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अफ़र्यास

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी तंगर - अफ़म शराबी इनपुट सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम अफ़सस सराफक - पकड़ (ih) (अधिकतम) वोलmume - स स सराफक - रत्य (आ (rirएमएस))) वोलmut - गेट टthurryrir (वीजीटी) (अधिकतम) सराफक - रोंग Rachirch ५०, ६० हर्ट्ज (ITSM) सराफक - गेट ट टthurraurir (igt) (अधिकतम) अफ़मू - रत्य (वीटीएम) (वीटीएम) सराफक - रींगस, (एवी (एवी)) (अधिकतम) (अधिकतम) सराफक - ऑफ स स तपस्वी तंग वोलmust - r डीसी rayrachuth (वीआ वीआ वीआ अधिकतम () सराफक - औसत rayair (io) वोलmut - rayraurcur (वीएफ) (अधिकतम) @ @ रत्य अय्यरस सराफक - रत्य ऑप raytamanaume - जंक सराफक - औसत ranair (io) कैपेसिटेंस @ @ सियार, अफ़र Igbt पthurair वोलmus - कलेकthur dir एमिटrasanauras (अधिकतम) सराफक - अट्योर (आईसी) Vce (on) (अधिकतम) @ vge, ic सराफक - कनरस एनटीसी rabuthauthur वोलmut - r ज़ेन r (एनओएम) (वीजेड) अफ़रदाना (अधिकतम) (zzt) इनपुट इनपुट (cies) @ vce
BAT82S-TAP Vishay General Semiconductor - Diodes Division BAT82S-TAP 0.0429
सराय
 ECAD 1610 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 टेप ray r बॉकtun (टीबी) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AH, DO-35, SAUSCUNT BAT82 schottky DO-35 (DO-204AH) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0070 50,000 Vaba संकेत = <200ma (io), कोई गति गति गति 50 वी 1 वी @ 15 सना हुआ 200 gapa @ 50 वी 125 डिग्री सेल्सियस (अधिकतम) 30ma 1.6pf @ 1V, 1MHz
IRKL27/12A Vishay General Semiconductor - Diodes Division Irkl27/12a -
सराय
 ECAD 3091 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TJ) अँगुला ADD-A-PAK (3 + 2) Irkl27 अफ़रपस - तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 10 200 एमए 1.2 केवी 60 2.5 वी 400A, 420A १५० सना हुआ 27 ए 1 सरा
VS-ST780C06L0 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST780C06L0 151.2433
सराय
 ECAD 8146 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C अँगुला TO-200AC, B-PUK ST780 TO-200AC, B-PUK तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.30.0080 3 ६०० सना हुआ 600 वी 2700 ए 3 वी 24400A, 25600A 200 एमए 1.31 वी 1350 ए 80 सना हुआ तंग
TLZ5V1B-GS08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division TLZ5V1B-GS08 0.2500
सराय
 ECAD 11 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर - -65 ° C ~ 175 ° C सतह rurcur Do-213ac, मिनी- melf, sod-80 Tlz5v1 ५०० तंग Sod-80 sautun तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 2,500 1.5 वी @ 200 एमए 2 @a @ 2 वी 5.1 वी 20 ओम
VS-ST110S16P0PBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST110S16P0PBF 82.7640
सराय
 ECAD 5197 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C चेसिस, अफ़म से -209ac, से 94-4, lectun ST110 से -209ac (से 94) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Vsst110s16p0pbf Ear99 8541.30.0080 25 ६०० सना हुआ 1.6 केवी 175 ए 3 वी 2700 ए, 2830 ए १५० सना हुआ 1.52 वी 110 ए २० सना हुआ तंग
UH4PCC-M3/87A Vishay General Semiconductor - Diodes Division UH4PCC-M3/87A -
सराय
 ECAD 6119 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी ESMP® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur To-277, 3-rayhirडफन UH4 तमाम To-277a (SMPC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 6,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 150 वी 2 ए 1.05 V @ 2 ए 25 एनएस 5 µa @ 150 V -55 ° C ~ 175 ° C
ESH3B-E3/57T Vishay General Semiconductor - Diodes Division ESH3B-E3/57T 0.3208
सराय
 ECAD 7039 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC Esh3 तमाम DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 850 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 100 वी 900 mV @ 3 ए 40 एनएस 5 µA @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C 3 ए -
20ETF02STRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 20ETF02STRR -
सराय
 ECAD 8373 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 20ETF02 तमाम To-263ab (dicpak) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.3 वी @ 20 ए 160 एनएस 100 µA @ 200 वी -40 ° C ~ 150 ° C 20 ए -
VS-SD1100C12L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-SD1100C12L 106.9500
सराय
 ECAD 3762 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर अफ़सीर DO-200AA, A-PUK SD1100 तमाम बी -43, पीयूके पीयूके तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 1200 वी 1.31 वी @ 1500 ए 15 सना हुआ @ 1200 वी 1170A -
1N5614GP-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division 1N5614GP-E3/54 -
सराय
 ECAD 5596 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT 1N5614 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,000 तंगर, 500ns,> 200ma (io) 200 वी 1.2 वी @ 1 ए 2 µs ५०० सदाबहार @ २०० वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 45pf @ 12v, 1MHz
MMSZ4702-HE3-18 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMSZ4702-HE3-18 0.0378
सराय
 ECAD 6576 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur सोद -123 MMSZ4702 ५०० तंग सोद -123 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 10,000 ५० सदाबहार @ ११.४ वी 15 वी
V6PWM45CHM3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division V6pwm45chm3/i 0.3496
सराय
 ECAD 8614 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 schottky कांपना तंग तमाम 112-v6pwm45chm3/itr Ear99 8541.10.0080 4,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 45 वी 3 ए 590 mV @ 3 ए 25 µa @ 45 V -40 ° C ~ 175 ° C
RGF1M-7000HE3/5CA Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGF1M-7000HE3/5CA -
सराय
 ECAD 5113 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, SUPERECTIFIER® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay सतह rurcur Do-214ba Rgf1 तमाम DO-214BA (GF1) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 6,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.3 वी @ 1 ए 500 एनएस 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 8.5pf @ 4v, 1MHz
RGP10M-5304M3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division RGP10M-5304M3/54 -
सराय
 ECAD 4590 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सिन्ट -® R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से Do-204al, do-41, s अकchut RGP10 तमाम DO-204AL (DO-41) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 5,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.3 वी @ 1 ए 500 एनएस 5 µA @ 1000 V -65 ° C ~ 175 ° C 1 क 15pf @ 4v, 1MHz
SS34-E3/9AT Vishay General Semiconductor - Diodes Division SS34-E3/9AT 0.6000
सराय
 ECAD 46 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur DO-214AB, SMC SS34 schottky DO-214AB (SMC) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 3,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 40 वी 500 एमवी @ 3 ए 500 µA @ 40 V -55 ° C ~ 125 ° C 3 ए -
SE10DLJ-M3/I Vishay General Semiconductor - Diodes Division Se10dlj-m3/i 0.5280
सराय
 ECAD 9390 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 लीड + टैब) तमाम TO-263AC (SMPD) तंग तमाम 112-SE10DLJ-M3/ITR Ear99 8541.10.0080 2,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 600 वी 1 वी @ 10 ए 280 एनएस 5 µA @ 600 V -55 ° C ~ 175 ° C 3.6A 70pf @ 4v, 1MHz
VS-VSKL105/10 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-VSKL105/10 43.3290
सराय
 ECAD 2105 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 130 ° C (TJ) अँगुला ADD-A-PAK (3 + 4) VSKL105 अफ़रपस - तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSVSKL10510 Ear99 8541.30.0080 10 २५० सना हुआ 1 केवी 235 ए 2.5 वी 2000 ए, 2094 ए १५० सना हुआ 105 ए 1 सरा
MMBZ5251B-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MMBZ5251B-G3-08 -
सराय
 ECAD 5240 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMBZ5251 २२५ सदाचार -23-3 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 100 gaba @ 17 वी 22 वी 29 ओम
V10KM120CHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division V10km120chm3/h 0.3557
सराय
 ECAD 6969 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur 8-पॉव schottky फmut (5x6) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम 112-V10KM120CHM3/HTR Ear99 8541.10.0080 1,500 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 120 वी 3.9A 830 mV @ 5 ए 200 @a @ 120 V -40 ° C ~ 175 ° C
VS-30CTH02S-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-30CTH02S-M3 1.5800
सराय
 ECAD 9 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® नली शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 30CTH02 तमाम To-263ab (dicpak) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS-30CTH02S-M3GI Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 15 ए 1.05 वी @ 15 ए 35 एनएस 10 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C
AZ23C15-HE3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division AZ23C15-HE3-08 0.0436
सराय
 ECAD 8707 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101, AZ23 R टेप ray ryील (ther) तंग ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 AZ23C15 ३०० तंग -23-3 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 1 जोड़ी आम एनोड 100 gaba @ 11 वी 15 वी 30 ओम
SML4739HE3/61 Vishay General Semiconductor - Diodes Division SML4739HE3/61 -
सराय
 ECAD 3919 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 10% 150 ° C सतह rurcur DO-214AC, SMA Sml4739 1 डब DO-214AC (SMA) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 1,800 10 µa @ 7 V 9.1 वी 5 ओम
VS-8CWH02FNTRL-M3 Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-8CWH02FNTRL-M3 0.4576
सराय
 ECAD 2454 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी फtrेड पीटी® R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-252-3, DPAK (2 टैब + टैब), SC-63 8CWH02 तमाम डी-सेह (to-252a तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VS8CWH02FNTRLM3 Ear99 8541.10.0080 3,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 200 वी 4 ए 950 mV @ 4 ए 27 एनएस 4 µa @ 200 वी -65 ° C ~ 175 ° C
SMZJ3803BHM3/H Vishay General Semiconductor - Diodes Division Smzj3803bhm3/h -
सराय
 ECAD 9480 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी सियार, AEC-Q101 R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay ± 5% -55 ° C ~ 150 ° C (TJ) सतह rurcur DO-214AA, SMB Smzj38 1.5 डब DO-214AA (SMB) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 750 5 @a @ 29.7 V 39 वी 45 ओम
VS-EMG050J60N Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-EMG050J60N -
सराय
 ECAD 6340 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर 150 ° C (TJ) अँगुला Imipak2 EMG050 338 डब तमाम Imipak2 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Vsemg050J60N Ear99 8541.29.0095 56 तंग - 600 वी 88 ए 2.1V @ 15V, 50 ए 100 µa तमाम 9.5 एनएफ @ 30 वी
BZX384B47-G3-08 Vishay General Semiconductor - Diodes Division BZX384B47-G3-08 0.0445
सराय
 ECAD 9730 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी BZX384-G R टेप ray ryील (ther) शिर ± 2% -55 ° C ~ 150 ° C सतह rurcur SC-76, SOD-323 BZX384B47 200 सभा Sod -323 तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0050 15,000 ५० सदाबहार @ ३२.९ 47 वी 170 ओम
VS-ST230C08C0L Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-ST230C08C0L 67.6500
सराय
 ECAD 1735 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - थोक शिर -40 ° C ~ 125 ° C अँगुला TO-200AB, A-PUK एसटी 230 TO-200AB, A-PUK तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम VSST230C08C0L Ear99 8541.30.0080 12 ६०० सना हुआ 800 वी 780 ए 3 वी 4800A, 5000A १५० सना हुआ 1.69 वी 410 ए ३० सना हुआ तंग
16CTQ100STRR Vishay General Semiconductor - Diodes Division 16CTQ100STRR -
सराय
 ECAD 2861 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर सतह rurcur TO-263-3, DICPAK (2 टैब + टैब), TO-263AB 16CTQ schottky To-263ab (dicpak) तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 800 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1 जोड़ी आम कैथोड 100 वी 8 ए 720 mV @ 8 ए 550 @a @ 100 वी -55 ° C ~ 175 ° C
MUR140-E3/54 Vishay General Semiconductor - Diodes Division MUR140-E3/54 -
सराय
 ECAD 5223 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - R टेप ray ryील (ther) शिर होल के kaytaumauth से DO-204AC, DO-15, SAUTCUNT Mur140 तमाम DO-204AC (DO-15) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 4,000 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 400 वी 1.25 वी @ 1 ए 75 एनएस 5 @a @ 400 वी -65 ° C ~ 175 ° C 1 क -
VS-10ETF10FPPBF Vishay General Semiconductor - Diodes Division VS-10ETF10FPPBF -
सराय
 ECAD 7131 0.00000000 विशेहे क्यूबसरी - नली शिर होल के kaytaumauth से TO-220-2 10ETF10 तमाम To-220ac फुल पैक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8541.10.0080 50 तेजी तेजी से वसूली = <500ns,> 200ma (io) 1000 वी 1.33 वी @ 10 ए 310 एनएस -40 ° C ~ 150 ° C 10 ए -
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