SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस तंग वोलmut - r डीसी rayrachuth (वीआ ri) (अधिकतम) सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ तमाम वोलmuth - वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt)
VS-88-6676 Vishay General Semiconductor - Diodes Division वीएस -88-6676 -
सराय
ECAD 9645 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग 88-6676 - 112-‘-88-6676 1
AZ23C22-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C22-G3-08 0.0483
सराय
ECAD 3710 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी एज़ 23-एज़ R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C22 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 gaba @ 17 वी 22 वी 55 ओम
RS2A-M3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division RS2A-M3/5BT 0.1142
सराय
ECAD 1482 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB RS2A तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,200 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 50 वी 1.3 वी @ 1.5 ए 150 एनएस 5 µa @ 50 वी -55 ° C ~ 150 ° C 1.5 ए 20pf @ 4v, 1MHz
VS-15CTQ045STRR-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15CTQ045STRRRR-M3 0.6747
सराय
ECAD 2894 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 15CTQ045 schottky To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 7.5a 550 mV @ 7.5 ए 800 µA @ 45 V -55 ° C ~ 150 ° C
VLZ47-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VLZ47-GS18 -
सराय
ECAD 2650 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, VLZ R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Sod-80 sauturण Vlz47 ५०० तंग Sod-80 SAUTAUTHURA तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 40 µA @ 41.8 V 46.5 वी 90 ओम
GDZ8V2B-HG3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division GDZ8V2B-HG3-18 0.0509
सराय
ECAD 5013 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, GDZ-G R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 GDZ8V2 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 ५०० सदाबहार @ ५ वी 8.2 वी 30 ओम
UH1PC-M3/85A Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH1PC-M3/85A 0.0903
सराय
ECAD 7467 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-220AA UH1 तमाम DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 10,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 1.05 वी @ 1 ए 40 एनएस 1 µa @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C 1 क 16PF @ 4V, 1MHz
TZMC20-GS18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZMC20-GS18 0.2300
सराय
ECAD 5 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, TZM R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZMC20 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 100 kaga @ 15 वी 20 वी 55 ओम
MMSZ5232B-HE3_A-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5232B-HE3_A-08 0.0549
सराय
ECAD 3588 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ५०० तंग सोद -123 तंग 112-MMSZ5232B-HE3_A-08TR Ear99 8541.10.0050 15,000 900 एमवी @ 10 एमए 5 µa @ 3 वी 5.6 वी 11 ओम
MMSZ5257C-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ5257C-HE3-18 0.0454
सराय
ECAD 8317 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ5257 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 100 gaba @ 25 वी 33 वी 58 ओम
BZX55C10-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55C10-TR 0.2300
सराय
ECAD 47 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX55 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX55C10 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 100 gapa @ 7.5 वी 10 वी 15 ओम
VS-45APS16LHM3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-45APS16LHM3 3.9300
सराय
ECAD 158 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 कट कट टेप (सीटी) शिर होल के kaytaumauth से से 3P-3, SC-65-3 45aps16 तमाम To-247ad (to-3p) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 25 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1600 वी 1.16 V @ 45 ए 100 µA @ 1600 वी -40 ° C ~ 150 ° C 45 ए -
KBL08-E4/51 Vishay General Semiconductor - Diodes Division KBL08-E4/51 2.9800
सराय
ECAD 4995 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -50 ° C ~ 150 ° C (TJ) होल के kaytaumauth से 4-सिप, केबीएल Kbl08 तमाम Kbl तंग Rohs3 आजthabaira तंग तमाम Ear99 8541.10.0080 300 1.1 वी @ 4 ए 5 µA @ 800 V 4 ए सिंगल फेज़ 800 वी
VS-8CVH02HM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8CVH02HM3/I 0.9900
सराय
ECAD 222 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, एईसी-क emach 101, फmurेड पीटी® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 8CVH02 तमाम कांपना तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 4 ए 1.14 वी @ 8 ए 25 एनएस 4 µa @ 200 वी -55 ° C ~ 175 ° C
BZT52B47-HE3_A-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZT52B47-HE3_A-18 0.0533
सराय
ECAD 3447 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZT52 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% 150 ° C (TJ) सतह rurcur सोद -123 ३०० तंग सोद -123 तंग 112-BZT52B47-HE3_A-18TR Ear99 8541.10.0050 10,000 100 gaba @ 35 वी 47 वी 97 ओम
AZ23C4V3-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C4V3-G3-08 0.0483
सराय
ECAD 4609 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी एज़ 23-एज़ R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Az23c4v3 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 1 जोड़ी आम एनोड 4.3 वी 95 ओम
SS2P4-M3/84A Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS2P4-M3/84A 0.4600
सराय
ECAD 76 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-220AA SS2P4 schottky DO-220AA (SMP) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 550 mV @ 2 ए 150 µA @ 40 वी -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए 110pf @ 4v, 1MHz
VS-80-5694 Vishay General Semiconductor - Diodes Division -80-5694 -
सराय
ECAD 8989 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक तंग 80-5694 - 112-‘-80-5694 1
V2NL63-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V2nl63-m3/i 0.3900
सराय
ECAD 5098 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी अफ़रोट, AEC-Q101, TMBS® R टेप ray ryील (ther) शिर अफ़स 2-वीडीएफएन V2nl63 schottky DFN3820A तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 14,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 580 mV @ 2 ए 50 µa @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C 1.8a 360pf @ 4v, 1MHz
TZX33C-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZX33C 0.2300
सराय
ECAD 29 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, TZX R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT TZX33 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 1 µa @ 25 वी 33 वी 120 ओम
ES3CHE3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ES3CHE3/57T -
सराय
ECAD 6202 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC ES3 तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 150 वी 900 mV @ 3 ए 30 एनएस 10 µa @ 150 V -55 ° C ~ 150 ° C 3 ए 45pf @ 4v, 1MHz
VS-15ETH06FP-N3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-15ETH06FP-N3 1.8500
सराय
ECAD 295 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 15ETH06 तमाम TO-220-2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS15ETH06FPN3 Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 2.2 वी @ 15 ए 29 एनएस 40 µa @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 15 ए -
TZM5233B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TZM5233B-GS08 0.2300
सराय
ECAD 6 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 TZM5233 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.1 वी @ 200 एमए 5 µa @ 3.5 V 6 वी 7 ओम
VSSAF3L63-M3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division VSSAF3L63-M3/H 0.4800
सराय
ECAD 1996 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी अफ़रोट, AEC-Q101, TMBS® कट कट टेप (सीटी) शिर सतह rurcur Do-221ac, sma ktur VSSAF3L63 schottky DO-221AC (SLIMSMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 60 वी 540 mV @ 3 ए 70 µA @ 60 V -40 ° C ~ 150 ° C 2.5a 680pf @ 4v, 1MHz
USB260HE3/5BT Vishay General Semiconductor - Diodes Division USB260HE3/5BT -
सराय
ECAD 9602 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB USB260 तमाम DO-214AA (SMB) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,200 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.6 वी @ 2 ए 30 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 150 ° C 2 ए -
BZX55B2V4-TR Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX55B2V4-TR 0.2200
सराय
ECAD 29 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ऑटोमोटिव, AEC-Q101, BZX55 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -65 ° C ~ 175 ° C होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BZX55B2V4 ५०० तंग DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 1.5 वी @ 200 एमए 50 µa @ 1 वी 2.4 वी 85 ओम
VS-87HF20 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-87HF20 8.8076
सराय
ECAD 2477 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर चेसिस, अफ़म Do-203ab, do-5, s सmunt 87HF20 तमाम DO-203AB (DO-5) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS87HF20 Ear99 8541.10.0080 100 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.2 वी @ 267 ए -65 ° C ~ 180 ° C 85 ए -
VS-10ETF02STRLPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETF02STRLPBF -
सराय
ECAD 1895 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 10ETF02 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS10ETF02STRLPBF Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.2 वी @ 10 ए 200 एनएस 100 µA @ 200 वी -40 ° C ~ 150 ° C 10 ए -
SS1H10HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS1H10HE3_A/I -
सराय
ECAD 5574 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AC, SMA SS1H10 schottky DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 7,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 770 mV @ 1 ए 1 @a @ 100 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क -
MURS260HE3_A/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Murs260he3_a/i 0.1518
सराय
ECAD 8515 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AA, SMB Murs260 तमाम DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,200 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1.45 वी @ 2 ए 75 एनएस 5 µA @ 600 V -65 ° C ~ 175 ° C 2 ए -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम