SIC
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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें लिखें - Sic पtrauranurauth योग
CAT25256VE-GT3C onsemi CAT25256VE-GT3C -
सराय
ECAD 9520 0.00000000 Onsemi - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) CAT25256 ईपॉम 2.5V ~ 5.5V 8-हुक - 1 (असीमित) तमाम 488-CAT25256VE-GT3CTR शिर 3,000 10 सराय सराय 256kbit ईपॉम 32K x 8 एसपीआई 5ms
7026L55JI8 Renesas Electronics America Inc 7026L55JI8 -
सराय
ECAD 9597 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 84-जे (जे-लीड) 7026L55 Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 4.5V ~ 5.5V 84-PLCC (29.31x29.31) तंग रोहस 3 (168 घंटे) Ear99 8542.32.0041 200 सराय 256kbit 55 एनएस शिर 16K x 16 तपस्वी 55NS
MT29F512G08EEHAFJ4-3RES:A Micron Technology Inc. MT29F512G08EEHAFJ4-3RES: A -
सराय
ECAD 3574 0.00000000 तमाम - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 132-वीबीजीए MT29F512G08 फmus - नंद (टीएलसी (टीएलसी) 2.5V ~ 3.6V 132-((12x18) - 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,120 ३३३ सरायम सराय 512GBIT चमक 64G x 8 तपस्वी -
CY7C028V-20ACKJ Cypress Semiconductor Corp CY7C028V-20ACKJ 34.9600
सराय
ECAD 12 0.00000000 Rayr सेमीकंडक - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp CY7C028 Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 3V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) तंग तंग 3 (168 घंटे) सराय 3A991B2B 8542.32.0041 1 सराय 1mbit 20 एनएस शिर 64K x 16 तपस्वी 20NS
W25Q64JVXGJM TR Winbond Electronics W25Q64JVXGJM TR -
सराय
ECAD 7753 0.00000000 इलेक Spiflash® R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-XDFN SANAHAR THE W25Q64 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-XSON (4x4) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम W25Q64JVXGJMTR 3A991B1A 8542.32.0071 5,000 १३३ सराय सराय 64mbit चमक 8 सीन x 8 सवार 3ms
669324-B21-C ProLabs 669324-B21-C 68.7500
सराय
ECAD 2584 0.00000000 तिहाई * रोटी शिर - रोहस अफ़मार 4932-669324-B21-C Ear99 8473.30.5100 1
85C82-E/PD21 Microchip Technology 85C82-E/PD21 1.4000
सराय
ECAD 9 0.00000000 तमाम * थोक शिर - तंग 3 (168 घंटे) सराय 0000.00.0000 1
AS4C128M16D3LC-12BCN Alliance Memory, Inc. AS4C128M16D3LC-12BCN 8.3000
सराय
ECAD 4 0.00000000 गठबंधन सthu, गठबंधन - शिर शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-वीएफबीजीए AS4C128 SDRAM - DDR3L 1.283V ~ 1.45V 96-((7.5x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 1450-AS4C128M16D3LC-12BCN Ear99 8542.32.0036 198 800 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट 128 सिया x 16 15NS
S29GL01GT12TFVV10 Cypress Semiconductor Corp S29GL01GT12TFVV10 -
सराय
ECAD 5654 0.00000000 Rayr सेमीकंडक जीएल-जीएल थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 56-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) S29GL01 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 3.6V ५६-स तंग 1 सराय 1gbit 120 एनएस चमक 128 वायर x 8 तपस्वी 60NS तमाम नहीं है
28333513C Infineon Technologies 28333513C -
सराय
ECAD 6079 0.00000000 इंफीनन टेक - थोक तंग - 1
NM25C020LZM8X Fairchild Semiconductor NM25C020LZM8X 0.4800
सराय
ECAD 5 0.00000000 सराय - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) NM25C020 ईपॉम 2.7V ~ 4.5V 8-हुक तंग रोहस 3 (168 घंटे) सराय Ear99 8542.32.0051 2,500 1 सराय सराय 2kbit ईपॉम 256 x 8 एसपीआई 15ms
3212P9888 IBM 3212P9888 -
सराय
ECAD 5217 0.00000000 आईबीएम * थोक शिर - तंग 3 (168 घंटे) सराय 1
MT29F1G16ABBDAHC-IT:D Micron Technology Inc. Mt29f1g16abbdahc-it: d -
सराय
ECAD 4780 0.00000000 तमाम - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 63-वीएफबीजीए MT29F1G16 फmume - नंद 1.7V ~ 1.95V 63-((10.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,140 सराय 1gbit चमक 64 सिया x 16 तपस्वी -
S29GL256S10FHB020 Infineon Technologies S29GL256S10FHB020 8.5225
सराय
ECAD 4361 0.00000000 इंफीनन टेक GL-S शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 64-एलबीजीए S29GL256 फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 64-((13x11) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 1,800 सराय 256Mbit 100 एनएस चमक 16 सिया x 16 तपस्वी 60NS
24FC08-E/SN Microchip Technology 24FC08-E/SN 0.3400
सराय
ECAD 7614 0.00000000 तमाम - नली शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) 24FC08 ईपॉम 1.7V ~ 5.5V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 150-24FC08-E/SN Ear99 8542.32.0051 100 1 सराय सराय 8kbit 450 μS ईपॉम 1k x 8 मैं एसी 5ms
CY14B256K-SP45XCT Infineon Technologies CY14B256K-SP45XCT -
सराय
ECAD 7901 0.00000000 इंफीनन टेक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 48-बीएसएसओपी (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) CY14B256 Thir एएम 2.7V ~ 3.45V 48-एसएसओपी तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0041 1,000 सराय 256kbit 45 एनएस एक प्रकार का 32K x 8 तपस्वी 45NS
CY7C1009B-20VXC Infineon Technologies CY7C1009B-20VXC -
सराय
ECAD 6841 0.00000000 इंफीनन टेक - नली शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 32-बीएसओजे (0.300 ", 7.62 मिमी antake) CY7C1009 Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 32-सोज - Rohs3 आजthabaira 1 (असीमित) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 23 सराय 1mbit 20 एनएस शिर 128K x 8 तपस्वी 20NS
S34ML02G200TFV000 SkyHigh Memory Limited S34ML02G200TFV000 -
सराय
ECAD 6851 0.00000000 तमाम - शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur S34ML02 फmume - नंद 2.7V ~ 3.6V - रोहस अफ़मार 3 (168 घंटे) 3A991B1A 8542.32.0071 96 सराय 2 जीबिट चमक २५६ सिया x k तपस्वी 25NS तमाम नहीं है
S25FS128SAGNFI003 Nexperia USA Inc. S25FS128SAGNFI003 -
सराय
ECAD 2314 0.00000000 अफ़संद - थोक शिर - 2156-S25FS128SAGNFI003 1
S25HL512TFAMHI013 Infineon Technologies S25HL512TFAMHI013 9.6950
सराय
ECAD 7366 0.00000000 इंफीनन टेक किलोमीटर R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 16-हुकिक तंग 3A991B1A 8542.32.0071 1,450 १६६ सराय सराय 512MBIT चमक 64 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi -
C-4800D5DR8S/32G ProLabs C-4800D5DR8S/32G 487.5000
सराय
ECAD 2156 0.00000000 तिहाई * रोटी शिर - रोहस अफ़मार 4932-C-4800D5DR8S/32G Ear99 8473.30.5100 1
IDT71V65602S150PFGI Renesas Electronics America Inc IDT71V65602S150PFGI -
सराय
ECAD 5785 0.00000000 रेनसस अयस्करस - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IDT71V65602 Rayurएएम - सिंकthurोनस, r एसडीआ rir (जेडबीटी) 3.135V ~ 3.465V 100-TQFP (14x14) तंग 3 (168 घंटे) तमाम 71V65602S150PFGI 3A991B2A 8542.32.0041 72 १५० तंग सराय 9mbit 3.8 एनएस शिर 256k x 36 तपस्वी -
THGJFGT1E45BAIL Kioxia America, Inc. THGJFGT1E45BAIL 89.0200
सराय
ECAD 5 0.00000000 कनपरा ई • एमएमसी ™ शिर शिर -25 ° C ~ 85 ° C सतह rurcur 153-डब फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 2.4V ~ 3.6V, 2.7V ~ 3.6V 153-((11.5x13) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 1853-THGJFGT1E45BAIL 152 १.१६ तंग सराय 2tbit चमक 256G x 8 UFS 3.1 -
CY7C2668KV18-550BZC Cypress Semiconductor Corp CY7C2668KV18-550BZC 332.8000
सराय
ECAD 107 0.00000000 Rayr सेमीकंडक * थोक शिर तंग सराय तमाम 2156-CY7C2668KV18-550BZC-428 1
MT48LC8M16A2P-6A:L Micron Technology Inc. MT48LC8M16A2P-6A: L -
सराय
ECAD 5429 0.00000000 तमाम - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) MT48LC8M16A2 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,080 167 अय्यर सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी 12NS
SST39VF512-70-4C-NHE-T Microchip Technology SST39VF512-70-4C-NHE-T -
सराय
ECAD 5683 0.00000000 तमाम SST39 MPF ™ R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 32-जे (जे-लीड) SST39VF512 चमक 2.7V ~ 3.6V 32-PLCC (11.43x13.97) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 750 सराय 512kbit 70 एनएस चमक 64K x 8 तपस्वी 20
M25P05-AVDW6TP TR Micron Technology Inc. M25P05-AVDW6TP TR -
सराय
ECAD 7261 0.00000000 तमाम - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-TSSOP (0.173 ", 4.40 मिमी rana) M25P05-A फmut - rey औ ही ही ही 2.7V ~ 3.6V 8-TSSOP तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 4,000 ५० सभा सराय 512kbit चमक 64K x 8 एसपीआई 15ms, 5ms
GD25WD40EKIGR GigaDevice Semiconductor (HK) Limited GD25WD40EKIGR 0.3676
सराय
ECAD 3820 0.00000000 गिगादेविस इक्चर (एचके) लिमिटेड GD25WD R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 8-XFDFN SANAHAR THE फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 3.6V 8-((1.5x1.5) तंग 1970-GD25WD40EKIGRTR 3,000 १०४ सराय सराय 4Mbit 6 एनएस चमक 512K x 8 Spi - rurी i/o 100s, 6ms
70V38L20PFI8 Renesas Electronics America Inc 70V38L20PFI8 -
सराय
ECAD 1541 0.00000000 रेनसस अयस्करस - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp 70V38L Sram - rayrी rayrana, अतुलthamause 3V ~ 3.6V 100-TQFP (14x14) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 750 सराय 1.125MBIT 20 एनएस शिर 64K x 18 तपस्वी 20NS
CY7C1363B-117BGI Cypress Semiconductor Corp CY7C1363B-117BGI 10.6000
सराय
ECAD 379 0.00000000 Rayr सेमीकंडक - थोक शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 119-बीजीए CY7C1363 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.6V 119-((14x22) तंग रोहस 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1 117 सराय सराय 9mbit 7.5 एनएस शिर 512K x 18 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम