SIC
close
छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कड़ा पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग अफ़सस तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
BZG05B62-HM3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG05B62-HM3-18 0.2079
सराय
ECAD 9853 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZG05B-M R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG05B62 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 6,000 1.2 वी @ 200 एमए ५०० पायल @ ४ वी वी 62 वी 125 ओम
BZX84C6V8-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C6V8-E3-08 0.2300
सराय
ECAD 65 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX84 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84C6V8 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 3 µa @ 4 वी 6.8 वी 15 ओम
VS-74-7783 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-74-7783 -
सराय
ECAD 4482 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग 74-7783 - 112- -74-7783 1
VS-1EFH02W-M3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-1EFH02W-M3-18 -
सराय
ECAD 1348 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur Do-219ab 1efh02 तमाम Do-219ab (SMF) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 930 mV @ 1 ए 16 एनएस 2 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क -
MMSZ5240B-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5240B-HE3_A-18 0.0549
सराय
ECAD 5758 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ५०० तंग सोद -123 तंग 112-MMSZ5240B-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10,000 900 एमवी @ 10 एमए 3 µa @ 8 V 10 वी 17 ओम
BAS70-04-E3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAS70-04-E3-18 0.4000
सराय
ECAD 9 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BAS70 schottky -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 10,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 1 अराध्यना 70 वी 200ma (डीसी) 1 वी @ 15 सना हुआ 5 एनएस 100 gapa @ 50 वी -55 ° C ~ 125 ° C
MMBZ4693-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4693-HE3-18 -
सराय
ECAD 5901 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4693 ३५० तंग -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 10 µa @ 5.7 V 7.5 वी
BZT52C43-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52C43-E3-08 0.2700
सराय
ECAD 17 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 BZT52C43 ४१० सभा सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 100 gaba @ 32 वी 43 वी 60 ओम
MMBZ4702-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ4702-G3-08 -
सराय
ECAD 5632 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ4702 ३५० तंग -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 ५० सदाबहार @ ११.४ वी 15 वी
SBL1040CTHE3/45 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SBL1040CTHE3/45 -
सराय
ECAD 8143 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 SBL1040 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 40 वी 5 ए 550 एमवी @ 5 ए 500 µA @ 40 V -40 ° C ~ 125 ° C
V3P22HM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V3p22hm3/h 0.4900
सराय
ECAD 11 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, ESMP®, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-220AA V3p22 schottky DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 940 mV @ 3 ए 50 µa @ 200 वी -40 ° C ~ 175 ° C 1.7 ए 120pf @ 4v, 1MHz
V10150S-M3/4W Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10150S-M3/4W 0.5914
सराय
ECAD 5499 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से To-220-3 V10150 schottky To-220-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 1.2 वी @ 10 ए 150 µA @ 150 V -40 ° C ~ 150 ° C 10 ए -
B340A-M3/61T Vishay General Semiconductor - Diodes Division B340A-M3/61T 0.4200
सराय
ECAD 17 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA बी 340 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 3 ए 500 µA @ 40 V -65 ° C ~ 150 ° C 3 ए -
BZG04-200-M3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZG04-200-M3-08 0.5400
सराय
ECAD 2052 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZG04-M R टेप ray ryील (ther) शिर - 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AC, SMA BZG04-200 1.25 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,500 1.2 वी @ 500 एमए 5 µa @ 200 वी 240 वी
BYT28B-400-E3/81 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BYT28B-400-E3/81 -
सराय
ECAD 6559 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB BYT28 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 400 वी 5 ए 1.3 वी @ 5 ए 50 एनएस 10 µA @ 400 V -40 ° C ~ 150 ° C
BZX84C4V3-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84C4V3-HE3_A-08 0.0498
सराय
ECAD 6493 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 ३०० तंग -23-3 तंग 112-BZX84C4V3-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 3 µa @ 1 वी 4.3 वी 90 ओम
BZX84B20-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B20-HE3-18 0.0341
सराय
ECAD 7675 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX84 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B20 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 ५० सटीक @ १४ 20 वी 55 ओम
TZQ5266B-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZQ5266B-GS18 0.0303
सराय
ECAD 1021 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण TZQ5266 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 100 पायल @ 52 वी 68 वी 230 ओम
PLZ4V3A-HG3_A/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Plz4v3a-hg3_a/h 0.3600
सराय
ECAD 9 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, plz R टेप ray ryील (ther) शिर ± 3% 150 ° C (TJ) सतह rurcur Do-219ac Plz4v3 960 अराय Do-219ac (microsmf) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 4,500 900 एमवी @ 10 एमए 5 µA @ 1 वी 4.17 वी 40 ओम
GP30JHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GP30JHE3/54 -
सराय
ECAD 6121 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, SUPERECTIFIER® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-2011ad, lectun GP30 तमाम Do-201ad तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 1,400 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.1 वी @ 3 ए 5 μs 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 3 ए -
MMSZ5227C-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5227C-HE3_A-18 -
सराय
ECAD 1778 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ५०० तंग सोद -123 तंग 112-MMSZ5227C-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 1 900 एमवी @ 10 एमए 15 µa @ 1 वी 3.6 वी 24 ओम
MMSZ5227C-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5227C-E3-08 0.3200
सराय
ECAD 3 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ5227 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 15 µa @ 1 वी 3.6 वी 24 ओम
VS-T85HF100 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-T85HF100 32.3740
सराय
ECAD 6428 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अँगुला डी -55 टी -मॉड T85 तमाम -55 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1000 वी २० सना @ १००० वी 85 ए -
SD600N25PC Vishay General Semiconductor - Diodes Division SD600N25PC -
सराय
ECAD 1802 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म बी -8 SD600 तमाम बी -8 तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम *SD600N25PC Ear99 8541.10.0080 6 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 2500 वी 1.44 वी @ 1500 ए 35 पायल @ 2500 वी -40 ° C ~ 150 ° C 600 ए -
RGP10JHE3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10JHE3/54 -
सराय
ECAD 1405 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut RGP10 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.3 वी @ 1 ए 250 एनएस 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
ZMM5265B-7 Vishay General Semiconductor - Diodes Division ZMM5265B-7 -
सराय
ECAD 4599 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C (TJ) सतह rurcur Do-213aa ZMM52 ५०० तंग मिनी मेल तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 100 gaba @ 47 वी 62 वी 185 ओम
BZX84B18-E3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX84B18-E3-08 0.2400
सराय
ECAD 11 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX84 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BZX84B18 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 3,000 ५० सटीक 18 वी 45 ओम
VS-5EAH02-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-5EAH02-M3/H 0.5800
सराय
ECAD 300 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® R टेप ray ryील (ther) शिर अफ़स 2-वीडीएफएन VS-5EAH02 तमाम DFN3820A तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8541.10.0080 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 970 mV @ 5 ए 25 एनएस 4 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C 5 ए -
MPG06KHE3_A/53 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MPG06KHE3_A/53 0.1487
सराय
ECAD 4106 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से Mpg06, lectun Mpg06 तमाम Mpg06 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 800 वी 1.1 वी @ 1 ए 600 एनएस 5 µA @ 800 V -55 ° C ~ 150 ° C 1 क 10pf @ 4v, 1MHz
MMSZ5238B-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5238B-HE3_A-08 0.0549
सराय
ECAD 4689 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ५०० तंग सोद -123 तंग 112-MMSZ5238B-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 900 एमवी @ 10 एमए 3 µA @ 6.5 V 8.7 वी 8 ओम
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम