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अफ़र्याशाहस (1242)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम अफ़रप तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) R पruguth की स तमाम वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) अफ़मू - रत्य (वीटीएम) (वीटीएम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सराफक - ऑफ स स तपस्वी तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) सराफक - अफ़र Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic शिरक तमाम Td (ranah/बंद) @ 25 ° C
ACTT4X-800C/DGQ WeEn Semiconductors Actt4x-800c/dgq 0.8100
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक Actt4 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 कसना ३५ सना हुआ सराफक 800 वी 4 ए 1 वी 35 ए, 39 ए ३५ सना हुआ
WNSC101200Q WeEn Semiconductors WNSC101200Q 5.1150
सराय
 ECAD 2927 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC1 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.6 वी @ 10 ए 0 एनएस 110 @a @ 1200 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 10 ए 510pf @ 1V, 1MHz
MURS160BJ WeEn Semiconductors Murs160bj 0.4300
सराय
 ECAD 8 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB Murs1 तमाम एसएमबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.25 वी @ 1 ए 75 एनएस 5 µA @ 600 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 1 क -
TYN80W-1600TQ WeEn Semiconductors TYN80W-1600TQ 6.7600
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 TYN80 To-247-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 30 200 एमए 1.6 केवी 126 ए 1 वी 850 ए, 930 ए 80 सना हुआ 1.47 वी 80 ए 10 सना हुआ तंग
NCR125W-125MX WeEn Semiconductors NCR125W-125MX 0.1438
सराय
 ECAD 6669 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) सतह rurcur To-261-4, to-261aa NCR125 एससी -73 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 10 सना हुआ 1.25 केवी 1.25 ए 800 एम.वी. 20 ए, 22 ए 100 µa 1.5 वी 800 सना हुआ 1 तंग अफ़राह
TYN50W-1600TQ WeEn Semiconductors TYN50W-1600TQ 2.1414
सराय
 ECAD 2577 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 TYN50 To-247-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 240 200 एमए 1.6 केवी 79 ए 1 वी 650A, 715A 80 सना हुआ 1.3 वी 50 ए 10 सना हुआ तंग
WNS40H100CGQ WeEn Semiconductors WNS40H100CGQ 0.6930
सराय
 ECAD 1458 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa WNS40 schottky To-262 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) - 100 वी 20 ए 710 mV @ 20 ए 50 µa @ 100 वी 150 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
WNSC2D08650TJ WeEn Semiconductors WNSC2D08650TJ 1.2300
सराय
 ECAD 3930 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) 5-((8x8) तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 40 @a @ 650 V 175 ° C 8 ए 260pf @ 1V, 1MHz
WNSC2D10650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D10650DJ 2.7300
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 10 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V 175 ° C 10 ए 310pf @ 1V, 1MHz
BTA308X-800C0,127 WeEn Semiconductors BTA308X-800C0,127 0.6400
सराय
 ECAD 16 0.00000000 तिहाई C0 नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BTA308 To-220f तंग रोहस अफ़मार तंग 1740-BTA308X-800C0,127 Ear99 8541.30.0080 50 कसना ५० सदा वैकलmut - सmurलेस 800 वी 8 ए 1 वी 60 ए, 65 ए ३५ सना हुआ
BTA425Z-800CTQ WeEn Semiconductors BTA425Z-800CTQ 2.4300
सराय
 ECAD 75 0.00000000 तिहाई सीटी नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 BTA425 टू -3 पी तंग रोहस अफ़मार तंग 1740-BTA425Z-800CTQ Ear99 8541.30.0080 30 कसना ५० सदा सराफक 800 वी 25 ए 1.3 वी 250 ए, 275 ए ३५ सना हुआ
WNSC2D06650TJ WeEn Semiconductors WNSC2D06650TJ 1.9200
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) 5-((8x8) - रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 6 ए 0 एनएस 30 µA @ 650 V 175 ° C 6 ए 198pf @ 1V, 1MHz
WNSC2D06650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D06650DJ 1.7300
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 6 ए 0 एनएस 30 µA @ 650 V 175 ° C 6 ए 198pf @ 1V, 1MHz
WNSC2D04650DJ WeEn Semiconductors WNSC2D04650DJ 1.3000
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 4 ए 0 एनएस 20 µA @ 650 V 175 ° C 4 ए 125pf @ 1V, 1MHz
BTA416X-800BTQ WeEn Semiconductors BTA416X-800BTQ 0.9300
सराय
 ECAD 1 0.00000000 तिहाई बी नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BTA416 To-220f तंग रोहस अफ़मार तंग 1740-BTA416X-800BTQ Ear99 8541.30.0080 50 कसना 60 सना हुआ सराफक 800 वी 16 ए 1 वी 160 ए, 176 ए ५० सदा
WG50N65DHWQ WeEn Semiconductors WG50N65DHWQ 3.5500
सराय
 ECAD 754 0.00000000 तिहाई - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 WG50N65D तमाम 278 डब To-247-3 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 1740-WG50N65DHWQ Ear99 8541.29.0095 600 400V, 50A, 10Ohm, 15V 105 एनएस क्योरस कांवस 650 वी 91 ए 200 ए 2V @ 15V, 50 ए 1.7MJ (ON), 600) J (OFF) 160 एनसी 66NS/163NS
NXPSC166506Q WeEn Semiconductors NXPSC166506Q 6.5300
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से To-220-2 NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 16 ए 0 एनएस 100 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 16 ए 534pf @ 1V, 1MHz
WNSC06650T6J WeEn Semiconductors WNSC06650T6J 2.8400
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को WNSC0 Sic (सिलिकॉन antairchama) 5-((8x8) तंग 1 (असीमित) 1740-WNSC06650T6JCT Ear99 8541.10.0080 3,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 6 ए 0 एनएस 40 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 6 ए 190pf @ 1V, 1MHz
WNSC08650T6J WeEn Semiconductors WNSC08650T6J 1.7160
सराय
 ECAD 6617 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को WNSC0 Sic (सिलिकॉन antairchama) 5-((8x8) तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 8 ए 267PF @ 1V, 1MHz
NXPSC126506Q WeEn Semiconductors NXPSC126506Q 3.4650
सराय
 ECAD 6107 0.00000000 तिहाई - नली तंग होल के kaytaumauth से To-220-2 NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 12 ए 0 एनएस 80 @a @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 12 ए 380pf @ 1V, 1MHz
NXPSC16650B6J WeEn Semiconductors NXPSC16650B6J 4.0425
सराय
 ECAD 8520 0.00000000 तिहाई - नली तंग सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB NXPSC Sic (सिलिकॉन antairchama) D2PAK तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 800 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 16 ए 0 एनएस 100 µA @ 650 V 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 16 ए 534pf @ 1V, 1MHz
WNSC6D10650Q WeEn Semiconductors WNSC6D10650Q 3.2800
सराय
 ECAD 945 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC6 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग 1 (असीमित) 1740-WNSC6D10650Q Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.45 वी @ 10 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 10 ए 500pf @ 1V, 1MHz
WNSC6D04650Q WeEn Semiconductors WNSC6D04650Q 0.9000
सराय
 ECAD 8930 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC6 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग 1 (असीमित) 1740-WNSC6D04650Q Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.4 वी @ 4 ए 0 एनएस 30 µA @ 650 V 175 ° C 4 ए 233pf @ 1V, 1MHz
WNSC6D20650WQ WeEn Semiconductors WNSC6D20650WQ 6.6800
सराय
 ECAD 529 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 WNSC6 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग 1 (असीमित) 1740-WNSC6D20650WQ Ear99 8541.10.0080 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.4 वी @ 20 ए 0 एनएस 100 µA @ 650 V 175 ° C 20 ए 1200pf @ 1V, 1MHz
WNSC6D06650Q WeEn Semiconductors WNSC6D06650Q 1.2375
सराय
 ECAD 9878 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC6 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग 1 (असीमित) 1740-WNSC6D06650Q Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.4 वी @ 6 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V 175 ° C 6 ए 327PF @ 1V, 1MHz
BT137-600/L01127 WeEn Semiconductors BT137-600/L01127 -
सराय
 ECAD 1012 0.00000000 तिहाई * थोक शिर तंग सराय तमाम 2156-BT137-600/L01127-1740 Ear99 8541.30.0080 780
BTA208X-1000C0/L01127 WeEn Semiconductors BTA208X-1000C0/L01127 -
सराय
 ECAD 4575 0.00000000 तिहाई * थोक शिर तंग सराय तमाम 2156-BTA208X-1000C0/L01127-1740 Ear99 8541.30.0080 1
WNSC2D20650CJQ WeEn Semiconductors WNSC2D20650CJQ 3.4196
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 3PF तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 480 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 650 वी 20 ए 1.7 वी @ 10 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V 175 ° C
WNSC2D401200CWQ WeEn Semiconductors WNSC2D401200CWQ -
सराय
 ECAD 6580 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-247-3 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 600 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 40 ए 1.8 वी @ 20 ए 0 एनएस 200 @a @ 1200 वी 175 ° C
WNSC2D08650Q WeEn Semiconductors WNSC2D08650Q 2.4700
सराय
 ECAD 5 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 1740-WNSC2D08650Q Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 40 @a @ 650 V 175 ° C 8 ए 260pf @ 1V, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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