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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म शराबी सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) अफ़मू - रत्य (वीटीएम) (वीटीएम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सराफक - ऑफ स स तपस्वी तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ सियार, अफ़स वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
V12PL63-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V12pl63-m3/h 0.8100
सराय
ECAD 8676 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - कट कट टेप (सीटी) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन V12pl63 schottky To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 580 mV @ 12 ए 450 @a @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C 12 ए 2600pf @ 4v, 1MHz
GP10GE-167E3/93 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10GE-167E3/93 -
सराय
ECAD 7575 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® थोक शिर - - GP10 - - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 1 - - - -
TZMB15-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMB15-GS18 0.3100
सराय
ECAD 6 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, TZM R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZMB15 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 11 वी 15 वी 30 ओम
MMBZ5255C-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5255C-G3-18 -
सराय
ECAD 7090 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5255 २२५ सदाचार -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 100 kaga @ 21 वी 28 वी 44 ओम
IRKH91/12A Vishay General Semiconductor - Diodes Division IRKH91/12A -
सराय
ECAD 7674 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) अँगुला ADD-A-PAK (3 + 2) Irkh91 अफ़रपस - तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 10 200 एमए 1.2 केवी 210 ए 2.5 वी 1785 ए, 1870 ए १५० सना हुआ 95 ए 1 सरा
VS-VSKL250-18PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKL250-18PBF 384.8100
सराय
ECAD 4988 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) अँगुला कांपना VSKL250 अफ़रपस - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSVSKL25018PBF Ear99 8541.30.0080 2 ५०० तंग 400 वी 555 ए 3 वी 8500A, 8900A 200 एमए 250 ए 1 सरा
SE40PB-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SE40PB-M3/87A 0.2228
सराय
ECAD 5148 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन SE40 तमाम To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 6,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.05 वी @ 4 ए २.२ μs 10 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 2.4 ए 28PF @ 4V, 1MHz
VS-32CTQ030STRRHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-32CTQ030STRRHM3 1.4113
सराय
ECAD 1897 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 32CTQ030 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 15 ए 490 mV @ 15 ए 1.75 पायल @ 30 वी -55 ° C ~ 150 ° C
HFA15TB60 Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA15TB60 -
सराय
ECAD 6268 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी हेकthaurेड® नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 HFA15 तमाम TO-220AC तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.7 वी @ 15 ए 60 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 15 ए -
BZD27B68P-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B68P-M3-18 0.1050
सराय
ECAD 6221 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZD27B-M R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27B68 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µA @ 51 वी 68 वी 80 ओम
BZT03D20-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT03D20-TR -
सराय
ECAD 1171 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZT03 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Sod-57, lectun BZT03 1.3 डब सोड -57 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 25,000 1.2 वी @ 500 एमए 1 µa @ 15 वी 20 वी 15 ओम
VS-ST780C04L1L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST780C04L1L 150.2833
सराय
ECAD 5661 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C सराय TO-200AC, B-PUK ST780 TO-200AC, B-PUK तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSST780C04L1L Ear99 8541.30.0080 3 ६०० सना हुआ 400 वी 2700 ए 3 वी 20550A, 21500A 200 एमए 1.31 वी 1350 ए 80 सना हुआ तंग
FESE8JT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Fese8jt-e3/45 -
सराय
ECAD 3857 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 Fese8 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.5 वी @ 8 ए 50 एनएस 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए 50pf @ 4v, 1MHz
BZX84C10-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C10-G3-18 0.0353
सराय
ECAD 7313 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX84-G R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C10 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 200 सवार @ 7 वी 10 वी 20 ओम
VS-ST300C16L0 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST300C16L0 151.7333
सराय
ECAD 6731 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C अँगुला To-200ab, ई-प एसटी 300 TO-200AB (E-PUK) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 3 ६०० सना हुआ 1.6 केवी 1115 ए 3 वी 8000A, 8380A 200 एमए 2.18 वी 560 ए ५० सदा तंग
MMBZ4702-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4702-G3-18 -
सराय
ECAD 3384 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4702 ३५० तंग -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 ५० सदाबहार @ ११.४ वी 15 वी
BZX84B33-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B33-HE3-18 0.0341
सराय
ECAD 6156 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B33 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 50 सना 33 वी 80 ओम
SMZJ3796BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Smzj3796bhe3_a/i 0.1757
सराय
ECAD 7603 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-214AA, SMB SMZJ3796 1.5 डब DO-214AA (SMBJ) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 15.2 V 20 वी 14 ओम
BZT52B33-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B33-E3-08 0.0415
सराय
ECAD 3286 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 BZT52B33 ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 100 gaba @ 25 वी 33 वी 80 ओम
BZG05B20-HM3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B20-HM3-08 0.2079
सराय
ECAD 7612 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZG05B-M R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05B20 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 200 एमए ५०० सना 20 वी 24 ओम
BZG03C43-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C43-M3-08 0.5000
सराय
ECAD 2751 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG03C-M R टेप ray ryील (ther) शिर ± 6.98% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG03C43 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 वी @ 500 एमए 1 @a @ 33 वी 43 वी 45 ओम
MMSZ4699-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4699-HE3-18 0.0378
सराय
ECAD 7855 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ4699 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 50 सना 12 वी
VS-85HF140M Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-85HF140M 20.4923
सराय
ECAD 1455 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 85HF140 तमाम DO-203AB (DO-5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS85HF140M Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1400 वी 1.2 वी @ 267 ए -65 ° C ~ 180 ° C 85 ए -
TZM5249B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5249B-GS18 0.0303
सराय
ECAD 6908 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZM5249 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 14 वी 19 वी 23 ओम
1N5060GPHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5060GPHE3/73 -
सराय
ECAD 3010 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 1N5060 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.2 वी @ 1 ए 2 µs 5 @a @ 400 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
SSB43L-M3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SSB43L-M3/52T 0.5100
सराय
ECAD 1 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB SSB43 schottky DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 30 वी 450 mV @ 4 ए 600 µA @ 30 V -65 ° C ~ 150 ° C 4 ए -
SD103CW-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD103CW-G3-08 0.0612
सराय
ECAD 5144 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur सोद -123 SD103 schottky सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 15,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 600 एमवी @ 200 एमए 10 एनएस 5 @a @ 10 वी -55 ° C ~ 150 ° C 350ma 50pf @ 0v, 1MHz
BZX384C30-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C30-G3-08 0.0389
सराय
ECAD 4710 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX384-G R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384C30 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 50 सना 30 वी 80 ओम
TY056S150A6OT Vishay General Semiconductor - Diodes Division TY056S150A6OT -
सराय
ECAD 2865 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur शराबी TY056 schottky शराबी तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0040 6,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 1.41 वी @ 5 ए 100 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 5 ए -
BZX84C3V6-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C3V6-G3-08 0.0353
सराय
ECAD 4756 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX84-G R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C3V6 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 5 µA @ 1 वी 3.6 वी 90 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम