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अफ़र्यास

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म शराबी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) अफ़मू - रत्य (वीटीएम) (वीटीएम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सराफक - ऑफ स स तपस्वी तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ सियार, अफ़र तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
VS-HFA16TB120-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA16TB120-M3 2.3000
सराय
 ECAD 578 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी हेकthaurेड® नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 HFA16 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1200 वी 3.93 वी @ 32 ए 135 एनएस 20 µA @ 1200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 16 ए -
RS2B-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS2B-E3/52T 0.4200
सराय
 ECAD 2 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB RS2B तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.3 वी @ 1.5 ए 150 एनएस 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 20pf @ 4v, 1MHz
70U160D Vishay General Semiconductor - Diodes Division 70U160D -
सराय
 ECAD 1687 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अफ़सीर Do-205ab, do-9, s सmum 70U160 तमाम DO-205AB (DO-9) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम *70U160D Ear99 8541.10.0080 12 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1600 वी 1.3 वी @ 785 ए 60 सना हुआ @ 1600 वी -40 ° C ~ 200 ° C 250A -
VS-ST300S20P0PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST300S20P0PBF 200.0100
सराय
 ECAD 7359 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से 209ae, से -118-4, lestun एसटी 300 से -209ae (से -118) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 6 ६०० सना हुआ 2 kv 470 ए 3 वी 8000A, 8380A 200 एमए 1.66 वी 300 ए ३० सना हुआ तंग
VLZ2V7-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ2V7-GS08 -
सराय
 ECAD 9623 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, VLZ R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण Vlz2v7 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 2.7 वी 100 ओम
VS-MBRB2045CT-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB2045CT-M3 0.7623
सराय
 ECAD 7165 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB2045 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 10 ए 570 mV @ 10 ए 100 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C
SE80PWD-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se80pwd-m3/i 0.2393
सराय
 ECAD 3581 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 SE80 तमाम कांपना तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8541.10.0080 4,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.12 वी @ 8 ए 2.4 ग्रोन्स 15 µa @ 200 वी -40 ° C ~ 175 ° C 8 ए 58PF @ 4V, 1MHz
VSS8D2M12HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSS8D2M12HM3/H 0.4400
सराय
 ECAD 3 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-221ac, sma ktur S8D2 schottky Slimsmaw (do-221ad) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 120 वी 600 mV @ 1 ए 250 µA @ 120 V -40 ° C ~ 175 ° C 1.9 ए 220pf @ 4v, 1MHz
VS-ST230S12P0VPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST230S12P0VPBF 113.9400
सराय
 ECAD 9 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -209ab, to-93-4 से एसटी 230 से -209AB (से 93) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 12 ६०० सना हुआ 1.2 केवी 360 ए 3 वी 4800A, 5000A १५० सना हुआ 1.55 वी 230 ए ३० सना हुआ तंग
MBRB16H50HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB16H50HE3/45 -
सराय
 ECAD 5889 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB16 schottky To-263ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 730 mV @ 16 ए 100 µa @ 50 V -65 ° C ~ 175 ° C 16 ए -
AS3PKHM3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AS3PKHM3/87A -
सराय
 ECAD 7882 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन AS3 कांपना To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 6,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 920 mV @ 1.5 ए 1.2 µs 10 µa @ 800 V -55 ° C ~ 175 ° C 2.1a 37PF @ 4V, 1MHz
MMBZ5253B-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5253B-G3-18 -
सराय
 ECAD 1843 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5253 २२५ सदाचार -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 100 सवार @ 19 वी 25 वी 35 ओम
VS-VSKH142/08PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKH142/08PBF 74.3653
सराय
 ECAD 3646 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) अँगुला इंट-ए-rana (3 + 4) VSKH142 अफ़रपस - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSVSKH14208PBF Ear99 8541.30.0080 15 200 एमए 800 वी 310 ए 2.5 वी 4500 ए, 4712 ए १५० सना हुआ 140 ए 1 सरा
SS8P3LHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS8P3LHM3/86A -
सराय
 ECAD 8965 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन SS8P3 schottky To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 570 mV @ 8 ए 200 µa @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए 330pf @ 4v, 1MHz
408CMQ060 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 408CMQ060 -
सराय
 ECAD 8541 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला To-244ab 408cmq schottky To-244ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 30 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 200A 670 एमवी @ 200 ए 20 सना -55 ° C ~ 150 ° C
BZG04-220-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-220-HM3-18 0.2079
सराय
 ECAD 6238 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZG04-M R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG04-220 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 500 एमए 5 @a @ 220 वी 270 वी
BZX84C16-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C16-E3-18 0.2300
सराय
 ECAD 7 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX84 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C16 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 50 सना 16 वी 40 ओम
SL43-M3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SL43-M3/9AT 0.3501
सराय
 ECAD 4448 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC SL43 schottky DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 420 mV @ 4 ए 500 @a @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 4 ए -
S1A-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1A-M3/61T 0.0522
सराय
 ECAD 4299 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA S1A तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.8 µs 1 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 12pf @ 4v, 1MHz
BZX384C6V8-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C6V8-E3-08 0.2400
सराय
 ECAD 5 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX384 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384C6V8 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 2 @a @ 4 वी 6.8 वी 15 ओम
UGB8BTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ugb8bthe3_a/p -
सराय
 ECAD 7150 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Ugb8 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1 वी @ 8 ए 30 एनएस 10 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
70TPS12 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 70TPS12 -
सराय
 ECAD 8430 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C होल के kaytaumauth से To-274aa 70TPS12 SUPER-247 ™ (TO-274AA) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 500 200 एमए 1.2 केवी 75 ए 1.5 वी 1400A @ 50 परत्गी 100 सवार 1.4 वी 70 ए 1 तंग तंग
VS-110CNQ045APBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-110CNQ045APBF -
सराय
 ECAD 5457 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला D-61-8 110CNQ045 schottky D-61-8 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 200 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 55 ए 540 mV @ 55 ए 3 सना हुआ @ 45 वी -55 ° C ~ 150 ° C
VS-150UR100D Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-150UR100D 32.5700
सराय
 ECAD 3951 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-205AA, DO-8, SAUNTURE 150UR100 तंग, तमाम DO-205AA (DO-8) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 25 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.47 वी @ 600 ए 15 सना हुआ @ 1000 वी -40 ° C ~ 180 ° C 150A -
V8P6HM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V8p6hm3_a/i 0.6900
सराय
 ECAD 5410 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन V8p6 schottky To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8541.10.0080 6,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 610 mV @ 8 ए 600 @a @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
VS-15EWH06FNTRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस -15EWH06FNTRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRRR- 0.6181
सराय
 ECAD 4113 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 15EWH06 तमाम डी-सेह (to-252a तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS15EWH06FNTRRM3 Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.1 वी @ 15 ए 36 एनएस 50 µa @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 15 ए -
VS-20CWT10FN Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CWT10FN -
सराय
 ECAD 8406 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 20CWT10 schottky डी-सेह (to-252a तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS20CWT10FN Ear99 8541.10.0080 75 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 10 ए 890 mV @ 20 ए 50 µa @ 100 वी 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
160CMQ035 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 160CMQ035 -
सराय
 ECAD 3659 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला To-249aa 160CMQ035 schottky To-249aa तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम *160CMQ035 Ear99 8541.10.0080 10 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 35 वी 860 mV @ 160 ए 5 सना हुआ @ 35 वी 160A 2600pf @ 5v, 1MHz
1N5817/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5817/54 -
सराय
 ECAD 3541 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N5817 schottky DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira तंग तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 450 mV @ 1 ए 1 पायल @ 20 वी -65 ° C ~ 125 ° C 1 क -
2KBP10M/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 2KBP10M/51 -
सराय
 ECAD 2813 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -55 ° C ~ 165 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, केबीपीएम 2kbp10 तमाम KBPM तंग रोहस तंग तमाम Ear99 8541.10.0080 600 1.1 वी @ 3.14 ए 5 µA @ 1000 V 2 ए सिंगल फेज़ 1 केवी
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

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    दुनिया भर में निर्माता

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