SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कड़ा पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
GBU8JL-5700E3/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GBU8JL-5700E3/51 -
सराय
ECAD 2144 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, GBU GBU8 तमाम जीबीयू - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1 1 वी @ 8 ए 5 µA @ 600 V 3.9 ए सिंगल फेज़ 600 वी
VS-S1662 Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस-वीएस 1662 -
सराय
ECAD 6581 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग S1662 - 112-एस-एस 1662 1
G3SBA20-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA20-E3/45 0.7722
सराय
ECAD 8193 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, GBU G3SBA20 तमाम जीबीयू तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 20 1 वी @ 2 ए 5 µa @ 200 वी 2.3 ए सिंगल फेज़ 200 वी
GDZ7V5B-HG3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ7V5B-HG3-18 0.0509
सराय
ECAD 9159 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, GDZ-G R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 GDZ7V5 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 ५०० सदाबहार @ ४ वी 7.5 वी 30 ओम
G3SBA20-M3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division G3SBA20-M3/45 0.8207
सराय
ECAD 4572 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-,, GBU G3SBA20 तमाम जीबीयू तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 1 वी @ 2 ए 5 µa @ 200 वी 2.3 ए सिंगल फेज़ 200 वी
BZX384B5V6-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B5V6-HE3-18 0.2800
सराय
ECAD 180 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX384 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384B5V6 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1 µa @ 2 वी 5.6 वी 40 ओम
VS-VS24BFR12LFJ Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VS24BFR12LFJ -
सराय
ECAD 9553 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग VS24 - 112-वीएस-वीएस 24 वाईआर 12 टी 1
AZ23C6V8-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C6V8-HE3_A-08 -
सराय
ECAD 5671 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, AZ23 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-AZ23C6V8-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 1 1 जोड़ी आम एनोड 2 @a @ 4 वी 6.8 वी 15 ओम
VS-96-1028PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-96-1028PBF -
सराय
ECAD 1597 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 112- -96-1028PBFTR शिर 800
BZD27B8V2P-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27B8V2P-M3-08 0.4200
सराय
ECAD 51 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZD27B-M R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27B8V2 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 1.2 वी @ 200 एमए 10 µa @ 3 वी 8.2 वी 2 ओम
BZX84B10-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B10-HE3-08 0.2600
सराय
ECAD 16 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B10 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 सवार @ 7 वी 10 वी 20 ओम
GSIB1580-5402E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GSIB1580-5402E3/45 -
सराय
ECAD 5210 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-SIP, GSIB-5S GSIB1580 तमाम जीएसआईबी -5 एस - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 1 950 mV @ 7.5 ए 10 µa @ 800 V 3.5 ए सिंगल फेज़ 800 वी
B380C800DM-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division B380C800DM-E3/45 0.6400
सराय
ECAD 4 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-((0.300 ", 7.62 मिमी) B380 तमाम डीएफएम तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 1 वी @ 900 एमए 10 µA @ 600 V 900 एमए सिंगल फेज़ 600 वी
VS-3C08ETOTT-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-3C08ETOTTOTTOTTOTTOTTOTTOTTOTTOTTOTTOTTOTTOTTOTTOTTOT -
सराय
ECAD 1708 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर - तमाम 112-VS-3C08ETOTTOTTOTTOTTOTTOTTOTTOTTOTTOTTOTTOTTOTTOTTOTTOTTOTTOTTOTTOTTOTTOTTOTTOTT Ear99 8541.10.0080 1
VS-6CWQ06FNHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-6CWQ06FNHM3 1.8800
सराय
ECAD 7123 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 6CWQ06 schottky डी-सेह (to-252a तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS-6CWQ06FNHM3GI Ear99 8541.10.0080 75 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 60 वी 3.5A 610 mV @ 3 ए 2 पायल @ 60 वी -40 ° C ~ 150 ° C
GI1403HE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GI1403HE3/45 -
सराय
ECAD 7047 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 GI1403 तमाम TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 975 mV @ 8 ए 35 एनएस 5 µa @ 150 V -65 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
ES3C-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES3C-E3/57T 0.6300
सराय
ECAD 1 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC ES3C तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 900 mV @ 3 ए 30 एनएस 10 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 45pf @ 4v, 1MHz
SML4752HE3/5A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Sml4752he3/5a -
सराय
ECAD 4985 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 10% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA Sml4752 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 7,500 5 µa @ 25.1 V 33 वी 45 ओम
VI30100CHM3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division Vi30100chm3/4w -
सराय
ECAD 3498 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी TMBS® नली शिर होल के kaytaumauth से To-262-3 लॉनch लीड lect, i ofpak, to-262aa VI30100 schottky To-262aa तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 15 ए 800 mV @ 15 ए 500 µA @ 100 वी -40 ° C ~ 150 ° C
BZX884B27L-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX884B27L-G3-08 0.3200
सराय
ECAD 9 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX884L R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur ०४०२ (१००६ सवार) BZX884 ३०० तंग DFN1006-2A तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 900 एमवी @ 10 एमए 50 सना 27 वी 80 ओम
LL4148-7 Vishay General Semiconductor - Diodes Division LL4148-7 -
सराय
ECAD 2003 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 Ll4148 तमाम Sod-80 sautun - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम LL4148-7GI Ear99 8541.10.0070 2,500 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 75 वी 1 वी @ 50 सना हुआ 8 एनएस 5 @a @ 75 वी 175 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 150ma 4pf @ 0v, 1MHz
VSIB10A60-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSIB10A60-E3/45 -
सराय
ECAD 6245 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-SIP, GSIB-5S Vsib10 तमाम जीएसआईबी -5 एस तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,200 1 वी @ 5 ए 10 µA @ 600 V 10 ए सिंगल फेज़ 600 वी
BZT52B56-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B56-HE3-08 0.0436
सराय
ECAD 6417 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 BZT52B56 ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 56 वी 135 ओम
VS-8EVH06HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8EVH06HM3/I 0.9100
सराय
ECAD 19 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 8EVH06 तमाम कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.4 वी @ 8 ए 25 एनएस 20 µa @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 8 ए -
1N5250C-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5250C-TAP 0.0288
सराय
ECAD 1929 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर ± 2% 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT 1N5250 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 30,000 1.1 वी @ 200 एमए 100 kaga @ 15 वी 20 वी 25 ओम
BZX384C10-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C10-E3-08 0.2400
सराय
ECAD 15 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX384 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384C10 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 200 सवार @ 7 वी 10 वी 20 ओम
BZX84B12-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B12-G3-08 0.2900
सराय
ECAD 6265 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX84-G R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B12 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 100 gapa @ 8 वी 12 वी 25 ओम
MMSZ4710-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4710-E3-18 0.0360
सराय
ECAD 8703 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ4710 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 10 सना हुआ @ 19 वी 25 वी
BZX384C33-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384C33-E3-18 0.0324
सराय
ECAD 3669 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX384 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384C33 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 50 सना 33 वी 80 ओम
TZM5255C-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5255C-GS08 -
सराय
ECAD 7611 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZM5255 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.1 वी @ 200 एमए 100 kaga @ 21 वी 28 वी 44 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम