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अफ़र्यास

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म शराबी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ सियार, अफ़र वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
322CNQ030 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 322CNQ030 -
सराय
 ECAD 5208 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला TO-249AA (संशोधित), D-60 322CNQ schottky डी -60 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम *322CNQ030 Ear99 8541.10.0080 10 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 150A 560 mV @ 150 ए 10 सना हुआ @ 30 वी -55 ° C ~ 175 ° C
V30K45-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30K45-M3/H 0.9300
सराय
 ECAD 3 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 8-पॉव V30K45 schottky फmut (5x6) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 630 mV @ 30 ए 2 सना हुआ @ 45 वी -40 ° C ~ 150 ° C 30 ए 4000pf @ 4v, 1MHz
MCL103C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division Mcl103c- ther 0.4800
सराय
 ECAD 3 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं MCL103 schottky तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 2,500 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 20 वी 600 एमवी @ 200 एमए 5 @a @ 10 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA -
VLZ47-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ47-GS08 -
सराय
 ECAD 6639 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, VLZ R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण Vlz47 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 40 µA @ 41.8 V 46.5 वी 90 ओम
BY229B-400-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY229B-400-E3/81 -
सराय
 ECAD 4396 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BY229 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.85 वी @ 20 ए 145 एनएस 10 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
8ETH03S Vishay General Semiconductor - Diodes Division 8ETH03S -
सराय
 ECAD 9349 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 8ETH03 तमाम To-263ab (dicpak) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 300 वी 1.25 वी @ 8 ए 35 एनएस 20 µa @ 300 V -65 ° C ~ 175 ° C 8 ए -
SS8P3CHM3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS8P3CHM3/86A -
सराय
 ECAD 4544 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन SS8P3 schottky To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 4 ए 580 mV @ 4 ए 300 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
SS2PH10HM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2PH10HM3_A/H 0.4800
सराय
 ECAD 89 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-220AA SS2PH10 schottky DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 800 mV @ 2 ए 1 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 2 ए 65pf @ 4v, 1MHz
MMBZ5228C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5228C-E3-08 -
सराय
 ECAD 2560 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5228 २२५ सदाचार -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 10 µa @ 1 वी 3.9 वी 23 ओम
ZM4761A-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZM4761A-GS08 0.1089
सराय
 ECAD 3202 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf (s गthapha) ZM4761 1 डब Do-213ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम ZM4761AGS08 Ear99 8541.10.0050 12,000 5 µa @ 56 V 75 वी 175 ओम
SE80PWGHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se80pwghm3/i 0.2805
सराय
 ECAD 4924 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 SE80 तमाम कांपना तंग तमाम Ear99 8541.10.0080 4,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.12 वी @ 8 ए 2.4 ग्रोन्स 15 µa @ 400 V -40 ° C ~ 175 ° C 8 ए 58PF @ 4V, 1MHz
VS-HFA08TB120STRLP Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-HFA08TB120STRLP -
सराय
 ECAD 1547 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी हेकthaurेड® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Hfa08 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 8 ए (डीसी) 3.3 वी @ 8 ए 95 एनएस 10 µA @ 1200 V -55 ° C ~ 150 ° C
HFA12PA120C Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA12PA120C -
सराय
 ECAD 7193 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी हेकthaurेड® नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 HFA12 तमाम To247ac तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम *HFA12PA120C Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 1200 वी 6 ए (डीसी) 3 वी @ 6 ए 80 एनएस 5 @ ए @ 1200 वी -55 ° C ~ 150 ° C
S4PJHM3_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division S4pjhm3_b/h -
सराय
 ECAD 8697 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन एस 4 पीजे तमाम To-277a (SMPC) तंग 112-S4PJHM3_B/HTR Ear99 8541.10.0080 1 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 4 ए 2.5 µs 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 4 ए 30pf @ 4v, 1MHz
VS-MBRB745TRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB745TRL-M3 0.5595
सराय
 ECAD 1163 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB745 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 570 mV @ 7.5 ए 100 µA @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C 7.5a 400pf @ 5v, 1MHz
RS1PGHM3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Rs1pghm3/85a -
सराय
 ECAD 6898 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-220AA रत्न तमाम DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 1 µa @ 400 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 9pf @ 4v, 1MHz
RS1J-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS1J-M3/61T 0.0577
सराय
 ECAD 7458 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA RS1J तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 1 ए 250 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 7PF @ 4V, 1MHz
BY251GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY251GPHE3/73 -
सराय
 ECAD 4245 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun BY251 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.1 वी @ 3 ए 3 μs 5 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C 3 ए 40pf @ 4v, 1MHz
MMBZ4697-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4697-G3-18 -
सराय
 ECAD 4222 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4697 ३५० तंग -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 µa @ 7.6 V 10 वी
SS24S-61HE3J_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS24S-61HE3J_B/I -
सराय
 ECAD 9851 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA SS24 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 2 ए 200 @a @ 40 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 130pf @ 4v, 1MHz
SS23SHE3_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS23SHE3_B/H 0.4300
सराय
 ECAD 3896 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA SS23 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 550 mV @ 2 ए 200 µa @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 130pf @ 4v, 1MHz
BZX55C30-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C30-TAP 0.2300
सराय
 ECAD 63 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX55 कट कट टेप (सीटी) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX55C30 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 100 gapa @ 22 वी 30 वी 80 ओम
VSB2045-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSB2045-M3/54 -
सराय
 ECAD 2559 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से पी 600, कांपो B2045 schottky पी 600 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSB2045M354 Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 580 mV @ 20 ए १.२ सदा -40 ° C ~ 150 ° C 6.5 ए 2050pf @ 4v, 1MHz
BZD27C91P-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C91P-HE3-08 0.4500
सराय
 ECAD 6047 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZD27C R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27C91 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 @a @ 68 V 91 वी 200 ओम
MMSZ5250B-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5250B-HE3-18 0.0378
सराय
 ECAD 4641 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ5250 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 100 kaga @ 15 वी 20 वी 25 ओम
IRKT42/14A Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKT42/14A -
सराय
 ECAD 7872 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) अँगुला ADD-A-PAK (3 + 4) Irkt42 अफ़रप तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 10 200 एमए 1.4 केवी 100 ए 2.5 वी 850A, 890A १५० सना हुआ 45 ए २
V20PW45C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20pw45c-m3/i 1.1000
सराय
 ECAD 8 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 V20pw45 schottky कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 10 ए 600 एमवी @ 10 ए 1 पायल @ 45 वी -40 ° C ~ 150 ° C
SGL41-30-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SGL41-30-E3/96 0.7400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-213ab, melf SGL41 schottky GL41 (DO-213AB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 500 एमवी @ 1 ए 500 @a @ 30 V -55 ° C ~ 125 ° C 1 क 110pf @ 4v, 1MHz
VS-SD203N25S20PC Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD203N25S20PC 119.8250
सराय
 ECAD 2557 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग अफ़सीर Do-205ab, do-9, s सmum SD203 तमाम DO-205AB (DO-9) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 12 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 2500 वी 1.65 V @ 628 ए 2 µs 35 पायल @ 2500 वी -40 ° C ~ 125 ° C 200A -
SS34-3HE3_B/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS34-3HE3_B/I -
सराय
 ECAD 7654 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC SS34 schottky DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 500 एमवी @ 3 ए 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
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    मानक उत्पाद एकक

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