 8541.10.0080 1,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 10 ए 880 mV @ 10 ए 100 µA @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
TS25P02G D2G Taiwan Semiconductor Corporation TS25P02G D2G -
सराय
 ECAD 8513 0.00000000 तमाम - नली Sic में बंद r क rur kay -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4 -टीएस, टीएस -6 पी TS25P02 तमाम टीएस -6 पी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 15 1.1 वी @ 25 ए 10 µA @ 100 वी 25 ए सिंगल फेज़ 100 वी
TSM019NH04LCR RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM019NH04LCR RLG 6.3000
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तमाम Perfet ™ R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur 8-पॉव मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-PDFNU (5x6) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 5,000 n- चैनल 40 वी 35 ए (टीए), 100 टीसी (टीसी टीसी () 4.5V, 10V 1.9MOHM @ 50A, 10V 2.2V @ 250µA 104 एनसी @ 10 वी ± 16V 6282 पीएफ @ 25 वी - 150W (टीसी)
1PGSMA4747H Taiwan Semiconductor Corporation 1PGSMA4747H 0.1156
सराय
 ECAD 4426 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA 1PGSMA4747 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 15.2 V 20 वी 22 ओम
HS3GB R5G Taiwan Semiconductor Corporation HS3GB R5G 0.4488
सराय
 ECAD 5090 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AA, SMB Hs3g तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 3 ए 50 एनएस 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 80pf @ 4v, 1MHz
F1T4GHA0G Taiwan Semiconductor Corporation F1t4gha0g -
सराय
 ECAD 5700 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से टी -18, lectun F1t4 तमाम टीएस -1 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

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AD9208BBPZ-3000

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