SIC
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अफ़र्याशियस (13)

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तकनीकी सराफकस तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तमाम सthirोत lect (vdss) के के kaya सराफक - rayryr kanak (आईडी) @ ​​25 डrasauth वोलtun Theirडीएस ऑन (मैकtun) @ आईडी, वीजीएस, वीजीएस, वीजीएस Vgs (th) (अधिकतम) @ id अफ़राह (qg) (अधिकतम) @ vgs वीजीएस (अधिकतम) इनपुट कैपेसिटेंस (Ciss) (अधिकतम) @ vds फेट ray शकmuth अपव तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @
IV1D12020T3 Inventchip IV1D12020T3 17.9500
सराय
 ECAD 120 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 4084-IV1D12020T3 Ear99 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 30 ए (डीसी) 1.8 वी @ 20 ए 0 एनएस 100 µA @ 1200 वी -55 ° C ~ 175 ° C
IV1D12010O2 Inventchip IV1D12010O2 11.0300
सराय
 ECAD 190 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220-2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 4084-IV1D12010O2 Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.8 वी @ 10 ए 0 एनएस 50 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 28 ए 575pf @ 1V, 1MHz
IV1D06006P3 Inventchip IV1D06006P3 4.2300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 Sic (सिलिकॉन antairchama) TO-252-3 तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) Ear99 8541.10.0080 2,500 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.65 वी @ 6 ए 0 एनएस 10 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 16.7 ए 224pf @ 1V, 1MHz
IV1D12015T2 Inventchip IV1D12015T2 13.6300
सराय
 ECAD 120 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 4084-IV1D12015T2 Ear99 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.8 वी @ 15 ए 0 एनएस 80 @a @ 1200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 44 ए 888pf @ 1V, 1MHz
IV1D12020T2 Inventchip IV1D12020T2 17.9500
सराय
 ECAD 120 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 4084-IV1D12020T2 Ear99 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.8 वी @ 20 ए 0 एनएस 120 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 54 ए 1114pf @ 1V, 1MHz
IV1D12030U3 Inventchip IV1D12030U3 23.8500
सराय
 ECAD 110 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-247-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 4084-IV1D12030U3 Ear99 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 44 ए (डीसी) 1.8 वी @ 15 ए 0 एनएस 80 @a @ 1200 वी -55 ° C ~ 175 ° C
IV1Q12050T4 Inventchip IV1Q12050T4 38.5000
सराय
 ECAD 4491 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-4 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) To-247-4 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 4084-IV1Q12050T4 Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 1200 वी 58 ए (टीसी) 20 वी 65MOHM @ 20A, 20V 3.2V @ 6MA 120 सना +20V, -5V 2750 पीएफ @ 800 वी - 344W (टीसी)
IV1Q12050T3 Inventchip IV1Q12050T3 37.4900
सराय
 ECAD 3 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-3 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) To-247-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 4084-IV1Q12050T3 Ear99 8541.29.0095 30 n- चैनल 1200 वी 58 ए (टीसी) 20 वी 65MOHM @ 20A, 20V 3.2V @ 6MA 120 सना +20V, -5V 2770 पीएफ @ 800 वी - 327W (टीसी)
IV1D12010T2 Inventchip IV1D12010T2 11.0300
सराय
 ECAD 110 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 4084-IV1D12010T2 Ear99 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.8 वी @ 10 ए 0 एनएस 50 µa @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 30 ए 575pf @ 1V, 1MHz
IV1Q12160T4 Inventchip IV1Q12160T4 18.7400
सराय
 ECAD 106 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से To-247-4 Sicfet (सिलिकॉन railaircaphauna) To-247-4 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 4084-IV1Q12160T4 Ear99 30 n- चैनल 1200 वी 20 ए (टीसी) 20 वी 195MOHM @ 10A, 20V 2.9V @ 1.9ma 43 सना +20V, -5V 885 पीएफ @ 800 वी - 138W (टीसी)
IV1D12005O2 Inventchip IV1D12005O2 6.1300
सराय
 ECAD 164 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220-2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 4084-IV1D12005O2 Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1200 वी 1.8 वी @ 5 ए 0 एनएस 30 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 175 ° C 17 ए 320pf @ 1V, 1MHz
IV1D06006O2 Inventchip IV1D06006O2 4.0900
सराय
 ECAD 136 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) To-220-2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 4084-IV1D06006O2 Ear99 8541.10.0080 50 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 650 वी 1.65 वी @ 6 ए 0 एनएस 10 µA @ 650 V -55 ° C ~ 175 ° C 17.4a 212pf @ 1V, 1MHz
IV1D12040U2 Inventchip IV1D12040U2 27.8300
सराय
 ECAD 120 0.00000000 तमाम - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 Sic (सिलिकॉन antairchama) से 247-2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 4084-IV1D12040U2 Ear99 30 कोई r पुन rachauramauthuthuth समय> 500ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 102 ए (डीसी) 1.8 वी @ 40 ए 0 एनएस 200 @a @ 1200 वी -55 ° C ~ 175 ° C
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम

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SIC
AD9208BBPZ-3000

196-LFBGA उजागर पैड

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