SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश कसना सरायना रत्न सराय सदाबह (सवार) तमाम सवार शराबी तमाम आवृतmus - सthव kanause सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग सराफक रन (amps) सरायम तमाम तमाम सराफक - अंठल (इसात) R प rayrतिirोध (ther) Q @ freq इंडकth -lect -ति
CIH10T5N6SNC Samsung Electro-Mechanics CIH10T5N6SNC -
सराय
ECAD 5014 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH10T R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.3NH -55 ° C ~ 125 ° C - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) एक प्रकार का 4GHZ तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 4,000 800 सना हुआ अफ़सस - 5.6 एनएच - 180MOHM मैक 10 @ 100mHz 100 सराय
CIH02T0N9BNC Samsung Electro-Mechanics CIH02T0N9BNC -
सराय
ECAD 9470 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH02T R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.1NH -55 ° C ~ 125 ° C - 0.016 "एल x 0.008" डबmuthut (0.40 मिमी x 0.20 मिमी) 0.009 "(0.22 मिमी) सतह rurcur ०१००५ (०४०२ सटेर) एक प्रकार का - 10GHz ०१००५ (०४०२ सटेर) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8504.50.8000 20,000 320 अफ़सस - 0.9 एनएच - 400MOHM मैक 11 @ 500MHz 100 सराय
CIG10F1R0MAC Samsung Electro-Mechanics CIG10F1R0MAC -
सराय
ECAD 1136 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIG10F R टेप ray ryील (ther) शिर ± 20% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.020 "(0.50 मिमी) सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) एक प्रकार का - - ०६०३ (१६० of सोरक) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 4,000 700 सना हुआ सरायम - 1 µh - 300MOHM मैक - 1 सराय
CIL05J2R2KNC Samsung Electro-Mechanics CIL05J2R2KNC -
सराय
ECAD 4482 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIL05 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% - - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.022 "(0.55 मिमी) सतह rurcur ०४०२ - - - ०४०२ तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8504.50.8000 10,000 सरायम तड़प 2.2 ग्रोन - - - 10 सराय
CIH05Q2N4SNC Samsung Electro-Mechanics CIH05Q2N4SNC -
सराय
ECAD 4529 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH05Q R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.3NH -55 ° C ~ 125 ° C - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.022 "(0.55 मिमी) सतह rurcur ०४०२ एक प्रकार का - 6ghz ०४०२ - Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8504.50.8000 10,000 800 सना हुआ अफ़सस - 2.4 एनएच - 150MOHM मैक 8 @ 100MHz 100 सराय
CIGW252012TM1R5MLE Samsung Electro-Mechanics CIGW252012TM1R5MLE 0.1584
सराय
ECAD 9462 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर ± 20% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.047 "(1.20 मिमी) सतह rurcur 1008 (2520 पचुर) तंग - - 1008 - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 1276-CIGW252012TM1R5MLETR Ear99 8504.50.8000 2,500 4.2 ए सरायम तंग 1.5 µh 3.4 ए 40MOHM मैक - 1 सराय
CIG10F1R0MNC Samsung Electro-Mechanics CIG10F1R0MNC -
सराय
ECAD 6072 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIG10F R टेप ray ryील (ther) शिर ± 20% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) एक प्रकार का - ०६०३ (१६० of सोरक) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.4000 4,000 700 सना हुआ सरायम - 1 µh - 300MOHM - 1 सराय
CIH02T0N8BNC Samsung Electro-Mechanics CIH02T0N8BNC -
सराय
ECAD 3644 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH02T R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.1NH -55 ° C ~ 125 ° C - 0.016 "एल x 0.008" डबmuthut (0.40 मिमी x 0.20 मिमी) 0.009 "(0.22 मिमी) सतह rurcur ०१००५ (०४०२ सटेर) एक प्रकार का - 10GHz ०१००५ (०४०२ सटेर) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8504.50.8000 20,000 320 अफ़सस - 0.8 एनएच - 400MOHM मैक 12 @ 500MHz 100 सराय
CIH10T8N2JNC Samsung Electro-Mechanics CIH10T8N2JNC 0.1000
सराय
ECAD 5 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH10T R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) एक प्रकार का 3.5GHz तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 4,000 700 सना हुआ अफ़सस - 8.2 एनएच - 240MOHM मैक 10 @ 100mHz 100 सराय
CIGT201610EH2R2MNE Samsung Electro-Mechanics CIGT201610EH2R2MNE 0.2800
सराय
ECAD 349 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर ± 20% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 0806 (2016 के लिए) पतली फिल - - 0806 (2016 के लिए) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 3,000 2.5 ए अफ़सस तंग 2.2 ग्रोन 2.9a 87MOHM मैक - 1 सराय
CIH03T6N2SNC Samsung Electro-Mechanics CIH03T6N2SNC -
सराय
ECAD 1001 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH03T R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.3NH -55 ° C ~ 125 ° C - 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) एक प्रकार का 4.1GHz - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 10,000 १५० सना हुआ अफ़सस - 6.2 एनएच - 480MOHM मैक 5 @ 100MHz 100 सराय
CIH03TR10JNC Samsung Electro-Mechanics CIH03TR10JNC -
सराय
ECAD 8642 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH03T R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) एक प्रकार का 770MHz - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 10,000 ५० सदा अफ़सस - 100 एनएच - 4.5OHM मैक 5 @ 100MHz 100 सराय
CIH05T3N0CNC Samsung Electro-Mechanics CIH05T3N0CNC -
सराय
ECAD 5051 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH05T R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.2NH -55 ° C ~ 125 ° C - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) सतह rurcur ०४०२ एक प्रकार का 6ghz - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 10,000 ३०० सना हुआ अफ़सस - 3 एनएच - 190MOHM मैक 8 @ 100MHz 100 सराय
CIH10T33NJNC Samsung Electro-Mechanics CIH10T33NJNC -
सराय
ECAD 8716 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH10T R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) एक प्रकार का 1.2GHz तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 4,000 ५०० तंग अफ़सस - 33 एनएच - 550MOHM मैक 12 @ 100mHz 100 सराय
CIG22H1R0MAE Samsung Electro-Mechanics CIG22H1R0MAE -
सराय
ECAD 6894 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIG22H_MAE R टेप ray ryील (ther) शिर ± 20% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 1008 (2520 पचुर) एक प्रकार का - 1008 (2520 पचुर) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.4000 3,000 1.8 ए सरायम - 1 µh 2 ए 65MOHM - 1 सराय
CIGT201608GM1R0MNE Samsung Electro-Mechanics CIGT201608GM1R0MNE -
सराय
ECAD 3178 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर ± 20% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.079 "एल X 0.063" PARCAUTHUN (2.00 मिमी x 1.60 मिमी) - सतह rurcur 0806 (2016 के लिए) पतली फिल - - 0806 (2016 के लिए) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 3,000 सरायम तंग 1 µh - - - 1 सराय
CIH02T3N1BNC Samsung Electro-Mechanics CIH02T3N1BNC -
सराय
ECAD 8844 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH02T R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.1NH -55 ° C ~ 125 ° C - 0.016 "एल x 0.008" डबmuthut (0.40 मिमी x 0.20 मिमी) 0.009 "(0.22 मिमी) सतह rurcur ०१००५ (०४०२ सटेर) एक प्रकार का - 7GHz ०१००५ (०४०२ सटेर) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8504.50.8000 20,000 200 एमए अफ़सस - 3.1 एनएच - 900MOHM मैक 2 @ 100MHz 100 सराय
CIL10NR56KNC Samsung Electro-Mechanics CIL10NR56KNC -
सराय
ECAD 3437 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIL10 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 85 ° C - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.037 "(0.95 मिमी) सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) - - 95MHz ०६०३ (१६० of सोरक) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8504.50.8000 4,000 ३५ सना हुआ सरायम तड़प 560 एनएच - 1.55OHM मैक 15 @ 25MHz २५ सभा
CIL21N68NKNE Samsung Electro-Mechanics CIL21N68NKNE -
सराय
ECAD 7080 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक Cil21 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.041 "(1.05 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) - - 280MHz 0805 (2012 पचुर) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8504.50.8000 4,000 ३०० सना हुआ सरायम तड़प 68 एनएच - 200MOHM मैक 15 @ 50MHz ५० सभा
CIH05Q2N2SNC Samsung Electro-Mechanics CIH05Q2N2SNC -
सराय
ECAD 8765 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH05Q R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.3NH -55 ° C ~ 125 ° C - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.022 "(0.55 मिमी) सतह rurcur ०४०२ एक प्रकार का - 6ghz ०४०२ - Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8504.50.8000 10,000 900 एमए अफ़सस - 2.2 एनएच - 120MOHM मैक 8 @ 100MHz 100 सराय
CIH02T3N4BNC Samsung Electro-Mechanics CIH02T3N4BNC -
सराय
ECAD 3262 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH02T R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.1NH -55 ° C ~ 125 ° C - 0.016 "एल x 0.008" डबmuthut (0.40 मिमी x 0.20 मिमी) 0.009 "(0.22 मिमी) सतह rurcur ०१००५ (०४०२ सटेर) एक प्रकार का - 6.5GHz ०१००५ (०४०२ सटेर) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8504.50.8000 20,000 180 सना हुआ अफ़सस - 3.4 एनएच - 1.1OHM मैक 2 @ 100MHz 100 सराय
CIL21NR68KNE Samsung Electro-Mechanics CIL21NR68KNE -
सराय
ECAD 5749 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक Cil21 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 85 ° C - 0.079 "एल x 0.049" डबthutum (2.00 मिमी x 1.25 मिमी) 0.057 "(1.45 मिमी) सतह rurcur 0805 (2012 पचुर) - - 105MHz 0805 (2012 पचुर) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8504.50.8000 4,000 १५० सना हुआ सरायम तड़प 680 एनएच - 500MOHM मैक 25 @ 25MHz २५ सभा
CIL10N82NKNC Samsung Electro-Mechanics CIL10N82NKNC -
सराय
ECAD 9963 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIL10 R टेप ray ryील (ther) शिर ± 10% -40 ° C ~ 85 ° C - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU 0.037 "(0.95 मिमी) सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) - - 245MHz ०६०३ (१६० of सोरक) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8504.50.8000 4,000 ५० सदा सरायम तड़प 82 एनएच - 300MOHM मैक 10 @ 50MHz ५० सभा
CIH03Q1N1SNC Samsung Electro-Mechanics CIH03Q1N1SNC -
सराय
ECAD 9896 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH03Q R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.3NH -55 ° C ~ 125 ° C - 0.024 "एल x 0.012" डबthutum (0.60 मिमी x 0.30 मिमी) 0.013 "(0.33 मिमी) सतह rurcur ०२०१ (०६०३ सटरी) एक प्रकार का - 10GHz ०२०१ (०६०३ सटरी) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8504.50.8000 10,000 420 अफ़सस - 1.1 एनएच - 120MOHM मैक 24 @ 500MHz ५०० तंग
CIG22L1R5MNE Samsung Electro-Mechanics CIG22L1R5MNE -
सराय
ECAD 9259 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIG22L R टेप ray ryील (ther) शिर ± 20% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) 0.039 "(1.00 मिमी) सतह rurcur 1008 (2520 पचुर) एक प्रकार का - 1008 (2520 पचुर) तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.4000 3,000 1.5 ए सरायम - 1.5 µh - 70MOHM - 1 सराय
CIH05QR18JNC Samsung Electro-Mechanics CIH05QR18JNC -
सराय
ECAD 1392 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH05Q R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.039 "एल X 0.020" डब expriguth (1.00 मिमी x 0.50 मिमी) 0.022 "(0.55 मिमी) सतह rurcur ०४०२ एक प्रकार का - 500MHz ०४०२ - Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8504.50.8000 10,000 १५० सना हुआ अफ़सस - 180 एनएच - 3.38ohm मैकcham 8 @ 100MHz 100 सराय
CIH10T10NJNC Samsung Electro-Mechanics CIH10T10NJNC -
सराय
ECAD 1802 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH10T R टेप ray ryील (ther) शिर ± 5% -55 ° C ~ 125 ° C - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) एक प्रकार का 3.4GHz तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 4,000 ६०० सना हुआ अफ़सस - 10 एनएच - 260MOHM मैक 12 @ 100mHz 100 सराय
CIGW252012GM2R2MNE Samsung Electro-Mechanics CIGW252012GM2R2MNE -
सराय
ECAD 3195 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक तमाम R टेप ray ryील (ther) शिर ± 20% -40 ° C ~ 125 ° C - 0.098 "एक एल एकthu 0.079" डबthautun (2.50 मिमी x 2.00 मिमी) - सतह rurcur 1008 (2520 पचुर) तेरम - - 1008 (2520 पचुर) - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 2,500 सरायम तंग 2.2 ग्रोन - - - 1 सराय
CIH02T3N2CNC Samsung Electro-Mechanics CIH02T3N2CNC -
सराय
ECAD 9977 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH02T R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.2NH -55 ° C ~ 125 ° C - 0.016 "एल x 0.008" डबmuthut (0.40 मिमी x 0.20 मिमी) 0.009 "(0.22 मिमी) सतह rurcur ०१००५ (०४०२ सटेर) एक प्रकार का - 7GHz ०१००५ (०४०२ सटेर) तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8504.50.8000 20,000 200 एमए अफ़सस - 3.2 एनएच - 1OHM मैक 2 @ 100MHz 100 सराय
CIH10T1N0SNC Samsung Electro-Mechanics CIH10T1N0SNC -
सराय
ECAD 1892 0.00000000 इलेक इलेकmurो-मैकेनिक CIH10T R टेप ray ryील (ther) शिर ± 0.3NH -55 ° C ~ 125 ° C - 0.063 "एल X 0.031" PARCAUTHU सतह rurcur ०६०३ (१६० of सोरक) एक प्रकार का 10GHz तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8504.50.8000 4,000 800 सना हुआ अफ़सस - 1 एनएच - 50MOHM मैक 8 @ 100MHz 100 सराय
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम