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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) अफ़मू - रत्य (वीटीएम) (वीटीएम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सराफक - ऑफ स स तपस्वी तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BZD27B5V1P-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B5V1P-M3-18 0.1155
सराय
ECAD 1662 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZD27B-M R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27B5V1 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 1 वी 5.1 वी 6 ओम
GI754-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI754-E3/73 0.9700
सराय
ECAD 8 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - कट कट टेप (सीटी) शिर होल के kaytaumauth से पी 600, कांपो GI754 तमाम पी 600 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 300 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 900 mV @ 6 ए 2.5 µs 5 @a @ 400 वी -50 ° C ~ 150 ° C 6 ए 150pf @ 4v, 1MHz
VS-10ETS10STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETS10STRLPBF -
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ECAD 9799 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 10ets10 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम VS10ETS10STRLPBF Ear99 8541.10.0080 800 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.1 वी @ 10 ए 500 µA @ 1000 V -40 ° C ~ 150 ° C 10 ए -
VI40150C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VI40150C-M3/4W 0.9859
सराय
ECAD 1854 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी अफ़रोट, AEC-Q101, TMBS® नली शिर होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa VI40150 schottky To-262aa तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 20 ए 1.43 वी @ 20 ए 250 µA @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C
S3J-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division S3J-E3/9AT 0.5300
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ECAD 3 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC एस 3 जे तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.15 V @ 2.5 ए 2.5 µs 10 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 60pf @ 4v, 1MHz
MMBZ5231B-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5231B-G3-08 -
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ECAD 5794 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5231 २२५ सदाचार -23-3 - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 5 µa @ 2 वी 5.1 वी 17 ओम
V15P22HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V15p22hm3/h 1.0230
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ECAD 1636 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन schottky To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabairay तमाम 112-V15P22HM3/HTR Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 910 mV @ 15 ए 350 µA @ 200 वी -40 ° C ~ 175 ° C 3.3a 835pf @ 4V, 1MHz
BZG03B15-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B15-M3-08 0.2228
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ECAD 2592 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG03B-M R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG03B15 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 500 एमए 1 µa @ 11 वी 15 वी 10 ओम
RS1PDHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Rs1pdhm3_a/h 0.1002
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ECAD 2242 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-220AA रत्न तमाम DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 1 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 9pf @ 4v, 1MHz
BZD27B24P-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B24P-HE3-18 0.1238
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ECAD 2011 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZD27B R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27B24 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 18 V 24 वी 15 ओम
MMSZ5263C-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5263C-HE3_A-18 0.0566
सराय
ECAD 6117 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ५०० तंग सोद -123 तंग 112-MMSZ5263C-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 gay @ 43 वी 56 वी 150 ओम
VS-VSKJS440/030 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKJS440/030 45.3600
सराय
ECAD 3423 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला ADD-A-PAK (3) VSKJS440 schottky Add-a-Pak® तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम VSVSKJS440030 Ear99 8541.10.0080 10 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 30 वी 220A 680 mV @ 220 ए 20 सना -55 ° C ~ 150 ° C
U1C-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division U1C-E3/61T 0.1000
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ECAD 5709 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA U1c तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 920 mV @ 1 ए 24 एनएस 5 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क -
SBYV26CHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBYV26CHE3/54 -
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ECAD 1320 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut Sbyv26 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.5 वी @ 1 ए 30 एनएस 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क -
VS-20CTQ045-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-20CTQ045-M3 1.7200
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ECAD 7 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 20CTQ045 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 20 ए 760 mV @ 20 ए 2 सना हुआ @ 45 वी -55 ° C ~ 175 ° C
MBR1645HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR1645HE3/45 -
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ECAD 7206 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 MBR16 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 45 वी 630 mV @ 16 ए 200 µa @ 45 V -65 ° C ~ 150 ° C 16 ए -
VS-10ETF02PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETF02PBF -
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ECAD 8993 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली Sic में बंद r क rur kay होल के kaytaumauth से To-220-2 10ETF02 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम VS10ETF02PBF Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.2 वी @ 10 ए 200 एनएस 100 µA @ 200 वी -40 ° C ~ 150 ° C 10 ए -
GDZ33B-HG3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ33B-HG3-08 0.0523
सराय
ECAD 5911 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, GDZ-G R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 GDZ33 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 100 gaba @ 25 वी 33 वी 250 ओम
VS-8ETH06STRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8ETH06STRL-M3 0.5067
सराय
ECAD 1349 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 8ETH06 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.4 वी @ 8 ए 25 एनएस 50 µa @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 8 ए -
DZ23C11-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C11-E3-08 0.0415
सराय
ECAD 1944 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी DZ23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 1 जोड़ी आम कैथोड 100 gapa @ 8.5 वी 11 वी 20 ओम
AZ23C30-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C30-HE3_A-08 -
सराय
ECAD 5378 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, AZ23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-AZ23C30-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 1 1 जोड़ी आम एनोड 50 सना 30 वी 80 ओम
GP10A-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10A-E3/73 -
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ECAD 3999 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut GP10 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.1 वी @ 1 ए 3 μs 5 µa @ 50 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 8pf @ 4v, 1MHz
VS-16CTQ100GSPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-16CTQ100GSPBF -
सराय
ECAD 6628 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 16CTQ100 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) VS16CTQ100GSPBF Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 8 ए 880 mV @ 16 ए 280 @a @ 100 वी 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
VS-T70HF20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-T70HF20 28.2470
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ECAD 4699 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला डी -55 टी -मॉड टी 70 तमाम -55 तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 15 सना हुआ @ 200 वी 70A -
SBL4030PT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBL4030PT-E3/45 1.6198
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ECAD 4451 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 SBL4030 schottky To-247ad (to-3p) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 40 ए 580 mV @ 20 ए 10 सना हुआ @ 30 वी -40 ° C ~ 125 ° C
HFA80NC40CPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division HFA80NC40CPBF -
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ECAD 2877 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी हेकthaurेड® थोक शिर अँगुला D-61-8 HFA80 तमाम D-61-8 - Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 400 वी 85 ए (डीसी) 1.5 वी @ 80 ए 100 एनएस 3 µa @ 400 V -
VS-ST180C12C0 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST180C12C0 71.4783
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ECAD 1410 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C अँगुला TO-200AB, A-PUK ST180 TO-200AB, A-PUK तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 12 ६०० सना हुआ 1.2 केवी 660 ए 3 वी 5000 ए, 5230 ए १५० सवार 1.96 वी 350 ए ३० सना हुआ तंग
VS-1N3766R Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1N3766R 11.7500
सराय
ECAD 3900 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 1N3766 तंग, तमाम DO-203AB (DO-5) तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.8 वी @ 110 ए 4 सना हुआ @ 800 वी -65 ° C ~ 190 ° C 35 ए -
VS-30EPF06-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30EPF06-M3 5.5000
सराय
ECAD 2088 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से से 247-2 30epf06 तमाम To-247ac संशोधित तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 25 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.41 वी @ 30 ए 100 µA @ 600 V -40 ° C ~ 150 ° C 30 ए -
FES8AT-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FES8AT-E3/45 0.5618
सराय
ECAD 2527 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 Fes8 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabairay 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 950 mV @ 8 ए 35 एनएस 10 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम