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अफ़र्यास

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
1N4935GP-M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N4935GP-M3/54 -
सराय
 ECAD 1068 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut 1N4935 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.2 वी @ 1 ए 200 एनएस 5 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
VS-30CPU04-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CPU04-N3 6.5200
सराय
 ECAD 14 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® नली शिर होल के kaytaumauth से To-247-3 30CPU04 तमाम To247ac तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 25 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 400 वी 15 ए 1.25 वी @ 15 ए 46 एनएस 10 µA @ 400 V -65 ° C ~ 175 ° C
VS-SD303C25S20C Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD303C25S20C 116.8133
सराय
 ECAD 7634 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग सराय DO-200AA, A-PUK SD303 तमाम DO-200AA, A-PUK तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 12 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 2500 वी 2.26 वी @ 1100 ए 2 µs 35 पायल @ 2500 वी 350A -
PB5006-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division PB5006-E3/45 4.4200
सराय
 ECAD 4 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी isocink+™ नली शिर -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-एसआईपी, पीबी PB5006 तमाम isocink+™ pb तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 20 1.1 वी @ 22.5 ए 10 µA @ 600 V 45 ए सिंगल फेज़ 600 वी
BZX85C16-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX85C16-TR 0.3800
सराय
 ECAD 17 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX85 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut BZX85C16 1.3 डब DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 5,000 ५०० सदा 16 वी 15 ओम
MBR7H60-E3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MBR7H60-E3/45 -
सराय
 ECAD 9983 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-2 MBR7 schottky TO-220AC तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 730 mV @ 7.5 ए 50 µa @ 60 V -65 ° C ~ 175 ° C 7.5a -
V20PWM153CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V20pwm153chm3/i 0.4950
सराय
 ECAD 8516 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 schottky कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 112-V20PWM153CHM3/ITR Ear99 8541.10.0080 4,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 10 ए 980 mV @ 10 ए 100 µa @ 150 V -40 ° C ~ 175 ° C
SMZJ3804B-E3/5B Vishay General Semiconductor - Diodes Division SMZJ3804B-E3/5B 0.1546
सराय
 ECAD 8092 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-214AA, SMB SMZJ3804 1.5 डब DO-214AA (SMBJ) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,200 5 @a @ 32.7 V 43 वी 53 ओम
BZG03C24-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03C24-M3-18 0.1815
सराय
 ECAD 7243 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG03C-M R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5.83% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG03C24 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 500 एमए 1 µa @ 18 V 24 वी 15 ओम
V10PM63-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10pm63-m3/i 0.2549
सराय
 ECAD 6 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन schottky To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 112-V10PM63-M3/ITR Ear99 8541.10.0080 6,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 650 mV @ 10 ए 25 µa @ 60 V -40 ° C ~ 175 ° C 4.5a 2060pf @ 4v, 1MHz
SML4728-E3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4728-E3/61 -
सराय
 ECAD 4739 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA Sml4728 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 100 µA @ 1 वी 3.3 वी 10 ओम
BAS40-00-G3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS40-00-G3-18 0.0524
सराय
 ECAD 8987 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS40 schottky -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 40 वी 1 वी @ 40 एमए 5 एनएस 100 gapa @ 30 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 200MA 5pf @ 0v, 1MHz
BZD27C5V1P-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZD27C5V1P-HE3-18 0.1520
सराय
 ECAD 2444 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZD27C R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-219ab BZD27C5V1 800 सभा Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 50,000 1.2 वी @ 200 एमए 5 µA @ 1 वी 5.1 वी 6 ओम
SD103A-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD103A-TR 0.3500
सराय
 ECAD 45 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT SD103 schottky DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 600 एमवी @ 200 एमए 10 एनएस 5 µa @ 30 V 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) - 50pf @ 0v, 1MHz
V10P22C-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10P22C-M3/I 0.3465
सराय
 ECAD 4425 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन schottky To-277a (SMPC) तंग तमाम 112-V10P22C-M3/ITR Ear99 8541.10.0080 6,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 3.2 ए 930 mV @ 5 ए 100 µA @ 200 वी -40 ° C ~ 175 ° C
SML4747HE3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4747HE3/61 -
सराय
 ECAD 6392 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 10% -65 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA Sml4747 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 5 µa @ 15.2 V 20 वी 22 ओम
VS-VSKJ56/06 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKJ56/06 36.2300
सराय
 ECAD 9423 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला ADD-A-PAK (3) VSKJ56 तमाम Add-a-Pak® तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSVSKJ5606 Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम एनोड 600 वी 30 ए 10 सना हुआ @ 600 वी -40 ° C ~ 150 ° C
EGL41CHE3/96 Vishay General Semiconductor - Diodes Division EGL41CHE3/96 -
सराय
 ECAD 6539 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur Do-213ab, melf (s गthapha) EGL41 तमाम Do-213ab तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 1 वी @ 1 ए 50 एनएस 5 µa @ 150 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 20pf @ 4v, 1MHz
V8P12-M3/86A Vishay General Semiconductor - Diodes Division V8P12-M3/86A 0.8500
सराय
 ECAD 5 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन V8P12 schottky To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 120 वी 840 mV @ 8 ए 300 µA @ 120 V -40 ° C ~ 150 ° C 8 ए -
V30DM153CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V30dm153chm3/i 1.9300
सराय
 ECAD 2 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 लीड + टैब) schottky TO-263AC (SMPD) तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 15 ए 960 mV @ 15 ए 100 µa @ 150 V -40 ° C ~ 175 ° C
MMBZ5253C-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5253C-G3-08 -
सराय
 ECAD 7076 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5253 २२५ सदाचार -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 100 सवार @ 19 वी 25 वी 35 ओम
RGP15BHE3/73 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP15BHE3/73 -
सराय
 ECAD 4348 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT RGP15 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 1.3 वी @ 1.5 ए 150 एनएस 5 µA @ 100 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1.5 ए -
BZG03B12-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG03B12-M3-18 0.2228
सराय
 ECAD 2395 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG03B-M R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG03B12 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 500 एमए 3 µa @ 9.1 V 12 वी 7 ओम
SS22S-E3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS22S-E3/61T 0.1002
सराय
 ECAD 3881 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB SS22 schottky DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 20 वी 550 mV @ 2 ए 200 @a @ 20 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
BZX84C4V3-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C4V3-HE3_A-08 0.0498
सराय
 ECAD 6493 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-BZX84C4V3-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 3 µa @ 1 वी 4.3 वी 90 ओम
TZQ5266B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZQ5266B-GS18 0.0303
सराय
 ECAD 1021 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण TZQ5266 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 100 पायल @ 52 वी 68 वी 230 ओम
BZX84B20-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B20-HE3-18 0.0341
सराय
 ECAD 7675 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B20 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 ५० सटीक @ १४ 20 वी 55 ओम
MMBZ5226C-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5226C-G3-08 -
सराय
 ECAD 4525 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5226 २२५ सदाचार -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 25 µa @ 1 वी 3.3 वी 28 ओम
FGP10DHM3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division FGP10DHM3/54 -
सराय
 ECAD 5736 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut FGP10 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 950 mV @ 1 ए 35 एनएस 2 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 25pf @ 4v, 1MHz
TZMC51-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC51-GS18 0.0303
सराय
 ECAD 5624 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, TZM R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZMC51 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 39 वी 51 वी 125 ओम
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

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AD9208BBPZ-3000

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