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अफ़र्याशाहस (1242)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) तमाम वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) अफ़मू - रत्य (वीटीएम) (वीटीएम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सराफक - ऑफ स स तपस्वी तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @
BTA201-800ER,116 WeEn Semiconductors BTA201-800ER, 116 0.6600
सराय
 ECAD 9 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) BTA201 से 92-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 2,000 कसना 12 सना हुआ सराफक 800 वी 1 ए 1.5 वी 12.5 ए, 13.7 ए ए 10 सना हुआ
ACTT12B-800CTNJ WeEn Semiconductors Actt12B-800CTNJ 0.4747
सराय
 ECAD 2279 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Actt12 D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 800 कसना ३० सना हुआ तमाम 800 वी 12 ए 1 वी 120 ए, 132 ए ३५ सना हुआ
BT139B-800,118 WeEn Semiconductors BT139B-800,118 0.4596
सराय
 ECAD 2808 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BT139 D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 800 कसना ४५ सना हुआ तमाम 800 वी 16 ए 1.5 वी 155 ए, 170 ए ३५ सना हुआ
BTA310X-600E,127 WeEn Semiconductors BTA310X-600E, 127 0.4340
सराय
 ECAD 1182 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BTA310 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934066175127 Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना 15 सना हुआ तमाम 600 वी 10 ए 1.5 वी 85 ए, 93 ए 10 सना हुआ
BT139-800G,127 WeEn Semiconductors BT139-800G, 127 0.4144
सराय
 ECAD 1650 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BT139 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना 60 सना हुआ तमाम 800 वी 16 ए 1.5 वी 155 ए, 170 ए ५० सदा
BTA316Y-800BTQ WeEn Semiconductors BTA316Y-800BTQ 0.4671
सराय
 ECAD 2344 0.00000000 तिहाई - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 थलग-टैब टैब BTA316 IITO-220E तंग Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना 60 सना हुआ तमाम 800 वी 16 ए 1 वी 160 ए, 176 ए ५० सदा
ACT108-800EEP WeEn Semiconductors ACT108-800EP 0.1606
सराय
 ECAD 6786 0.00000000 तिहाई - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Act108 से 92-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934068417412 Ear99 8541.30.0080 5,000 कसना २० सना हुआ सराफक 800 वी 800 सना हुआ 1 वी 13 ए, 14.3 ए 10 सना हुआ
BTA312-600E,127 WeEn Semiconductors BTA312-600E, 127 0.4521
सराय
 ECAD 4811 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BTA312 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 कसना 15 सना हुआ सराफक 600 वी 12 ए 1.5 वी 95 ए, 105 ए 10 सना हुआ
WBSF30FC120ALV WeEn Semiconductors WBSF30FC120ALV 1.2113
सराय
 ECAD 1167 0.00000000 तिहाई - थोक शिर सतह rurcur शराबी WBSF30 तमाम एक प्रकार का होना तंग Ear99 8541.10.0080 1 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1200 वी 3.5 वी @ 30 ए 65 एनएस 250 µA @ 1200 V 175 ° C 30 ए -
WN3S40H100CXQ WeEn Semiconductors WN3S40H100CXQ 1.1200
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक WN3S40 schottky To-220f तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 20 ए 710 mV @ 20 ए 50 µa @ 100 वी 150 ° C
WNSC5D04650D6J WeEn Semiconductors WNSC5D04650D6J -
सराय
 ECAD 6469 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 WNSC5 Sic (सिलिकॉन antairchama) डीपैक - 1740-WNSC5D04650D6JTR Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 4 ए 0 एनएस 20 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 4 ए 138pf @ 1V, 1MHz
WNSC5D08650X6Q WeEn Semiconductors WNSC5D08650X6Q -
सराय
 ECAD 4656 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC5 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC - 1740-WNSC5D08650X6Q Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 40 @a @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 8 ए 267PF @ 1V, 1MHz
Z0103NA,412 WeEn Semiconductors Z0103NA, 412 0.1150
सराय
 ECAD 1068 0.00000000 तिहाई - थोक शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-226-3, to-92-3 (to-226aa) Z0103 से 92-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 5,000 कसना 7 सारा सराफक 800 वी 1 ए 1.3 वी 8 ए, 8.5 ए ३ तंग
BT151-650LTFQ WeEn Semiconductors BT151-650LTFQ 0.5800
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BT151 टू -220 एबी तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 २० सना हुआ 650 वी 12 ए 1 वी 120 ए, 132 ए ५ सदाचार 1.5 वी 7.5 ए 10 µa तंग
WNSC5D10650X6Q WeEn Semiconductors WNSC5D10650X6Q -
सराय
 ECAD 1726 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC5 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC - 1740-WNSC5D10650X6Q Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 10 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 10 ए 323pf @ 1V, 1MHz
BYC60W-1200PQ WeEn Semiconductors BYC60W-1200PQ 3.3854
सराय
 ECAD 3177 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 BYC60 तमाम से 247-2 तंग Ear99 8541.10.0080 450 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1200 वी 3.3 वी @ 60 ए 96 एनएस 250 µA @ 1200 V 175 ° C 60 ए -
OT332,127 WeEn Semiconductors OT332,127 -
सराय
 ECAD 4439 0.00000000 तिहाई - नली Sic में बंद r क rur kay - होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक OT332 To-220f - रोहस 1 (असीमित) 934052610127 Ear99 8541.30.0080 50 कसना तमाम -
WNSC5D066506Q WeEn Semiconductors WNSC5D066506Q -
सराय
 ECAD 6859 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC5 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC - 1740-WNSC5D066506Q Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 6 ए 0 एनएस 30 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 6 ए 201pf @ 1V, 1MHz
WND10M600XQ WeEn Semiconductors WND10M600XQ 0.3419
सराय
 ECAD 9013 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 से, पृथक, टैब टैब पृथक टैब Wnd10 तमाम To-220f तंग Ear99 8541.10.0080 1,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 980 mV @ 10 ए 10 µA @ 600 V 150 ° C 10 ए -
WNSC2D151200W6Q WeEn Semiconductors WNSC2D151200W6Q 2.8554
सराय
 ECAD 4612 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग Ear99 8541.10.0080 600 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.7 वी @ 15 ए 0 एनएस 150 @a @ 1200 V 175 ° C 15 ए 700pf @ 1V, 1MHz
WNSC5D06650X6Q WeEn Semiconductors WNSC5D06650X6Q -
सराय
 ECAD 8729 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC5 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC - 1740-WNSC5D06650X6Q Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 6 ए 0 एनएस 30 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 6 ए 201pf @ 1V, 1MHz
WNSC5D30650CW6Q WeEn Semiconductors WNSC5D30650CW6Q -
सराय
 ECAD 9895 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 WNSC5 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 - 1740-WNSC5D30650CW6Q Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 30 ए 1.7 वी @ 15 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C
WNSC208006Q WeEn Semiconductors WNSC208006Q -
सराय
 ECAD 5632 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC - Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 800 वी 1.7 वी @ 20 ए 0 एनएस 450 µA @ 800 V 175 ° C 20 ए 655pf @ 1V, 1MHz
TYN20-600TQ WeEn Semiconductors TYN20-600TQ 0.3918
सराय
 ECAD 7728 0.00000000 तिहाई - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 TYN20 To-220e तंग Ear99 8541.30.0080 1,000 40 सना 600 वी 20 ए 1 वी 230 ए, 253 ए ३२ सदा 1.5 वी 12.7 ए 1 तंग तंग
WNSC5D20650CW6Q WeEn Semiconductors WNSC5D20650CW6Q -
सराय
 ECAD 1487 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 WNSC5 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 - 1740-WNSC5D20650CW6Q Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 20 ए 1.7 वी @ 20 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C
WNSC2D201200WQ WeEn Semiconductors WNSC2D201200WQ 8.3600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1740-WNSC2D201200WQ Ear99 8541.10.0080 600 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.8 वी @ 20 ए 0 एनएस 200 @a @ 1200 वी 175 ° C 20 ए 845pf @ 1V, 1MHz
NCR100Q-6MX WeEn Semiconductors NCR100Q-6MX 0.0773
सराय
 ECAD 2106 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur To-243aa NCR100 SOT-89 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 ५ सदाचार 600 वी 800 सना हुआ 1 वी 8 ए, 9 ए 100 µa 1.7 वी 510 एमए 100 सवार अफ़राह
NXPLQSC106506Q WeEn Semiconductors NXPLQSC106506Q 2.1450
सराय
 ECAD 4977 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से To-220-2 NXPLQSC Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग 1 (असीमित) 934072074127 Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.85 वी @ 10 ए 0 एनएस 230 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए 250pf @ 1V, 1MHz
BYC30WT-600PSQ WeEn Semiconductors BYC30WT-600PSQ 1.3879
सराय
 ECAD 4791 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 BYC30 तमाम To-247-3 तंग Ear99 8541.10.0080 600 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.75 वी @ 30 ए 35 एनएस 10 µA @ 600 V 175 ° C 30 ए -
TYN30Y-800TQ WeEn Semiconductors TYN30Y-800TQ 1.3100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 थलग-टैब टैब TYN30 IITO-220E तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 60 सना हुआ 800 वी 30 ए 1 वी 350 ए, 385 ए 15 सना हुआ 1.5 वी 19 ए 1 तंग तंग
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

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AD9208BBPZ-3000

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