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अफ़र्यास

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
VBT1080C-M3/8W Vishay General Semiconductor - Diodes Division VBT1080C-M3/8W 0.6791
सराय
 ECAD 7941 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB VBT1080 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 80 वी 5 ए 720 mV @ 5 ए 400 µA @ 80 V -55 ° C ~ 150 ° C
UH4PCC-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH4PCC-M3/87A -
सराय
 ECAD 6119 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन UH4 तमाम To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 6,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 2 ए 1.05 V @ 2 ए 25 एनएस 5 µa @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C
BZW03D68-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZW03D68-TR -
सराय
 ECAD 1709 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZW03 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से Sod-64, अकthu BZW03 1.85 डब सोड -64 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 12,500 1.2 वी @ 1 ए 2 @ ए @ 49 वी 68 वी 44 ओम
S1BA-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division S1BA-E3/61T -
सराय
 ECAD 6168 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA एस 1 बी तमाम DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.1 वी @ 1 ए 1 µs 3 µa @ 100 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 8pf @ 4v, 1MHz
BZX55B11-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55B11-TAP 0.2200
सराय
 ECAD 20 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX55 कट कट टेप (सीटी) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX55B11 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 8.2 वी 11 वी 20 ओम
V10PM63HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10pm63hm3/h 0.6600
सराय
 ECAD 4 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन schottky To-277a (SMPC) तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 650 mV @ 10 ए 25 µa @ 60 V -40 ° C ~ 175 ° C 4.5a 2190pf @ 4v, 1MHz
VS-30CTQ035S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTQ035S-M3 0.9182
सराय
 ECAD 4233 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 30CTQ035 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 35 वी 15 ए 620 mV @ 15 ए 2 सना हुआ @ 35 वी -55 ° C ~ 175 ° C
SMZJ3791BHM3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Smzj3791bhm3_a/i 0.1815
सराय
 ECAD 2956 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AA, SMB SMZJ3791 1.5 डब DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,200 5 µa @ 9.1 V 12 वी 7 ओम
SS15HE3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS15HE3_A/H -
सराय
 ECAD 6534 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur DO-214AC, SMA SS15 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 750 mV @ 1 ए 200 @a @ 50 वी -65 ° C ~ 150 ° C 1 क -
SE60PWBCHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se60pwbchm3/i 0.2985
सराय
 ECAD 5732 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 SE60 तमाम कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 112-se60pwbchm3/itr Ear99 8541.10.0080 4,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.1 वी @ 3 ए 1.2 µs 10 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए 22pf @ 4v, 1MHz
TZQ5235B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZQ5235B-GS08 0.0303
सराय
 ECAD 4269 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण TZQ5235 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 12,500 1.5 वी @ 200 एमए 3 µa @ 5 वी 6.8 वी 5 ओम
VS-66-8059 Vishay General Semiconductor - Diodes Division -66-8059 -
सराय
 ECAD 6739 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग 66-8059 - 112- -66-8059 1
VSS8D2M15HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSS8D2M15HM3/H 0.4500
सराय
 ECAD 75 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-221ac, sma ktur S8D2 schottky Slimsmaw (do-221ad) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 700 एमवी @ 1 ए 150 µA @ 150 V -40 ° C ~ 175 ° C 1.8a 150pf @ 4v, 1MHz
V40M120C-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V40M120C-M3/4W 1.2106
सराय
 ECAD 5524 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी अफ़रोट, AEC-Q101, TMBS® नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 V40M120 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 120 वी 20 ए 890 mV @ 20 ए 500 @a @ 120 V -40 ° C ~ 175 ° C
BYM10-1000-E3/97 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYM10-1000-E3/97 0.4100
सराय
 ECAD 5 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-213ab, melf (s गthapha) BYM10 तमाम Do-213ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.2 वी @ 1 ए 10 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 8pf @ 4v, 1MHz
BAT54A-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT54A-G3-18 0.0501
सराय
 ECAD 9930 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAT54 schottky -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 जोड़ी आम एनोड 30 वी 200ma (डीसी) 800 एमवी @ 100 एमए 5 एनएस 2 @a @ 25 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम)
BZG05C15-HE3-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05C15-HE3-TR -
सराय
 ECAD 8930 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZG05C R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 200 एमए ५०० पायल @ ११ वी 15 वी 15 ओम
VS-MBRB735TRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-MBRB735TRLPBF -
सराय
 ECAD 6401 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB MBRB7 schottky To-263ab (dicpak) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 35 वी 840 mV @ 15 ए 100 µA @ 35 V -65 ° C ~ 150 ° C 7.5a 400pf @ 5v, 1MHz
VS-47CTQ020STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-47CTQ020STRLPBF -
सराय
 ECAD 3431 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 47CTQ020 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 20 वी 20 ए 450 mV @ 20 ए 3 सना हुआ @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C
GP10KHM3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP10KHM3/73 -
सराय
 ECAD 7990 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut GP10 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.1 वी @ 1 ए 3 μs 5 µA @ 800 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 7PF @ 4V, 1MHz
MMBZ4618-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4618-E3-08 -
सराय
 ECAD 5354 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4618 ३५० तंग -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 1 µA @ 1 वी 2.7 वी 1500 ओम
V8PAM10S-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V8PAM10S-M3/I 0.4100
सराय
 ECAD 548 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-221bc, sma sautur ने kanahir taynaur kayta नेतृत schottky DO-221BC (SMPA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 14,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 840 mV @ 8 ए 180 @a @ 100 वी -40 ° C ~ 175 ° C 2.8A 600pf @ 4v, 1MHz
BZX384B3V6-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B3V6-HE3-08 0.2800
सराय
 ECAD 14 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX384 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384B3V6 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 5 µA @ 1 वी 3.6 वी 90 ओम
1N4761A-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4761A-TAP 0.3300
सराय
 ECAD 18 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 कट कट टेप (सीटी) शिर ± 5% 175 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4761 1.3 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µa @ 56 V 75 वी 175 ओम
MP805-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MP805-E3/54 -
सराय
 ECAD 1826 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut MP805 तमाम DO-204AL (DO-41) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 400 वी - 1 क -
LL4150GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division LL4150GS08 0.2000
सराय
 ECAD 53 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 LL4150 तमाम Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 2,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1 वी @ 200 एमए 4 एनएस 100 gapa @ 50 वी -55 ° C ~ 175 ° C 300ma 2.5pf @ 0v, 1MHz
30WQ04FNTRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 30WQ04FNTRR -
सराय
 ECAD 9054 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 30WQ04 schottky डी-सेह (to-252a तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 530 mV @ 3 ए 2 सना हुआ @ 40 वी -40 ° C ~ 150 ° C 3.5A -
AZ23B18-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23B18-HE3-18 0.0534
सराय
 ECAD 4218 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, AZ23 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Az23b18 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 gaba @ 14 वी 18 वी 50 ओम
DZ23C5V1-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division DZ23C5V1-HE3-08 0.0436
सराय
 ECAD 7309 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, DZ23 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DZ23 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 1 जोड़ी आम कैथोड 100 gaba @ 800 एमवी 5.1 वी 60 ओम
UGB8JTHE3_A/P Vishay General Semiconductor - Diodes Division Ugb8jthe3_a/p -
सराय
 ECAD 3808 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB Ugb8 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.75 वी @ 8 ए 50 एनएस 30 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
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  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

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    दुनिया भर में निर्माता

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AD9208BBPZ-3000

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