SIC
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अफ़र्याशाहस (1242)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तमाम सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तमाम वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) अफ़मू - रत्य (वीटीएम) (वीटीएम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सराफक - ऑफ स स तपस्वी तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth -
TYN50Y-800TQ WeEn Semiconductors TYN50Y-800TQ 0.6165
सराय
 ECAD 8676 0.00000000 तिहाई - थोक शिर -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 थलग-टैब टैब TYN50 टू -220 एबी तंग Ear99 8541.30.0080 1,000 60 सना हुआ 800 वी 50 ए 1.2 वी 500 ए, 550 ए 15 सना हुआ 1.65 वी 32 ए 5 µa तंग
WNSCM80120WQ WeEn Semiconductors WNSCM80120WQ 8.2460
सराय
 ECAD 4369 0.00000000 तिहाई - थोक शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 WNSCM80120 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-247-3 - Ear99 8541.29.0095 600 n- चैनल 1200 वी 42 ए (टीए) 20 वी 98MOHM @ 20A, 20V 4.5V @ 6MA ५ ९ सराय @ २० वी +25v, -10v 1350 पीएफ @ 1000 वी - 230W (TA)
WNSCM80120RQ WeEn Semiconductors WNSCM80120RQ 9.2597
सराय
 ECAD 3688 0.00000000 तिहाई - थोक शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-4 WNSCM80120 मोसफेट (vamauk ऑक t ऑक ऑक To-247-4L - Ear99 8541.29.0095 240 n- चैनल 1200 वी 45 ए (टीए) 20 वी 98MOHM @ 20A, 20V 4.5V @ 6MA ५ ९ सराय @ २० वी +25v, -10v 1350 पीएफ @ 1000 वी - 270W (TA)
WNS40H100C,127 WeEn Semiconductors WNS40H100C, 127 0.4247
सराय
 ECAD 3137 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 WNS40 schottky To-220e तंग Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 20 ए 710 mV @ 20 ए 50 µa @ 100 वी 150 ° C
WNB2560MQ WeEn Semiconductors WNB2560MQ 1.6165
सराय
 ECAD 1893 0.00000000 तिहाई - थोक शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, जीबीजे WNB2560 तमाम जीबीजेएस तंग Ear99 8541.10.0080 600 920 mV @ 12.5 ए 10 µA @ 600 V 25 ए सिंगल फेज़ 600 वी
BTA203-800CTQP WeEn Semiconductors BTA203-800CTQP 0.1530
सराय
 ECAD 6004 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) BTA203 से 92-3 तंग Ear99 8541.30.0080 10,000 कसना ३० सना हुआ तमाम 800 वी 3 ए 1 वी 27 ए, 30 ए ३० सना हुआ
BTA330B-800BTJ WeEn Semiconductors BTA330B-800BTJ 0.7482
सराय
 ECAD 7686 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BTA330 D2PAK तंग Ear99 8541.30.0080 800 कसना 75 सना हुआ तमाम 800 वी 30 ए 1.3 वी 270 ए, 297 ए ५० सदा
BTA330B-800CTJ WeEn Semiconductors BTA330B-800CTJ 0.7482
सराय
 ECAD 5521 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BTA330 D2PAK तंग Ear99 8541.30.0080 800 कसना ५० सदा तमाम 800 वी 30 ए 1.3 वी 270 ए, 297 ए ३५ सना हुआ
WNSC2D301200CW6Q WeEn Semiconductors WNSC2D301200CW6Q 5.6835
सराय
 ECAD 3501 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग Ear99 8541.10.0080 600 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 30 ए 1.7 वी @ 15 ए 0 एनएस 150 @a @ 1200 V 175 ° C
WNSC2D201200CW6Q WeEn Semiconductors WNSC2D201200CW6Q 4.1890
सराय
 ECAD 5335 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग Ear99 8541.10.0080 600 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 20 ए 1.65 वी @ 10 ए 0 एनएस 110 @a @ 1200 V 175 ° C
WBST080SCM120CGALW WeEn Semiconductors WBST080SCM120CGALW 11.6617
सराय
 ECAD 9134 0.00000000 तिहाई - थोक शिर WBST080 - 1
WNSC2D0512006Q WeEn Semiconductors WNSC2D0512006Q 0.8343
सराय
 ECAD 8420 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC तंग Ear99 8541.10.0080 1,000 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.6 वी @ 5 ए 0 एनएस 25 @a @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 5 ए 260pf @ 1V, 1MHz
BYV60W-600PSQ WeEn Semiconductors BYV60W-600PSQ 2.0689
सराय
 ECAD 1643 0.00000000 तिहाई - थोक शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 BYV60 तमाम से 247-2 तंग Ear99 8541.10.0080 600 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2 वी @ 60 ए 55 एनएस 10 µA @ 600 V 175 ° C 60 ए -
WNSC5D08650T6J WeEn Semiconductors WNSC5D08650T6J -
सराय
 ECAD 2007 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को WNSC5 Sic (सिलिकॉन antairchama) 5-((8x8) - 1740-WNSC5D08650T6JTR Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 8 ए 0 एनएस 40 @a @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 8 ए 267PF @ 1V, 1MHz
WNSC2D0212006Q WeEn Semiconductors WNSC2D0212006Q -
सराय
 ECAD 5726 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC2 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC - 1740-WNSC2D0212006Q Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.6 वी @ 2 ए 0 एनएस 10 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 2 ए 95pf @ 1V, 1MHz
WNSC5D04650X6Q WeEn Semiconductors WNSC5D04650X6Q -
सराय
 ECAD 5301 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 WNSC5 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-220AC - 1740-WNSC5D04650X6Q Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 4 ए 0 एनएस 20 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 4 ए 138pf @ 1V, 1MHz
WNSC5D10650W6Q WeEn Semiconductors WNSC5D10650W6Q -
सराय
 ECAD 4282 0.00000000 तिहाई - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 WNSC5 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 - 1740-WNSC5D10650W6Q Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 10 ए 0 एनएस 50 µa @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 10 ए 323pf @ 1V, 1MHz
WNSC04650LJ WeEn Semiconductors WNSC04650LJ -
सराय
 ECAD 6166 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) तंग सतह rurcur ४-वीएसएफएन ने ने पैड को को को को को WNSC0 Sic (सिलिकॉन antairchama) 5-((8x8) - Ear99 8541.10.0080 1 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.7 वी @ 4 ए 0 एनएस 25 µA @ 650 V 175 ° C 4 ए 141pf @ 1V, 1MHz
BTA212-600B,127 WeEn Semiconductors BTA212-600B, 127 0.3767
सराय
 ECAD 6431 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 BTA212 टू -220 एबी तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 कसना 60 सना हुआ तमाम 600 वी 12 ए 1.5 वी 95 ए, 105 ए ५० सदा
BTA202X-600E,127 WeEn Semiconductors BTA202X-600E, 127 0.2906
सराय
 ECAD 1064 0.00000000 तिहाई - नली शिर 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BTA202 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 1,000 कसना 12 सना हुआ सराफक 600 वी 2 ए 1.5 वी 14 ए, 15.4 ए 10 सना हुआ
BT1308W-600D,135 WeEn Semiconductors BT1308W-600D, 135 0.0892
सराय
 ECAD 2173 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur To-261-4, to-261aa BT1308 एससी -73 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934060158135 Ear99 8541.30.0080 4,000 कसना 10 सना हुआ सराफक 600 वी 800 सना हुआ 2 वी 9 ए, 10 ए ५ सदाचार
BTA316B-600B,118 WeEn Semiconductors BTA316B-600B, 118 1.2300
सराय
 ECAD 7 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BTA316 D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 800 कसना 60 सना हुआ तमाम 600 वी 16 ए 1.5 वी 140 ए, 150 ए ५० सदा
BT137S-600F,118 WeEn Semiconductors BT137S-600F, 118 0.2677
सराय
 ECAD 7225 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 BT137 डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 2,500 कसना २० सना हुआ तमाम 600 वी 8 ए 1.5 वी 65 ए, 71 ए २५ सना हुआ
BTA204S-600B,118 WeEn Semiconductors BTA204S-600B, 118 0.7000
सराय
 ECAD 23 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 BTA204 डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 2,500 कसना ३० सना हुआ तमाम 600 वी 4 ए 1.5 वी 25 ए, 27 ए ५० सदा
BTA312B-800C,118 WeEn Semiconductors BTA312B-800C, 118 1.1800
सराय
 ECAD 4 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BTA312 D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 800 कसना ३५ सना हुआ तमाम 800 वी 12 ए 1.5 वी 95 ए, 105 ए ३५ सना हुआ
BTA312B-800E,118 WeEn Semiconductors BTA312B-800E, 118 0.4747
सराय
 ECAD 5739 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BTA312 D2PAK तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 800 कसना 15 सना हुआ सराफक 800 वी 12 ए 1.5 वी 95 ए, 105 ए 10 सना हुआ
BT1308W-400D,135 WeEn Semiconductors BT1308W-400D, 135 0.0892
सराय
 ECAD 3269 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर 125 ° C (TJ) सतह rurcur To-261-4, to-261aa BT1308 एससी -73 तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) 934060159135 Ear99 8541.30.0080 4,000 कसना 10 सना हुआ सराफक 400 वी 800 सना हुआ 2 वी 9 ए, 10 ए ५ सदाचार
BT151S-650R,118 WeEn Semiconductors BT151S-650R, 118 0.8100
सराय
 ECAD 6 0.00000000 तिहाई - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 BT151 डीपैक तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 2,500 २० सना हुआ 650 वी 12 ए 1.5 वी 120 ए, 132 ए 15 सना हुआ 1.75 वी 7.5 ए 500 µa तंग
BTA206X-800ET,127 WeEn Semiconductors BTA206X-800ET, 127 0.8700
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तिहाई - नली शिर 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-220-3 righ पैक, पृथक टैब टैब पृथक टैब पृथक BTA206 To-220f तंग रोहस अफ़मार 1 (असीमित) Ear99 8541.30.0080 50 कसना 15 सना हुआ सराफक 800 वी 6 ए 1.5 वी 60 ए, 66 ए 10 सना हुआ
OP533,005 WeEn Semiconductors OP533,005 0.3375
सराय
 ECAD 5733 0.00000000 तिहाई * शिर शिर Op533 - - 1 (असीमित) 0000.00.0000 1 -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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