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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म इनपुट सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic तमाम वोलmuth - सराफक - कनरस एनटीसी rabuthauthur वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) इनपुट इनपुट (cies) @ vce
1N5262B-T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5262B-T -
सराय
ECAD 2050 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5262 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 39 वी 51 वी 1100 ओम
BZT55C20-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT55C20-GS08 0.2100
सराय
ECAD 10 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT55 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण BZT55C20 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 100 kaga @ 15 वी 20 वी 55 ओम
VS-104MT160KPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-104MT160KPBF 109.5933
सराय
ECAD 7147 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) अँगुला तमाम 104MT160 तमाम तंग-के। तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS104MT160KPBF Ear99 8541.10.0080 15 100 ए तीन फ़ेज़ 1.6 केवी
MMSZ5246B-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5246B-HE3_A-18 0.0549
सराय
ECAD 2430 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ५०० तंग सोद -123 तंग 112-MMSZ5246B-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10,000 900 एमवी @ 10 एमए 100 kaga @ 12 वी 16 वी 17 ओम
BZM55C3V9-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZM55C3V9-TR 0.2800
सराय
ECAD 7 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZM55 R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur 2-एसएमडी, कोई लीड नहीं BZM55C3V9 ५०० तंग तमाम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 2 @a @ 1 वी 3.9 वी 600 ओम
SS8P3CLHM3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS8P3CLHM3_A/H 0.2826
सराय
ECAD 8464 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन SS8P3 schottky To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 30 वी 4 ए 580 mV @ 4 ए 300 µA @ 30 V -55 ° C ~ 150 ° C
VS-6DKH02HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6DKH02HM3/H 0.8100
सराय
ECAD 1 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, एईसी-क emach 101, फmurेड पीटी® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 8-पॉव 6DKH02 तमाम फmun ५x ६ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) २ सभ्य 200 वी 3 ए 940 mV @ 3 ए 25 एनएस 2 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C
VSSB410S-E3/52T Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSB410S-E3/52T 0.4500
सराय
ECAD 22 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB SB410 schottky DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 750 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 770 mV @ 4 ए 250 µA @ 100 वी -40 ° C ~ 150 ° C 1.9 ए 230pf @ 4v, 1MHz
Z47-BO123-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division Z47-BO123-HE3-08 -
सराय
ECAD 6859 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी * R टेप ray ryील (ther) शिर Z47-BO123 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000
TZX4V3B-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX4V3B-TAP 0.0290
सराय
ECAD 9464 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, TZX टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT Tzx4v3 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 30,000 1.5 वी @ 200 एमए 5 µa @ 1.5 V 4.3 वी 100 ओम
GDZ2V2B-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ2V2B-E3-18 0.2700
सराय
ECAD 9 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी जीडीजेड R टेप ray ryील (ther) शिर ± 4% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 GDZ2V2 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 120 µA @ 700 एमवी 2.2 वी 100 ओम
1N5257B-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5257B-TR 0.1800
सराय
ECAD 26 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5257 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.1 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 25 वी 33 वी 58 ओम
SB2H90-E3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SB2H90-E3/73 -
सराय
ECAD 7750 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT SB2H90 schottky DO-204AC (DO-15) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 90 वी 790 mV @ 2 ए 10 µa @ 90 V -55 ° C ~ 175 ° C 2 ए -
VSS8D5M15-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSS8D5M15-M3/H 0.4100
सराय
ECAD 2 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-221ac, sma ktur S8D5 schottky Slimsmaw (do-221ad) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 790 mV @ 2.5 ए 180 @a @ 150 V -40 ° C ~ 175 ° C 2 ए 300pf @ 4v, 1MHz
BZG04-82-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-82-M3-18 0.1980
सराय
ECAD 6152 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG04-M R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG04-82 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 500 एमए 5 µa @ 82 V 100 वी
V20120SGHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20120SGHM3/4W -
सराय
ECAD 6615 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 V20120 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 120 वी 1.33 वी @ 20 ए 250 µA @ 120 V -40 ° C ~ 150 ° C 20 ए -
DF04S-E3/77 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DF04S-E3/77 0.8000
सराय
ECAD 289 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur 4-एसएमडी, गल विंग DF04 तमाम डीएफएस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 1.1 वी @ 1 ए 5 @a @ 400 वी 1 ए सिंगल फेज़ 400 वी
TZM5240C-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5240C-GS08 -
सराय
ECAD 5615 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZM5240 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.1 वी @ 200 एमए 3 µa @ 8 V 10 वी 17 ओम
VS-S1059 Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस-वीएस 1059 -
सराय
ECAD 8958 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग S1059 - 112-एस-एस 1059 1
MMSZ4687-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4687-E3-18 0.2700
सराय
ECAD 10 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ4687 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 4 µa @ 2 वी 4.3 वी
MMBZ5237B-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5237B-G3-18 -
सराय
ECAD 8130 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5237 २२५ सदाचार -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 3 µA @ 6.5 V 8.2 वी 6 ओम
RGP10K-M3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10K-M3/73 -
सराय
ECAD 3773 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut RGP10 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.3 वी @ 1 ए 150 एनएस 5 µA @ 800 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
UH2B-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH2B-M3/5BT -
सराय
ECAD 6614 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB UH2 तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.05 V @ 2 ए 35 एनएस 2 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 2 ए 42pf @ 4v, 1MHz
VS-ETX1506S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ETX1506S-M3 0.7542
सराय
ECAD 9155 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® थोक शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB ETX1506 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Vsetx1506sm3 Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 3.4 वी @ 15 ए 20 एनएस 36 @a @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 15 ए -
BZX84C5V6-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C5V6-HE3-18 0.0313
सराय
ECAD 5688 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C5V6 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 µa @ 2 वी 5.6 वी 40 ओम
VS-EMG050J60N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-EMG050J60N -
सराय
ECAD 6340 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर 150 ° C (TJ) अँगुला Imipak2 EMG050 338 डब तमाम Imipak2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Vsemg050J60N Ear99 8541.29.0095 56 तंग - 600 वी 88 ए 2.1V @ 15V, 50 ए 100 µa तमाम 9.5 एनएफ @ 30 वी
DZ23C3V0-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C3V0-HE3_A-08 -
सराय
ECAD 4388 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, DZ23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-DZ23C3V0-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 1 1 जोड़ी आम कैथोड 3 वी 80 ओम
1N4728A-T Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4728A-T -
सराय
ECAD 9169 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 175 ° C होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4728 1.3 डब Do-41 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 100 µA @ 1 वी 3.3 वी 400 ओम
BZG05C5V6-E3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C5V6-E3-TRE -
सराय
ECAD 5688 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG05C R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 वी @ 200 एमए 1 µa @ 2 वी 5.6 वी 7 ओम
GLL4761-E3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GLL4761-E3/96 0.3053
सराय
ECAD 1866 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur Do-213ab, melf Gll4761 1 डब Melf do-213ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 5 µa @ 56 V 75 वी 175 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम