SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) तमाम वोलmuth - सराफक - कनरस वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) तमाम वीसीई संतृपthu (अधिकतम) @ आईबी, आईसी, आईबी डीसी rurंट गेन (एचएफई) (मिनट) @ आईसी, वीसीई, वीसीई आवृतmume - संकthirमण
SR210HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SR210HA0G -
सराय
ECAD 8026 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT SR210 schottky DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 850 mV @ 2 ए 100 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
ABS10 Taiwan Semiconductor Corporation ABS10 0.4800
सराय
ECAD 8 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग ABS10 तमाम पेट तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 950 एमवी @ 400 एमए 10 µA @ 1000 V 1 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
UR4KB80-B Taiwan Semiconductor Corporation Ur4kb80-b 1.3200
सराय
ECAD 5 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4- Ur4kb80 तमाम डी 3 के तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 25 1 वी @ 2 ए 10 µa @ 800 V 4 ए सिंगल फेज़ 800 वी
F1T7G Taiwan Semiconductor Corporation F1t7g 0.0742
सराय
ECAD 7966 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से टी -18, lectun F1t7 तमाम टीएस -1 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.3 वी @ 1 ए 500 एनएस 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
BZT52B4V3S Taiwan Semiconductor Corporation BZT52B4V3S 0.0343
सराय
ECAD 8877 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-90, SOD-323F BZT52B 200 सभा Sod -323f तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BZT52B4V3STR Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 2.7 µA @ 1 वी 4.3 वी 90 ओम
BZD17C11P MTG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C11P MTG -
सराय
ECAD 8720 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.45% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD17 800 सभा उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 1.2 वी @ 200 एमए 4 µa @ 8.2 V 11 वी 7 ओम
BZV55C11 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C11 L0G 0.0333
सराय
ECAD 1276 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55C ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 100 gaba @ 8.2 वी 11 वी 20 ओम
TSM4425CS RLG Taiwan Semiconductor Corporation TSM4425CS RLG -
सराय
ECAD 4211 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम TSM4425CSRLG Ear99 8541.29.0095 2,500 पी-पी 30 वी 11 ए (टीसी) 4.5V, 10V 12mohm @ 11a, 10v 3V @ 250µA 64 सना ± 20 वी 3680 पीएफ @ 8 वी - 2.5W (TA)
S10KC R7G Taiwan Semiconductor Corporation S10KC R7G 0.5400
सराय
ECAD 56 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC S10K तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.1 वी @ 10 ए 1 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए 60pf @ 4v, 1MHz
BZT55C62 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C62 L1G -
सराय
ECAD 1269 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZT55 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1 वी @ 10 एमए 100 gaba @ 47 वी 62 वी 150 ओम
RSFKL RHG Taiwan Semiconductor Corporation RSFKL RHG -
सराय
ECAD 3586 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab RSFKL तमाम उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.3 वी @ 500 एमए 500 एनएस 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 500ma 4pf @ 4v, 1MHz
SFS1002GHMNG Taiwan Semiconductor Corporation SFS1002GHMNG -
सराय
ECAD 3064 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB SFS1002 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 975 mV @ 5 ए 35 एनएस 1 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 10 ए 70pf @ 4v, 1MHz
HS1KAL Taiwan Semiconductor Corporation Hs1kal 0.3900
सराय
ECAD 6 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-221ac, sma ktur HS1K तमाम तंग तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.7 वी @ 1 ए 75 एनएस 1 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 8pf @ 4v, 1MHz
BZV55C2V7 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C2V7 L0G 0.0333
सराय
ECAD 9010 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55C ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 10 µa @ 1 वी 2.7 वी 85 ओम
B0530WF RHG Taiwan Semiconductor Corporation B0530WF RHG 0.0786
सराय
ECAD 8858 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123F B0530 schottky सोद -123F तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 500 एमवी @ 500 एमए 130 µA @ 30 V -65 ° C ~ 125 ° C 500ma -
SR204HA0G Taiwan Semiconductor Corporation Sr204ha0g -
सराय
ECAD 7624 0.00000000 तमाम सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT SR204 schottky DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 2 ए 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 2 ए -
BZT55B5V6 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B5V6 L0G 0.0385
सराय
ECAD 3556 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZT55 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 100 gay @ 1 वी 5.6 वी 25 ओम
SFAF1608G Taiwan Semiconductor Corporation SFAF1608G -
सराय
ECAD 3468 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 तमाम ITO-220AC - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1801-SFAF1608G Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 16 ए 35 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 16 ए 100pf @ 4v, 1MHz
MTZJ6V2SB R0G Taiwan Semiconductor Corporation MTZJ6V2SB R0G 0.0305
सराय
ECAD 6699 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से DO-204AG, DO-34, SAUSCUNT Mtzj6 ५०० तंग DO-34 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 5 µa @ 3 वी 6.12 वी 60 ओम
TSM60NB099CF C0G Taiwan Semiconductor Corporation TSM60NB09999CF C0G 12.8700
सराय
ECAD 905 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu TSM60 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक ITO-220S तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.29.0095 4,000 n- चैनल 600 वी 38 ए (टीसी) 10V 99MOHM @ 5.3a, 10v 4V @ 250µA 62 सना ± 30V 2587 पीएफ @ 100 वी - 69W (टीसी)
BZV55C43 L0G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55C43 L0G 0.0333
सराय
ECAD 3776 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55C ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 वी @ 10 एमए 100 gaba @ 32 वी 43 वी 90 ओम
MUR4L40 A0G Taiwan Semiconductor Corporation Mur4l40 a0g -
सराय
ECAD 2285 0.00000000 तमाम - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun Mur4l40 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.28 वी @ 4 ए 50 एनएस 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 175 ° C 4 ए 65pf @ 4v, 1MHz
TSZU52C5V6 RGG Taiwan Semiconductor Corporation TSZU52C5V6 RGG 0.0669
सराय
ECAD 1669 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C (TJ) सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) Tszu52 १५० तंग 0603 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 4,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gay @ 1 वी 5.6 वी 40 ओम
BZD27C36PW Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C36PW 0.4400
सराय
ECAD 405 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur सोड -123W BZD27 1 डब सोड -123W तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 वी @ 200 एमए 1 µa @ 27 V 36 वी 40 ओम
SFA806G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA806G C0G -
सराय
ECAD 6768 0.00000000 तमाम - नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-2 SFA806 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 8 ए 35 एनएस 10 µA @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए 60pf @ 4v, 1MHz
MBS10 Taiwan Semiconductor Corporation MBS10 0.5200
सराय
ECAD 3 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 4-‘(0.173", 4.40 मिमी ranak) MBS10 तमाम एमबीएस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 1 वी @ 1.5 ए 5 µA @ 1000 V 800 सना हुआ सिंगल फेज़ 1 केवी
BC848A Taiwan Semiconductor Corporation BC848A 0.0334
सराय
ECAD 7604 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BC848 200 सभा एसओटी -23 तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 1801-BC848ATR Ear99 8541.21.0075 9,000 30 वी 100 सवार 100NA (ICBO) एनपीएन 500mv @ 5ma, 100ma 110 @ 2MA, 5V 100MHz
BZV55B39 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZV55B39 L1G -
सराय
ECAD 8851 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 BZV55B ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1 वी @ 100 एमए 100 kay @ 28 वी वी 39 वी 90 ओम
BZD27C8V2P RUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C8V2P SALA -
सराय
ECAD 9122 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.09% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD27 1 डब उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 3 वी 8.2 वी 2 ओम
BZD17C24P MHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD17C24P MHG -
सराय
ECAD 5745 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.83% -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ab BZD17 800 सभा उप एसएमए तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 18 V 24 वी 15 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम