SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
AZ23C4V7-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C4V7-HE3_A-18 -
सराय
ECAD 9764 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, AZ23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-az23c4v7-he3_a-18tr Ear99 8541.10.0050 1 1 जोड़ी आम एनोड 3 µa @ 2 वी 4.7 वी 80 ओम
SS8PH10-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS8PH10-M3/87A 0.6700
सराय
ECAD 1 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन SS8PH10 schottky To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 6,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 900 एमवी @ 8 ए 2 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 8 ए 140pf @ 4v, 1MHz
MMBZ5254C-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5254C-HE3-08 -
सराय
ECAD 9326 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5254 २२५ सदाचार -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 100 kaga @ 21 वी 27 वी 41 ओम
BZX55B3V0-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55B3V0-TR 0.0271
सराय
ECAD 2358 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX55 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX55B3V0 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 30,000 1.5 वी @ 200 एमए 4 µa @ 1 वी 3 वी 85 ओम
EGP10G-E3S/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGP10G-E3S/73 -
सराय
ECAD 5591 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut ईजीपी 10 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.25 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 @a @ 400 वी -65 ° C ~ 150 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
BZX84C3V0-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C3V0-G3-18 0.0353
सराय
ECAD 2053 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX84-G R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C3V0 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 10 µa @ 1 वी 3 वी 95 ओम
BZX55C24-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C24-TR 0.2300
सराय
ECAD 14 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX55 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX55C24 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 18 वी 24 वी 80 ओम
BZG05B68-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B68-M3-18 0.1980
सराय
ECAD 9468 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG05B-M R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05B68 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 200 एमए ५०० सदाबहार @ ५१ वी 68 वी 130 ओम
V2NL63-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V2nl63-m3/i 0.3900
सराय
ECAD 5098 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी अफ़रोट, AEC-Q101, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर अफ़स 2-वीडीएफएन V2nl63 schottky DFN3820A तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 14,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 580 mV @ 2 ए 50 µa @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C 1.8a 360pf @ 4v, 1MHz
SML4730AHE3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4730AHE3/61 -
सराय
ECAD 4806 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA Sml4730 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 50 µa @ 1 वी 3.9 वी 9 ओम
VS-VS30BFR12LFK Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VS30BFR12LFK -
सराय
ECAD 7690 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग VS30 - 112-VS-VS30BFR12LFK 1
MBRB30H60CTHE3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBRB30H60CTHE3/81 -
सराय
ECAD 1542 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB30 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 15 ए 680 mV @ 15 ए 60 @a @ 60 V -65 ° C ~ 175 ° C
BYT53A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT53A-TAP 0.2673
सराय
ECAD 5834 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Sod-57, lectun BYT53 कांपना सोड -57 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 25,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.1 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 175 ° C 1.9 ए -
BY252P-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BY252P-E3/54 0.4700
सराय
ECAD 7 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun BY252 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,400 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.1 वी @ 3 ए 3 μs 5 @a @ 400 वी -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 40pf @ 4v, 1MHz
MMSZ5232B-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5232B-HE3_A-08 0.0549
सराय
ECAD 3588 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ५०० तंग सोद -123 तंग 112-MMSZ5232B-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 900 एमवी @ 10 एमए 5 µa @ 3 वी 5.6 वी 11 ओम
SMZJ3805BHE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Smzj3805bhe3_a/i -
सराय
ECAD 3979 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-214AA, SMB SMZJ3805 1.5 डब DO-214AA (SMBJ) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,200 5 µA @ 35.8 V 47 वी 67 ओम
TLZ33A-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ33A-GS18 0.0335
सराय
ECAD 4507 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 Tlz33 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 40 सना हुआ @ 28.2 33 वी 65 ओम
RGP10GHM3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10GHM3/54 -
सराय
ECAD 1972 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, SUPERECTIFIER® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut RGP10 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 5 @a @ 400 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
SML4750AHE3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4750AHE3/5A -
सराय
ECAD 9436 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA SML4750 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 20.6 V 27 वी 35 ओम
SMBZ5928B-E3/52 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMBZ5928B-E3/52 0.1676
सराय
ECAD 9674 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-214AA, SMB SMBZ5928 3 डब DO-214AA (SMBJ) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 750 1.5 वी @ 200 एमए 1 µa @ 9.9 V 13 वी 7 ओम
SMZJ3790BHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Smzj3790bhm3_a/h 0.1815
सराय
ECAD 4105 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AA, SMB SMZJ3790 1.5 डब DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 750 10 µa @ 8.4 V 11 वी 6 ओम
SML4742HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Sml4742he3_a/i 0.1434
सराय
ECAD 2454 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA Sml4742 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 9.1 V 12 वी 9 ओम
VS-88-6676 Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस -88-6676 -
सराय
ECAD 9645 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग 88-6676 - 112-‘-88-6676 1
BZX384C27-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C27-E3-08 0.2400
सराय
ECAD 15 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX384 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384C27 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 50 सना 27 वी 80 ओम
VSIB2060-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSIB2060-E3/45 -
सराय
ECAD 5503 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-SIP, GSIB-5S VSIB2060 तमाम जीएसआईबी -5 एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,200 1 वी @ 10 ए 10 µA @ 600 V 3.5 ए सिंगल फेज़ 600 वी
MMBZ5229C-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5229C-HE3-18 -
सराय
ECAD 1799 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5229 २२५ सदाचार -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 5 µA @ 1 वी 4.3 वी 22 ओम
SML4746AHE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4746AHE3_A/H 0.5600
सराय
ECAD 1 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA Sml4746 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 5 µa @ 13.7 V 18 वी 20 ओम
BZT52C56-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C56-E3-18 0.0360
सराय
ECAD 1187 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 BZT52C56 ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 56 वी 135 ओम
AZ23B4V7-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B4V7-HE3-18 0.0534
सराय
ECAD 5938 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, AZ23 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Az23b4v7 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 जोड़ी आम एनोड 4.7 वी 78 ओम
BZX55B2V7-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55B2V7-TR 0.2200
सराय
ECAD 25 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX55 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX55B2V7 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 10 µa @ 1 वी 2.7 वी 85 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम