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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
CY7C1480BV33-167BZXC Infineon Technologies CY7C1480BV33-167BZXC -
सराय
ECAD 9292 0.00000000 इंफीनन टेक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA CY7C1480 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.6V 165-FBGA (15x17) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 210 167 अय्यर सराय 72MBIT 3.4 एनएस शिर 2 सींग x 36 तपस्वी -
MT47H512M4THN-37E:E TR Micron Technology Inc. MT47H512M4THN-37E: E TR -
सराय
ECAD 5142 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 63-TFBGA MT47H512M4 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 63-((8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0036 1,000 267 सराय 2 जीबिट 500 पीएस घूंट 512M x 4 तपस्वी 15NS
AT24C16D-PUM Microchip Technology AT24C16D-PUM 0.5400
सराय
ECAD 1 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) AT24C16D ईपॉम 1.7V ~ 3.6V 8-पीडीआईपी तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 50 1 सराय सराय 16kbit 450 एनएस ईपॉम 2k x 8 मैं एसी 5ms
RM25C128C-LSNI-B Adesto Technologies RM25C128C-LSNI-B -
सराय
ECAD 9473 0.00000000 एडेसmuth टेक सराय नली शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) RM25C128 एक प्रकार का 1.65V ~ 3.6V 8-हुक - Rohs3 आजthabaira तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 98 10 सराय सराय 128kbit CBRAM® ६४ तंग एसपीआई 100s, 5ms
M25PX32-VZM6FBA TR Micron Technology Inc. M25PX32-VZM6FBA TR -
सराय
ECAD 5671 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए M25PX32 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 24-पीबीजीए-पीबीजीए (6x8) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,500 75 सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 एसपीआई 15ms, 5ms
AS4C8M32SA-6BIN Alliance Memory, Inc. AS4C8M32SA-6BIN 9.3400
सराय
ECAD 8843 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA AS4C8M32 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 190 १६६ सराय सराय 256Mbit 5 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी 2NS
MT53E1G16D1FW-046 AAT:A Micron Technology Inc. MT53E1G16D1FW-046 AAT: A 15.9600
सराय
ECAD 6318 0.00000000 तमाम सींग, AEC-Q100 कड़ा शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA SDRAM - KANAN LPDDR4X 1.06V ~ 1.17V 200-TFBGA (10x14.5) तंग 557-MT53E1G16D1FW-046AAT: ए 1 २.१३३ सरायम सराय 16Gbit 3.5 एनएस घूंट 1 जी x 16 तपस्वी 18NS
CAT24C128WI-GT3 onsemi CAT24C128WI-GT3 0.4700
सराय
ECAD 875 0.00000000 Onsemi - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) CAT24C128 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 3,000 1 सराय सराय 128kbit 400 एनएस ईपॉम 16K x 8 मैं एसी 5ms
CY7C1413AV18-200BZC Infineon Technologies CY7C1413AV18-200BZC -
सराय
ECAD 5862 0.00000000 इंफीनन टेक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA CY7C1413 SRAM - सिंक TIRोनस, QDR II 1.7V ~ 1.9V 165-FBGA (15x17) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 105 २०० सराय सराय 36mbit शिर 2 सींग x 18 तपस्वी -
MD2716M/B Rochester Electronics, LLC MD2716M/B 84.2200
सराय
ECAD 23 0.00000000 रत्यसद, * थोक शिर - तंग 3 (168 घंटे) सराय 3A001A2C 8542.32.0051 1
IS42S86400B-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S86400B-7TLI -
सराय
ECAD 5783 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S86400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 108 १४३ सराय सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 64 सिया x 8 तपस्वी -
MT44K64M18RB-107E:A Micron Technology Inc. MT44K64M18RB-107E: ए 64.4550
सराय
ECAD 3877 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 168-TBGA MT44K64M18 Rldram 3 1.28V ~ 1.42V 168-((13.5x13.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,190 933 सरायम सराय 1.125GBIT 8 एनएस घूंट 64 सिया x 18 तपस्वी -
S29CL032J0RFFM010 Cypress Semiconductor Corp S29CL032J0RFFM010 15.3400
सराय
ECAD 3491 0.00000000 Rayr सेमीकंडक सीएल-सीएल शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 80-एलबीजीए S29CL032 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 3.6V 80-((13x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3A991B1A 8542.32.0071 180 75 सराय सराय 32Mbit 54 एनएस चमक 1 सिया x 32 तपस्वी 60NS
AT93C56B-MAHM-E Microchip Technology AT93C56B-MAHM-E 0.3400
सराय
ECAD 915 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-ufdfn ने पैड को को ranahir ran 93C56B ईपॉम 1.7V ~ 5.5V 8-UDFN (2x3) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0051 15,000 २ सराय सराय 2kbit ईपॉम 256 x 8, 128 x 16 3 नताया 5ms
CY14B101K-SP25XC Infineon Technologies CY14B101K-SP25XC -
सराय
ECAD 4326 0.00000000 इंफीनन टेक - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-बीएसएसओपी (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) Cy14b101 Thir एएम 2.7V ~ 3.6V 48-एसएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 1 सराय 1mbit 25 एनएस एक प्रकार का 128K x 8 तपस्वी 25NS
BR24A32F-WME2 Rohm Semiconductor BR24A32F-WME2 1.9400
सराय
ECAD 4 0.00000000 रोटी सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.173 ", 4.40 मिमी ranak) BR24A32 ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 2,500 400 kHz सराय 32kbit ईपॉम 4K x 8 मैं एसी 5ms
R1QEA7236ABB-20IB0 Renesas Electronics America Inc R1QEA7236ABB-20IB0 27.9900
सराय
ECAD 341 0.00000000 रेनसस अयस्करस * थोक शिर तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1
MSP17LV324-E1-TJ-001 Infineon Technologies MSP17LV324-E1-TJ-001 -
सराय
ECAD 3363 0.00000000 इंफीनन टेक * थोक शिर - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 1
47C04T-E/SN Microchip Technology 47C04T-E/SN 0.8400
सराय
ECAD 3536 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) 47C04 ईपry, 4.5V ~ 5.5V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira तमाम Ear99 8542.32.0051 3,300 1 सराय सराय 4kbit 400 एनएस एक प्रकार का 512 x 8 मैं एसी 1ms
AT45DB161B-CNC-2.5 Microchip Technology AT45DB161B-CNC-2.5 -
सराय
ECAD 5324 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TC) सतह rurcur 8-वीडीएफएन AT45DB161 चमक 2.5V ~ 3.6V 8-((6x8) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम AT45DB161B-CNC2.5 Ear99 8542.32.0071 378 15 सराय सराय 16Mbit चमक 528 KANTHUMANX X 4096 SAUTUS एसपीआई 14ms
M29F040B70N1T TR Micron Technology Inc. M29F040B70N1T TR -
सराय
ECAD 5593 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी ranak) M29F040 फmut - rey औ ही ही ही 4.5V ~ 5.5V 32-टॉप - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 1,500 सराय 4Mbit 70 एनएस चमक 512K x 8 तपस्वी 70NS
AT24C02A-10PC-1.8 Microchip Technology AT24C02A-10PC-1.8 -
सराय
ECAD 1816 0.00000000 तमाम - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) होल के kaytaumauth से 8-DIP (0.300 ", 7.62 मिमी) AT24C02 ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8-पीडीआईपी तंग रोहस तंग तमाम AT24C02A10PC1.8 Ear99 8542.32.0051 50 400 kHz सराय 2kbit 900 एनएस ईपॉम 256 x 8 मैं एसी 5ms
S29GL064S70TFI040 Infineon Technologies S29GL064S70TFI040 4.3800
सराय
ECAD 6876 0.00000000 इंफीनन टेक GL-S शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) S29GL064 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 48-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 96 सराय 64mbit 70 एनएस चमक 8m x 8, 4m x 16 तपस्वी 60NS
FT93C66A-ISR-B Fremont Micro Devices Ltd FT93C66A-ISR-B -
सराय
ECAD 6950 0.00000000 Fremont vapakirो kanaute लिमिटेड - नली Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) 93C66A ईपॉम 1.8V ~ 5.5V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम Ear99 8542.32.0051 100 २ सराय सराय 4kbit ईपॉम 512 x 8, 256 x 16 3 नताया 10ms
MT53D512M16D1Z11MWC2 Micron Technology Inc. MT53D512M16D1Z11MWC2 14.9600
सराय
ECAD 5629 0.00000000 तमाम * थोक शिर MT53D512 - तमाम 0000.00.0000 1
EDB8164B4PT-1DAT-F-D Micron Technology Inc. EDB8164B4PT-1DAT-FD -
सराय
ECAD 2611 0.00000000 तमाम - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 216-WFBGA EDB8164 SDRAM - KANAK LPDDR2 1.14V ~ 1.95V 216-FBGA (12x12) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 1,680 ५३३ सरायम सराय 8gbit घूंट 128 सिया x 64 तपस्वी -
S71PL032J08BAW0B0C Infineon Technologies S71PL032J08BAW0B0C -
सराय
ECAD 7334 0.00000000 इंफीनन टेक - शिर शिर - - - - - - - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम शिर 0000.00.0000 1 - - - - -
A9845650-C ProLabs A9845650-C 29.5000
सराय
ECAD 1225 0.00000000 तिहाई * रोटी शिर - रोहस अफ़मार 4932-A9845650-C Ear99 8473.30.5100 1
AT25TE001-SSHN-T Adesto Technologies AT25TE001-SSHN-T 1.0600
सराय
ECAD 8744 0.00000000 एडेसmuth टेक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) AT25TE001 8-हुक - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 3A991 8542.32.0071 4,000
CY7C1381KVE33-133AXIT Infineon Technologies CY7C1381KVE33-133AXIT 35.0175
सराय
ECAD 3024 0.00000000 इंफीनन टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp CY7C1381 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.6V 100-TQFP (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 750 १३३ सराय सराय 18mbit 6.5 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम