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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
S25FS512SDSMFB010 Infineon Technologies S25FS512SDSMFB010 12.9100
सराय
ECAD 20 0.00000000 इंफीनन टेक ऑटोमोटिव, एईसी-क कthयू 100, एफएस-एस शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) S25FS512 फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 2V 16-हुकिक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 240 80 सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi -
MT29F4G01ABBFDM70A3WC1 Micron Technology Inc. MT29F4G01ABBFDM70A3WC1 3.5200
सराय
ECAD 2794 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur शराबी MT29F4G01 फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 1.7V ~ 1.95V शराबी - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 0000.00.0000 1 सराय 4 जीबिट चमक 4 जी x 1 एसपीआई -
S70GL02GT12FHAV13 Infineon Technologies S70GL02GT12FHAV13 33.4775
सराय
ECAD 6931 0.00000000 इंफीनन टेक सियार, AEC-Q100, GL-T R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलबीजीए S70GL02 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 3.6V 64-((11x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 सराय 2 जीबिट 120 एनएस चमक 256 पर x 8, 128 पर x 16 तपस्वी -
70V3579S5BF Renesas Electronics America Inc 70V3579S5BF 131.2286
सराय
ECAD 8605 0.00000000 रेनसस अयस्करस - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 208-LFBGA 70V3579 Sram - rayrी rayrana, सिंकthirोनस 3.15V ~ 3.45V 208-से (15x15) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 7 सराय 1.125MBIT 5 एनएस शिर 32K x 36 तपस्वी -
W25Q16BVSSIG TR Winbond Electronics W25Q16BVSSIG TR -
सराय
ECAD 8380 0.00000000 इलेक Spiflash® R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) W25Q16 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 2,000 १०४ सराय सराय 16Mbit चमक 2 सींग x 8 सवार 50s, 3ms
MT62F2G64D8EK-023 WT ES:B TR Micron Technology Inc. MT62F2G64D8EK-023 WT ES: B TR 90.4650
सराय
ECAD 9393 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -25 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 441-TFBGA SDRAM - SDANA LPDDR5 1.05V 441-TFBGA (14x14) - 557-MT62F2G64D8EK-023WTES: BTR 2,000 ४.२६६ तंग सराय 128gbit घूंट 2 जी x 64 तपस्वी -
M25P10-AVMN3TP/X TR Micron Technology Inc. M25p10-avmn3tp/x tr -
सराय
ECAD 3641 0.00000000 तमाम - कट कट टेप (सीटी) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) M25P10 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8- तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 2,500 ५० सभा सराय 1mbit चमक 128K x 8 एसपीआई 15ms, 5ms
IS43TR82560CL-125KBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR82560CL-125KBL-TR 3.8489
सराय
ECAD 7671 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 78-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS43TR82560CL-125KBL-TR 2,000 800 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट २५६ सिया x k तपस्वी 15NS
IS62WV25616BLL-55TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616BLL-55TI-TR -
सराय
ECAD 8017 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS62WV25616 Sram - एसिंकthirोनस 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 4Mbit 55 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 55NS
CAT93C86SI-26516 Catalyst Semiconductor Inc. CAT93C86SI-26516 0.0600
सराय
ECAD 8829 0.00000000 उतthurेirेirक r अrachaphay इंक। - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) Cat93c86 ईपॉम 2.5V ~ 6V 8-हुक तंग तंग 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0071 1 ३ सराय सराय 16kbit ईपॉम 2k x 8, 1k x 16 अफ़सस 3ms
S25FL132K0XBHVS23 Infineon Technologies S25FL132K0XBHVS23 -
सराय
ECAD 1332 0.00000000 इंफीनन टेक FL1-k R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए S25FL132 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-((8x6) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 108 सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 सवार 3ms
UCS-MR-2X082RX-C-C ProLabs UCS-MR-2X082RX-CC 125.0000
सराय
ECAD 5731 0.00000000 तिहाई * रोटी शिर - रोहस अफ़मार 4932-UCS-MR-2X082RX-CC Ear99 8473.30.5100 1
7134LA70CB Renesas Electronics America Inc 7134LA70CB 179.7755
सराय
ECAD 7432 0.00000000 रेनसस अयस्करस - नली तंग -55 ° C ~ 125 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 48-डिप (0.600 ", 15.24 मिमी) 7134LA Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 48-शय्यर तंग रोहस 1 (असीमित) तमाम 3A001A2C 8542.32.0041 8 सराय 32kbit 70 एनएस शिर 4K x 8 तपस्वी 70NS
W25M121AWEIT TR Winbond Electronics W25M121AWEIT TR -
सराय
ECAD 1734 0.00000000 इलेक Spiflash® R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana W25M121 फ, नंद, फ, न न न ही ही न न 1.7V ~ 1.95V 8-WSON (8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 256-W25M121AWEITTR 3A991B1A 8542.32.0071 4,000 १०४ सराय सराय 128MBIT (lect-k- nor), 1Gbit चमक 16 मीटर x 8 (lect-k- nor), 128m x 8 (फthi-नंद) सवार -
S29GL512S11FHIV23 Infineon Technologies S29GL512S11FHIV23 8.8900
सराय
ECAD 1943 0.00000000 इंफीनन टेक GL-S R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलबीजीए S29GL512 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 3.6V 64-((11x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 सराय 512MBIT 110 एनएस चमक 32 सिया x 16 तपस्वी 60NS
CY14B101LA-BA25XI Infineon Technologies CY14B101LA-BA25XI 23.9750
सराय
ECAD 3990 0.00000000 इंफीनन टेक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA Cy14b101 Thir एएम 2.7V ~ 3.6V 48-((6x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 598 सराय 1mbit 25 एनएस एक प्रकार का 128K x 8 तपस्वी 25NS
CY14V101Q3-SFXI Infineon Technologies CY14V101Q3-SFXI 12.8625
सराय
ECAD 9282 0.00000000 इंफीनन टेक - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) Cy14v101 Thir एएम 2.7V ~ 3.6V 16-हुकिक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 920 30 सराय सराय 1mbit एक प्रकार का 128K x 8 एसपीआई -
CAV25256VE-GT3 onsemi CAV25256VE-GT3 1.3600
सराय
ECAD 9651 0.00000000 Onsemi सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) CAV25256 ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 3,000 10 सराय सराय 256kbit ईपॉम 32K x 8 एसपीआई 5ms
AK93C55BL Asahi Kasei Microdevices/AKM AK93C55BL -
सराय
ECAD 7090 0.00000000 अफ़स - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur - AK93C55 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8 तंग तंग 1 (असीमित) शिर 0000.00.0000 1 सराय 2kbit ईपॉम 128 x 16 एसपीआई -
S29GL064S80DHIV20 Infineon Technologies S29GL064S80DHIV20 3.9479
सराय
ECAD 3555 0.00000000 इंफीनन टेक GL-S शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलबीजीए S29GL064 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 64-((9x9) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 520 सराय 64mbit 80 एनएस चमक 8m x 8, 4m x 16 तपस्वी 60NS
AT28C256F-15LM/883 Microchip Technology AT28C256F-15LM/883 245.8200
सराय
ECAD 6622 0.00000000 तमाम - नली शिर -55 ° C ~ 125 ° C (TC) सतह rurcur 32-सीएलसीसी AT28C256 ईपॉम 4.5V ~ 5.5V 32-LCC (11.43x13.97) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A001A2C 8542.32.0051 34 सराय 256kbit 150 एनएस ईपॉम 32K x 8 तपस्वी 3ms
S29GL032N11FFIV13 Infineon Technologies S29GL032N11FFIV13 1.3260
सराय
ECAD 6675 0.00000000 इंफीनन टेक जीएल एन R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलबीजीए S29GL032 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 3.6V 64-((13x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,600 सराय 32Mbit 110 एनएस चमक 4M x 8, 2M x 16 तपस्वी 110NS
W25Q128FVPIQ TR Winbond Electronics W25Q128FVPIQ TR -
सराय
ECAD 4728 0.00000000 इलेक Spiflash® R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana W25Q128 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-WSON (6x5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 १०४ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 50s, 3ms
IS61LF51236A-6.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236A-6.5B3I-TR -
सराय
ECAD 6667 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61LF51236 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 १३३ सराय सराय 18mbit 6.5 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
R1RW0416DSB-2LR#D1 Renesas Electronics America Inc R1RW0416DSB-2LR#D1 5.6070
सराय
ECAD 9941 0.00000000 रेनसस अयस्करस - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) R1RW0416 शिर 3V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 135 सराय 4Mbit 12 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 12NS
CY62137FV30LL-45BVXIT Infineon Technologies CY62137FV30LL-45BVXIT 3.4400
सराय
ECAD 5668 0.00000000 इंफीनन टेक MOBL® R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-वीएफबीजीए CY62137 Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 48-((6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 सराय 2mbit 45 एनएस शिर 128K x 16 तपस्वी 45NS
GD25LR128EYIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25LR128EYIGR 1.8135
सराय
ECAD 5749 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25LR R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-WSON (6x8) - 1970-GD25LR128EYIGRTR 3,000 २०० सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 सवार -
71V67803S150BG Renesas Electronics America Inc 71V67803S150BG 26.1188
सराय
ECAD 2776 0.00000000 रेनसस अयस्करस - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 119-बीजीए 71V67803 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 119-((14x22) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 84 १५० तंग सराय 9mbit 3.8 एनएस शिर 512K x 18 तपस्वी -
MT25QL01GBBB1EW9-0SIT Micron Technology Inc. MT25QL01GBBB1EW9-0SIT 17.9500
सराय
ECAD 2 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana MT25QL01 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-WPDFN (8x6) (MLP8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम -791-MT25QL01GBBB1EW9-0SIT 3A991B1A 8542.32.0071 1,920 १३३ सराय सराय 1gbit चमक 128 वायर x 8 एसपीआई 8ms, 2.8ms
AT27C010-45TU Microchip Technology AT27C010-45TU -
सराय
ECAD 6759 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी ranak) AT27C010 EPROM - OTP 4.5V ~ 5.5V 32-टॉप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1B2 8542.32.0061 156 सराय 1mbit 45 एनएस शिर 128K x 8 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम