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अफ़र्यास

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म शराबी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) अफ़मू - रत्य (वीटीएम) (वीटीएम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सराफक - ऑफ स स तपस्वी तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ सियार, अफ़र वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BZT55C13-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55C13-GS18 0.0283
सराय
 ECAD 5298 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT55 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण BZT55C13 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 10 वी 13 वी 26 ओम
VS-50WQ10FNTRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-50WQ10FNTRRPBF -
सराय
 ECAD 8026 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 50WQ10 schottky डी-सेह (to-252a तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS50WQ10FNTRRPBF Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 770 mV @ 5 ए 1 पायल @ 100 वी -40 ° C ~ 150 ° C 5.5 ए 183pf @ 5v, 1MHz
VS-18TQ045STRRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-18TQ045STRRHM3 1.3679
सराय
 ECAD 3647 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 18TQ045 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 112-VS-18TQ045STRRHM3TR Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 600 एमवी @ 18 ए २.५ सदा -55 ° C ~ 175 ° C 18 ए 1400pf @ 5v, 1MHz
SE15FDHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se15fdhm3/i 0.0936
सराय
 ECAD 7177 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SE15 तमाम Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.05 V @ 1.5 ए 900 एनएस 5 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 1.5 ए 10.5pf @ 4v, 1MHz
SGL41-50HE3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SGL41-50HE3/97 -
सराय
 ECAD 5358 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-213ab, melf SGL41 schottky GL41 (DO-213AB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम SGL41-50HE3_A/I Ear99 8541.10.0080 5,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 700 एमवी @ 1 ए 500 µA @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 80pf @ 4v, 1MHz
1N3292 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N3292 -
सराय
 ECAD 6994 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म DO-205AA, DO-8, SAUNTURE 1N3292 तमाम DO-205AA (DO-8) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 500 वी 1.5 वी @ 100 ए 21 सना हुआ @ 500 वी -40 ° C ~ 200 ° C 100 ए -
BYM13-60-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM13-60-E3/96 0.5300
सराय
 ECAD 37 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-213ab, melf BYM13 schottky GL41 (DO-213AB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 700 एमवी @ 1 ए 500 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 80pf @ 4v, 1MHz
S1D-E3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1D-E3/5AT 0.3700
सराय
 ECAD 19 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA एस 1 डी तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 1 ए 1.8 µs 1 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 12pf @ 4v, 1MHz
VS-12CWQ06FNTRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-12CWQ06FNTRRPBF -
सराय
 ECAD 3079 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 12CWQ06 schottky डी-सेह (to-252a तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 6 ए 610 mV @ 6 ए 3 सना हुआ @ 60 वी -55 ° C ~ 150 ° C
VS-16TTS08FPPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16TTS08FPPBF -
सराय
 ECAD 1254 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C होल के kaytaumauth से To-220-3 thercu 16TTS08 To-220ab rabune-rana तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 1,000 100 सवार 800 वी 16 ए 2 वी 200a @ 50 परत्गी 60 सना हुआ 1.4 वी 10 ए 500 µa तंग
SS2PH9-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2PH9-M3/85A 0.4400
सराय
 ECAD 9 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-220AA SS2PH9 schottky DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 90 वी 800 mV @ 2 ए 1 µa @ 90 V -55 ° C ~ 175 ° C 2 ए 65pf @ 4v, 1MHz
VS-MURB1520TRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस-riguth 1520TRR-M3 0.5627
सराय
 ECAD 6152 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Murb1520 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.05 वी @ 15 ए 35 एनएस 10 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C 15 ए -
TLZ4V3B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ4V3B-GS08 0.2500
सराय
 ECAD 535 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 Tlz4v3 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 3 µa @ 1 वी 4.3 वी 40 ओम
VS-SD400N16PC Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस-वीएस 400N16PC 106.5800
सराय
 ECAD 2282 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अफ़सीर Do-205ab, do-9, s सmum SD400 तमाम DO-205AB (DO-9) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 12 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1600 वी 15 सना हुआ @ 1600 वी -40 ° C ~ 190 ° C 400 ए -
8ETH06S Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8ETH06S -
सराय
 ECAD 4624 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 8ETH06 तमाम To-263ab (dicpak) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.4 वी @ 8 ए 25 एनएस 50 µa @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 8 ए -
STPS40L15CT Vishay General Semiconductor - Diodes Division STPS40L15CT -
सराय
 ECAD 4859 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 STPS40 schottky To-220-3 - रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 15 वी 20 ए 410 mV @ 19 ए 10 सना हुआ @ 15 वी -55 ° C ~ 125 ° C
1N5221C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5221C-TR 0.0373
सराय
 ECAD 4672 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5221 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 वी @ 200 एमए 100 µA @ 1 वी 2.4 वी 30 ओम
VBT1045CBP-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT1045CBP-E3/8W 1.2400
सराय
 ECAD 3492 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Vbt1045 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 5 ए 580 mV @ 5 ए 500 µA @ 45 V 200 ° C (अधिकतम)
BZG05B33-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B3333-M3-08 0.1980
सराय
 ECAD 5543 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG05B-M R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05B33 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 200 एमए ५०० सदा 33 वी 35 ओम
ES3DHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Es3dhe3_a/i 0.7100
सराय
 ECAD 3 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC ES3D तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 900 mV @ 3 ए 30 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 45pf @ 4v, 1MHz
6CWQ10FNTR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 6CWQ10FNTR -
सराय
 ECAD 5272 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 6CWQ10 schottky डी-सेह (to-252a तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 3.5A 810 mV @ 3 ए 1 पायल @ 100 वी -40 ° C ~ 150 ° C
BYG20GHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Byg20ghm3_a/h 0.1568
सराय
 ECAD 2595 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA Byg20 कांपना DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.4 वी @ 1.5 ए 75 एनएस 1 µa @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए -
VS-HFA06PB120-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA06PB120-N3 5.8800
सराय
 ECAD 2371 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी हेकthaurेड® नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 Hfa06 तमाम To-247ac संशोधित तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS-HFA06PB120-N3GI Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1200 वी 3 वी @ 6 ए 80 एनएस 5 @ ए @ 1200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 6 ए -
TZMB39-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMB39-GS18 0.0411
सराय
 ECAD 9010 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, TZM R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZMB39 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 100 gapa @ 30 वी 39 वी 90 ओम
VS-MBR20100CT-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBR20100CT-N3 -
सराय
 ECAD 7555 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 MBR20 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 10 ए 800 mV @ 10 ए 100 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C
VS-MBRB1635TRRPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB1635TRRPBF -
सराय
 ECAD 4444 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB16 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSMBB1635TRRPBF Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 35 वी 630 mV @ 16 ए 200 µA @ 35 V -55 ° C ~ 150 ° C 16 ए 1400pf @ 5v, 1MHz
BZG03B180-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B180-M3-18 0.2228
सराय
 ECAD 7357 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG03B-M R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG03B180 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 500 एमए 1 µa @ 130 V 180 वी 400 ओम
AZ23C51-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C51-HE3_A-08 -
सराय
 ECAD 8772 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, AZ23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-AZ23C51-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 1 1 जोड़ी आम एनोड ५० सदाबहार @ ३५.7 51 वी 180 ओम
BYV28-200-RAS15-10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYV28-200-RAS15-10 0.7138
सराय
 ECAD 6786 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर होल के kaytaumauth से Sod-64, अकthu BYV28 कांपना सोड -64 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 5 ए 30 एनएस 1 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 3.5A -
IRKT41/12A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Irkt41/12a -
सराय
 ECAD 9633 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) अँगुला ADD-A-PAK (3 + 4) Irkt41 अफ़रपस - तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 10 200 एमए 1.2 केवी 100 ए 2.5 वी 850A, 890A १५० सना हुआ 45 ए 1 सरा
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