SIC
close
छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म शराबी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) अफ़मू - रत्य (वीटीएम) (वीटीएम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सराफक - ऑफ स स तपस्वी तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ सियार, अफ़र तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
VS-20CWT10TRL-E3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CWT10TRL-E3 -
सराय
ECAD 3663 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर 20CWT10 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 1
BZT55C11-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55C11-GS18 0.0283
सराय
ECAD 8657 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT55 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण BZT55C11 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 8.2 वी 11 वी 20 ओम
BZX84C7V5-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C7V5-E3-08 0.2300
सराय
ECAD 13 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX84 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C7V5 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1 µa @ 5 वी 7.5 वी 15 ओम
BYM07-200HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM07-200HE3_A/I -
सराय
ECAD 1601 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, SUPERECTIFIER® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-213aa (गthama) BYM07 तमाम DO-213AA (GL34) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम BYM07-200HE3_B/I Ear99 8541.10.0070 9,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.25 वी @ 500 एमए 50 एनएस 5 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C 500ma 7PF @ 4V, 1MHz
SS1FN6-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1FN6-M3/I 0.0627
सराय
ECAD 1052 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab SS1FN6 schottky Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 530 mV @ 1 ए 800 µA @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 90pf @ 4v, 1MHz
VBT1080C-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT1080C-M3/8W 0.6791
सराय
ECAD 7941 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB VBT1080 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 5 ए 720 mV @ 5 ए 400 µA @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C
VLZ6V2B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ6V2B-GS18 -
सराय
ECAD 2607 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, VLZ R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण Vlz6v2 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 3 µa @ 4 वी 6.12 वी 10 ओम
VSIB2060-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSIB2060-E3/45 -
सराय
ECAD 5503 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-SIP, GSIB-5S VSIB2060 तमाम जीएसआईबी -5 एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,200 1 वी @ 10 ए 10 µA @ 600 V 3.5 ए सिंगल फेज़ 600 वी
AZ23C16-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C16-HE3-18 0.0436
सराय
ECAD 5632 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, AZ23 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C16 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 kaga @ 12 वी 16 वी 40 ओम
MMSZ5249B-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5249B-G3-08 0.0409
सराय
ECAD 8992 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ5249 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 100 gaba @ 14 वी 19 वी 23 ओम
RS3J-M3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS3J-M3/57T 0.1881
सराय
ECAD 7156 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC Rs3j तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 2.5 ए 250 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 34pf @ 4V, 1MHz
10TQ035 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 10TQ035 -
सराय
ECAD 5168 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 10TQ035 schottky TO-220AC तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 35 वी 760 mV @ 10 ए 6 सना हुआ @ 35 वी -55 ° C ~ 175 ° C 10 ए -
1N5251B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5251B-TAP 0.2300
सराय
ECAD 1858 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 कट कट टेप (सीटी) शिर ± 5% 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5251 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 17 वी 22 वी 29 ओम
MMSZ5245B-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5245B-HE3_A-08 0.0549
सराय
ECAD 2471 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ५०० तंग सोद -123 तंग 112-MMSZ5245B-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gaba @ 11 वी 15 वी 16 ओम
SML4742-E3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4742-E3/5A 0.4700
सराय
ECAD 16 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA Sml4742 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 9.1 V 12 वी 9 ओम
SRP100J-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SRP100J-E3/54 -
सराय
ECAD 5507 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut SRP100 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 1 ए 200 एनएस 10 µA @ 600 V -50 ° C ~ 125 ° C 1 क 12pf @ 4v, 1MHz
VS-ST230C12C1 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST230C12C1 68.9700
सराय
ECAD 8757 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C सराय TO-200AB, A-PUK एसटी 230 TO-200AB, A-PUK तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSST230C12C1 Ear99 8541.30.0080 12 ६०० सना हुआ 1.2 केवी 780 ए 3 वी 4800A, 5000A १५० सना हुआ 1.69 वी 410 ए ३० सना हुआ तंग
VS-VSKT105/08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKT105/08 44.8440
सराय
ECAD 9005 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) अँगुला ADD-A-PAK (3 + 4) VSKT105 अफ़रप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSVSKT10508 Ear99 8541.30.0080 10 २५० सना हुआ 800 वी 235 ए 2.5 वी 2000 ए, 2094 ए १५० सना हुआ 105 ए
BZX584C3V9-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX584C3V9-G3-08 0.3000
सराय
ECAD 6 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX584C R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur SC-79, SOD-523 BZX584C 200 सभा एस एस -523 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 8,000 3 µa @ 1 वी 3.9 वी 85 ओम
VS-30CTQ035-1HM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ035-1HM3 1.2877
सराय
ECAD 6514 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa 30CTQ035 schottky To-262-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 35 वी 15 ए 620 mV @ 15 ए 2 सना हुआ @ 35 वी -55 ° C ~ 175 ° C
SS1H10-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1H10-M3/61T 0.3800
सराय
ECAD 18 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA SS1H10 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 860 mV @ 2 ए 1 µa @ 90 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क -
VS-62CTQ030PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-62CTQ030PBF -
सराय
ECAD 8880 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-3 62CTQ030 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 30 ए 500 एमवी @ 30 ए २.५ सना @ ३० वी -65 ° C ~ 150 ° C
BAT54W-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT54W-HG3-08 0.2700
सराय
ECAD 307 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123 BAT54 schottky सोद -123 तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 30 वी 800 एमवी @ 100 एमए 5 एनएस 2 @a @ 25 वी 125 ° C 200MA 10pf @ 1v, 1MHz
BZG03C91-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C91-M3-18 0.1815
सराय
ECAD 6388 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG03C-M R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.04% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG03C91 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 500 एमए 1 @a @ 68 V 91 वी 200 ओम
TZMC6V8-M-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC6V8-M-08 0.0324
सराय
ECAD 2229 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, TZM-M R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZMC6V8 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 12,500 1.5 वी @ 200 एमए 100 gay @ 3 वी 6.8 वी 8 ओम
VS-VS24CSR06L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VS24CSR06L -
सराय
ECAD 1666 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग VS24 - 112-VS-VS24CSR06L 1
120NQ045R Vishay General Semiconductor - Diodes Division 120NQ045R -
सराय
ECAD 2189 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला डी -67 अराध्य 120NQ045 schottky डी -67 अराध्य तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 570 mV @ 120 ए 10 सना हुआ @ 45 वी 120 ए 5200pf @ 5V, 1MHz
UG2B-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division UG2B-E3/73 -
सराय
ECAD 6383 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT Ug2 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 950 mV @ 2 ए 25 एनएस 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
BZD27C5V1P-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C5V1P-HE3-18 0.1520
सराय
ECAD 2444 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZD27C R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27C5V1 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 1 वी 5.1 वी 6 ओम
ES3DHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Es3dhm3_a/h 0.2673
सराय
ECAD 4821 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC ES3D तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 112-ES3DHM3_A/HTR Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 900 mV @ 3 ए 30 एनएस 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 45pf @ 4v, 1MHz
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम