SIC
close
छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना रत्न सराय तमाम सवार तमाम कन (अधिकतम) तंग रत्य अफ़र अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग तमाम पंकth -yauraunada सराफक रसीला R प rayrतिirोधirोध (ther) (अधिकतम अधिकतम) पtranama @
MFBM1V2012-800-R Eaton - Electronics Division MFBM1V2012-800-R 0.1000
सराय
ECAD 5 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBM1V2012 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.047" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.20 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) 0.043 ”(1.10 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8504.50.8000 4,000 अफ़सीर 1 3 ए 40mohm 80 @ @ 100 सराय
MFBW1V2012-700-R Eaton - Electronics Division MFBW1V2012-700-R 0.1000
सराय
ECAD 363 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBW1V2012 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.047" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.20 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) 0.043 ”(1.10 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 283-MFBW1V2012-700-RTR Ear99 8504.50.8000 4,000 - 1 2.5a 80mohm 70 k @ 100 सरायम
MFBW1V1005-000-R Eaton - Electronics Division MFBW1V1005-000-R 0.1000
सराय
ECAD 19 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBW1V1005 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) सतह rurcur ०४०२ 0.026 "(0.65 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8504.50.8000 10,000 - 1 800ma 40mohm 0 k @ 100 सराय
MFBM1V2012-181-R Eaton - Electronics Division MFBM1V2012-181-R 0.0189
सराय
ECAD 1856 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBM1V2012 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.047" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.20 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) 0.043 ”(1.10 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 283-MFBM1V2012-181-RTR Ear99 8504.50.8000 4,000 अफ़सीर 1 2.5a 80mohm 180 ओम @ 100 सारा
MFBM1V2012-151-R Eaton - Electronics Division MFBM1V2012-151-R 0.1000
सराय
ECAD 795 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBM1V2012 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.047" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.20 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) 0.043 ”(1.10 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8504.50.8000 4,000 अफ़सीर 1 2.5a 80mohm १५० @ @ १०० तंग
MFBA2V1608-800-R Eaton - Electronics Division MFBA2V1608-800-R 0.1000
सराय
ECAD 20 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBA2V1608 R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) ऑटोमोटिव 0.037 "(0.95 मिमी) तंग 1 (असीमित) Ear99 8548.00.0000 4,000 अमीर 1 3 ए 40mohm 80 @ @ 100 सराय
MFBA2V1608P-471-R Eaton - Electronics Division MFBA2V1608P-471-R 0.1000
सराय
ECAD 7790 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBA2V1608 R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) ऑटोमोटिव 0.037 "(0.95 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8548.00.0000 4,000 - 1 1 क 200mohm 470 ओम @ 100 सारा
MFBM1V3216-190-R Eaton - Electronics Division MFBM1V3216-190-R 0.0375
सराय
ECAD 7738 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBM1V3216 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) 0.043 ”(1.10 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 283-MFBM1V3216-190-RTR Ear99 8504.50.8000 4,000 अफ़सीर 1 6 ए 15mohm 19 @ @ 100 सराय
MFBM1V1005-800-R Eaton - Electronics Division MFBM1V1005-800-R 0.0058
सराय
ECAD 1684 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBM1V1005 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) सतह rurcur ०४०२ 0.026 "(0.65 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 283-MFBM1V1005-800-RTR Ear99 8504.50.8000 10,000 अफ़सीर 1 800ma 150mohm 80 @ @ 100 सराय
MFBM1V3216-101-R Eaton - Electronics Division MFBM1V3216-101-R 0.1000
सराय
ECAD 24 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBM1V3216 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) 0.043 ”(1.10 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8504.50.8000 4,000 अफ़सीर 1 4 ए 35MOHM 100 k @ 100 सराय
MFBA2V1005P-100-R Eaton - Electronics Division MFBA2V1005P-100-R 0.1000
सराय
ECAD 4170 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBA2V1005 R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) सतह rurcur ०४०२ ऑटोमोटिव 0.024 "(0.60 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8548.00.0000 10,000 - 1 4 ए 18MOHM १० @ @ @ १०
MFBM1V3216-280-R Eaton - Electronics Division MFBM1V3216-280-R 0.0375
सराय
ECAD 5298 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBM1V3216 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) 0.043 ”(1.10 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 283-MFBM1V3216-280-RTR Ear99 8504.50.8000 4,000 अफ़सीर 1 6 ए 15mohm २ @ @ १०० तंग
MFBA3V1608H-202-R Eaton - Electronics Division MFBA3V1608H-202-R 0.1000
सराय
ECAD 2683 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBA3V1608 R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) ऑटोमोटिव 0.037 "(0.95 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8548.00.0000 4,000 - 1 150ma 1.2hm 2 कोहमth @ @ 100 तंग
MFBM1V1608-300-R Eaton - Electronics Division MFBM1V1608-300-R 0.1000
सराय
ECAD 49 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBM1V1608 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) 0.039 "(1.00 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8504.50.8000 4,000 अफ़सीर 1 4 ए 30mohm ३० @ @ १०० सींग
MFBA2V1005-121-R Eaton - Electronics Division MFBA2V1005-121-R 0.1000
सराय
ECAD 50 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBA2V1005 R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) सतह rurcur ०४०२ ऑटोमोटिव 0.024 "(0.60 मिमी) तंग 1 (असीमित) Ear99 8548.00.0000 10,000 अमीर 1 2 ए 95MOHM १२० @ @ @ १०
MFBM1V2012-301-R Eaton - Electronics Division MFBM1V2012-301-R 0.0189
सराय
ECAD 5216 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBM1V2012 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.047" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.20 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) 0.043 ”(1.10 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 283-MFBM1V2012-301-RTR Ear99 8504.50.8000 4,000 अफ़सीर 1 2.5a 80mohm ३०० @ @ १०
MFBM1V1608-000-R Eaton - Electronics Division MFBM1V1608-000-R 0.1000
सराय
ECAD 2 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBM1V1608 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) 0.039 "(1.00 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8504.50.8000 4,000 अफ़सीर 1 6 ए 20mohm 0 k @ 100 सराय
MFBM1V2012-700-R Eaton - Electronics Division MFBM1V2012-700-R 0.1000
सराय
ECAD 6 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBM1V2012 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.047" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.20 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) 0.043 ”(1.10 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8504.50.8000 4,000 अफ़सीर 1 3 ए 40mohm 70 k @ 100 सरायम
MFBA2V2012-121-R Eaton - Electronics Division MFBA2V2012-121-R 0.1000
सराय
ECAD 20 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBA2V2012 R टेप ray ryील (ther) शिर -55 ° C ~ 150 ° C एईसी- Q200 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) ऑटोमोटिव 0.041 "(1.05 मिमी) तंग 1 (असीमित) Ear99 8548.00.0000 4,000 अमीर 1 2 ए 100mohm १२० @ @ @ १०
MFBM1V1608-181-R Eaton - Electronics Division MFBM1V1608-181-R 0.1000
सराय
ECAD 3 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBM1V1608 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) 0.039 "(1.00 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8504.50.8000 4,000 अफ़सीर 1 1.5 ए 90MOHM 180 ओम @ 100 सारा
MFBM1V3216-050-R Eaton - Electronics Division MFBM1V3216-050-R 0.0375
सराय
ECAD 7577 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBM1V3216 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) 0.043 ”(1.10 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 283-MFBM1V3216-050-RTR Ear99 8504.50.8000 4,000 अफ़सीर 1 6 ए 10mohm ५ @ @ @ १०
MFBM1V1005-102-R Eaton - Electronics Division MFBM1V1005-102-R 0.1000
सराय
ECAD 8 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBM1V1005 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) सतह rurcur ०४०२ 0.026 "(0.65 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 283-MFBM1V1005-102-RTR Ear99 8504.50.8000 10,000 अफ़सीर 1 300ma 650MOHM 1 KOHMS @ 100 सरायम
MFBM1V1608-221-R Eaton - Electronics Division MFBM1V1608-221-R 0.1000
सराय
ECAD 2 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBM1V1608 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) 0.039 "(1.00 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 283-MFBM1V1608-221-RTR Ear99 8504.50.8000 4,000 अफ़सीर 1 1.5 ए 120MOHM २२० @ @ १०
MFBM1V2012-600-R Eaton - Electronics Division MFBM1V2012-600-R 0.1000
सराय
ECAD 2 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBM1V2012 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.047" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.20 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) 0.043 ”(1.10 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8504.50.8000 4,000 अफ़सीर 1 3.5A 40mohm ६० @ @ १०
MFBM1V3216-150-R Eaton - Electronics Division MFBM1V3216-150-R 0.1000
सराय
ECAD 563 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBM1V3216 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.126 "एल x 0.063" डबthutugh (3.20 मिमी x 1.60 मिमी) सतह rurcur १२०६ (३२१६ सटरी) 0.043 ”(1.10 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8504.50.8000 4,000 अफ़सीर 1 6 ए 15mohm १५ @ @ @ १०
MFBW1V2012-102-R Eaton - Electronics Division MFBW1V2012-102-R 0.0195
सराय
ECAD 3425 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBW1V2012 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.047" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.20 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) 0.043 ”(1.10 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 283-MFBW1V2012-102-RTR Ear99 8504.50.8000 4,000 - 1 800ma 300MOHM 1 KOHMS @ 100 सरायम
MFBW1V1005-360-R Eaton - Electronics Division MFBW1V1005-360-R 0.0055
सराय
ECAD 1346 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBW1V1005 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) सतह rurcur ०४०२ 0.026 "(0.65 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 283-MFBW1V1005-360-RTR Ear99 8504.50.8000 10,000 - 1 600ma 150mohm ३६ @ @ १०
MFBW1V2012-000-R Eaton - Electronics Division MFBW1V2012-000-R 0.1000
सराय
ECAD 3 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBW1V2012 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल X 0.047" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.20 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) 0.043 ”(1.10 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) Ear99 8504.50.8000 4,000 - 1 3 ए 30mohm 0 k @ 100 सराय
MFBW1V1608-800-R Eaton - Electronics Division MFBW1V1608-800-R 0.0123
सराय
ECAD 5402 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBW1V1608 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) 0.039 "(1.00 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 283-MFBW1V1608-800-RTR Ear99 8504.50.8000 4,000 - 1 1 क 150mohm 80 @ @ 100 सराय
MFBW1V1608-182-R Eaton - Electronics Division MFBW1V1608-182-R 0.0187
सराय
ECAD 2262 0.00000000 ईटन - अफ़मत्री। MFBW1V1608 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) 0.039 "(1.00 मिमी) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) 283-MFBW1V1608-182-RTR Ear99 8504.50.8000 4,000 - 1 400ma 750MOHM 1.8 KOHMS @ 100 सारा
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम