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अफ़र्यास

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म शराबी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) अफ़मू - रत्य (वीटीएम) (वीटीएम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सराफक - ऑफ स स तपस्वी तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ सियार, अफ़र वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
GP15J-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP15J-E3/54 0.6300
सराय
 ECAD 8935 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT GP15 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 1.5 ए 3.5 µs 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 1.5 ए -
BZD27B9V1P-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B9V1P-HE3-18 0.1238
सराय
 ECAD 2113 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZD27B R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27B9V1 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 5 वी 9.1 वी 4 ओम
BZD27C120P-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C120P-HE3-18 0.1660
सराय
 ECAD 4204 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZD27C R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27C120 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 91 वी 120 वी 250 ओम
SS32HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS32HE3_A/I -
सराय
 ECAD 4331 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AB, SMC SS32 schottky DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 500 एमवी @ 1 ए 200 @a @ 20 वी -65 ° C ~ 125 ° C 3 ए -
BY448TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY448TR 0.6700
सराय
 ECAD 114 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Sod-57, lectun BY448 कांपना सोड -57 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1500 वी 1.6 वी @ 3 ए 20 μs 3 µa @ 1500 V 140 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 2 ए -
EGP10CEHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10CEHE3/54 -
सराय
 ECAD 5543 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut ईजीपी 10 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 950 mV @ 1 ए 50 एनएस 5 µa @ 150 V -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 22pf @ 4v, 1MHz
VS-10MQ040HM3/5AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10MQ040HM3/5AT 0.4300
सराय
 ECAD 6 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA 10mq040 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 540 mV @ 1 ए 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 38PF @ 10V, 1MHz
GLL4740A-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GLL4740A-E3/96 0.3256
सराय
 ECAD 6067 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf GLL4740 1 डब Melf do-213ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 10 µa @ 7.6 V 10 वी 7 ओम
MMSZ5258C-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5258C-HE3_A-18 0.0566
सराय
 ECAD 4316 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ५०० तंग सोद -123 तंग 112-MMSZ5258C-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gapa @ 27 वी 36 वी 70 ओम
GP10-4005E-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10-4005E-M3/54 -
सराय
 ECAD 2345 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut GP10 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 500 वी 1.1 वी @ 1 ए 3 μs 5 @a @ 500 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 8pf @ 4v, 1MHz
1N5620GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5620GPHE3/73 -
सराय
 ECAD 6819 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® कट कट टेप (सीटी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 1N5620 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.2 वी @ 1 ए 2 µs 500 NA @ 800 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 20pf @ 12v, 1MHz
BZD27B27P-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B27P-E3-08 0.1155
सराय
 ECAD 2992 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZD27B R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27B27 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 30,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 20 वी 27 वी 15 ओम
VBT3060G-E3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT3060G-E3/8W 0.5483
सराय
 ECAD 9583 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB VBT3060 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 15 ए 730 mV @ 15 ए 850 @a @ 60 V -55 ° C ~ 150 ° C
VS-16FR100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16FR100 8.2100
सराय
 ECAD 5302 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203aa, do-4, s सmunt 16FR100 तंग, तमाम DO-203AA (DO-4) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.23 वी @ 50 ए 12 सना हुआ @ 1000 वी -65 ° C ~ 175 ° C 16 ए -
AS3PD-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division AS3PD-M3/86A 0.2871
सराय
 ECAD 8896 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन AS3 कांपना To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 920 mV @ 1.5 ए 1.2 µs 10 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 2.1a 37PF @ 4V, 1MHz
STPS20L15G Vishay General Semiconductor - Diodes Division STPS20L15G -
सराय
 ECAD 8099 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Stps20 schottky To-263ab (dicpak) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 15 वी 410 mV @ 19 ए 10 सना हुआ @ 15 वी -55 ° C ~ 125 ° C 20 ए -
BAS40-00-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS40-00-E3-08 0.3300
सराय
 ECAD 18 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 schottky -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 3,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 1 वी @ 40 एमए 5 एनएस 100 gapa @ 30 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA 5pf @ 0v, 1MHz
VS-10TQ040PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10TQ040PBF -
सराय
 ECAD 5236 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-2 10TQ040 schottky TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 760 mV @ 10 ए 6 सना हुआ @ 40 वी -55 ° C ~ 175 ° C 10 ए -
FGP10DHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FGP10DHE3/73 -
सराय
 ECAD 3208 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, SUPERECTIFIER® टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut FGP10 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 mV @ 1 ए 35 एनएस 2 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 25pf @ 4v, 1MHz
VS-VSKV56/14 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKV56/14 41.4050
सराय
 ECAD 7119 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) अँगुला ADD-A-PAK (3 + 4) Vskv56 तमामकस - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSVSKV5614 Ear99 8541.30.0080 10 200 एमए 1.4 केवी 95 ए 2.5 वी 1200 ए, 1256 ए १५० सवार 60 २
VS-ST183C04CFL0 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST183C04CFL0 68.9242
सराय
 ECAD 9539 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग -40 ° C ~ 125 ° C अँगुला TO-200AB, A-PUK ST183 TO-200AB, A-PUK तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 12 ६०० सना हुआ 400 वी 690 ए 3 वी 4900A, 5130A 200 एमए 1.8 वी 370 ए 40 सना तंग
30HFUR-600 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30HFUR-600 -
सराय
 ECAD 6546 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 30hfur तमाम DO-203AB (DO-5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम *30HFUR-600 Ear99 8541.10.0080 100 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.45 वी @ 30 ए 80 एनएस 35 µA @ 600 वी -40 ° C ~ 125 ° C 30 ए -
MBRB2060CT-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB2060CT-E3/81 1.5200
सराय
 ECAD 239 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB2060 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 10 ए 800 mV @ 10 ए 150 µA @ 60 V -65 ° C ~ 150 ° C
VS-UFB120FA40P Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-UFB120FA40P -
सराय
 ECAD 6409 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला एसओटी -227-4, कांपस UFB120 तमाम एसओटी -227 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Vsufb120fa40p Ear99 8541.10.0080 180 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 400 वी 60 ए 1.37 वी @ 60 ए 65 एनएस 100 µA @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C
SMPZ3937B-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMPZ3937B-M3/85A 0.0888
सराय
 ECAD 5714 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-220AA Smpz3937 ५०० तंग DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए ५०० सदाबहार @ २५.१ वी 33 वी 33 ओम
VBT3045CBP-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT3045CBP-M3/8W 1.2527
सराय
 ECAD 5976 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB VBT3045 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 15 ए 570 mV @ 15 ए 2 सना हुआ @ 45 वी -40 ° C ~ 150 ° C
SF5404-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division SF5404-TAP 0.5742
सराय
 ECAD 9774 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Sod-64, अकthu SF5404 तमाम सोड -64 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 12,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 3 ए 50 एनएस 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए -
VS-MBRB1035PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB1035PBF -
सराय
 ECAD 1834 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB10 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 35 वी 840 mV @ 20 ए 100 µA @ 35 V -65 ° C ~ 150 ° C 10 ए -
BYG23M-E3/TR3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYG23M-E3/TR3 0.4400
सराय
 ECAD 490 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA BYG23 कांपना DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.7 वी @ 1 ए 75 एनएस 5 µA @ 1000 V -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए -
SS15HE3_B/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS15HE3_B/H 0.3700
सराय
 ECAD 6655 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA SS15 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 750 mV @ 1 ए 200 @a @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 1 क -
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