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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
IS45S16400J-7BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400J-7BLA2 4.9590
सराय
ECAD 9751 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS45S16400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 348 १४३ सराय सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 16 तपस्वी -
IS25WE256E-RMLE-TY ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is25we256e-rmle-ty 4.8475
सराय
ECAD 9399 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 16-शिक (0.295 ", 7.50 मिमी ranak) फmut - rey औ ही ही ही 1.7V ~ 1.95V 16-हुकिक - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS25WE256E-RMLE-TY 176 १६६ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 50s, 2ms
IS61WV5128BLL-10BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV5128BLL-10BI -
सराय
ECAD 5378 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 36-TFBGA IS61WV5128 Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 36-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 480 सराय 4Mbit 10 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी 10NS
IS34ML02G081-TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS34ML02G081-TLI 4.8915
सराय
ECAD 8375 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी antak) फmus - नंद (एसएलसी (एसएलसी) 2.7V ~ 3.6V 48-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS34ML02G081-TLI 96 सराय 2 जीबिट 20 एनएस चमक २५६ सिया x k तपस्वी 25NS
IS61NLP25618A-200TQLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP25618A-200TQLI 8.3815
सराय
ECAD 3623 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61NLP25618 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 72 २०० सराय सराय 4.5mbit 3.1 एनएस शिर 256K x 18 तपस्वी -
IS41LV16105B-50TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS41LV16105B-50TLI -
सराय
ECAD 2905 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS41LV16105 DRAM - FP 3V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 117 सराय 16Mbit 25 एनएस घूंट 1 सिया x 16 तपस्वी -
IS46DR16128C-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16128C-3DBLA2 15.1425
सराय
ECAD 3535 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS46DR16128 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 209 ३३३ सरायम सराय 2 जीबिट 450 पीएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS62WV20488BLL-25TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV20488BLL-25TLI 18.7836
सराय
ECAD 2076 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS62WV20488 Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 135 सराय 16Mbit 25 एनएस शिर 2 सींग x 8 तपस्वी 25NS
IS46TR16128A-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128A-125KBLA1 -
सराय
ECAD 2642 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 190 800 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS43DR16640B-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16640B-3DBL-TR 4.2171
सराय
ECAD 8505 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS43DR16640 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 2,500 ३३३ सरायम सराय 1gbit 450 पीएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS22TF16G-JCLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS22TF16G-JCLA2-TRE 26.3340
सराय
ECAD 5757 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 153-वीएफबीजीए फmus - नंद (टीएलसी (टीएलसी) 2.7V ~ 3.6V 153-((11.5x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS22TF16G-JCLA2-TRE 2,000 २०० सराय सराय 128gbit चमक 16 जी x 8 EMMC_5.1 -
IS61QDB41M36C-250M3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB41M36C-250M3 -
सराय
ECAD 6002 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA Is61qdb41 Sram - सिंकthurोनस, कtraume, 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 105 २५० तंग सराय 36mbit 8.4 एनएस शिर 1 सिया x 36 तपस्वी -
IS61LV12824-8TQ ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LV12824-8TQ -
सराय
ECAD 8306 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61LV12824 Sram - एसिंकthirोनस 3.135V ~ 3.6V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 72 सराय 3mbit 8 एनएस शिर 128K x 24 तपस्वी 8NS
IS25WJ032F-JBLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc Is25wj032f-jble-tr 0.7527
सराय
ECAD 4742 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) फ फ - न ही (एसएलसी एसएलसी) 1.65V ~ 2V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS25WJ032F-JBLE-TR 2,000 १३३ सराय सराय 32Mbit 6 एनएस चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 50s, 1.6ms
IS42S16800D-75EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800D-75EBL -
सराय
ECAD 7461 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur ५४-वीएफबीजीए IS42S16800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 240 १३३ सराय सराय 128Mbit 6.5 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी -
IS61LF51236B-7.5B3LI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LF51236B-7.5B3LI-TR 15.6750
सराय
ECAD 7418 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61LF51236 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 117 सराय सराय 18mbit 7.5 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
IS64LV51216-12TLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64LV51216-12TLA3 -
सराय
ECAD 6708 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS64LV51216 Sram - एसिंकthirोनस 3.135V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 135 सराय 8mbit 12 एनएस शिर 512K x 16 तपस्वी 12NS
IS43LD32640B-25BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32640B-25BL 9.8057
सराय
ECAD 5233 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 134-TFBGA IS43LD32640 SDRAM - SDANA LPDDR2 -S4 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 171 ४०० सराय सराय 2 जीबिट घूंट 64 सिया x 32 तपस्वी 15NS
IS62WV102416EBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV102416EBLL-45BLI 10.3200
सराय
ECAD 480 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-वीएफबीजीए IS62WV102416 Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 48-((6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 480 सराय 16Mbit 45 एनएस शिर 1 सिया x 16 तपस्वी 45NS
IS42S32160C-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32160C-75BLI -
सराय
ECAD 9015 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-LFBGA IS42S32160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-WBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 240 १३३ सराय सराय 512MBIT 6 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी -
IS42SM16400K-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16400K-6BLI-TR -
सराय
ECAD 9882 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42SM16400 Sdram - ranak 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 2,500 १६६ सराय सराय 64mbit 5.5 एनएस घूंट 4 सिया x 16 तपस्वी -
IS43LD16640C-25BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD16640C-25BLI-TR 10.1900
सराय
ECAD 1 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 134-TFBGA IS43LD16640 SDRAM - SDANA LPDDR2 -S4 1.14V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 2,000 ४०० सराय सराय 1gbit घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS42SM16800E-75ETLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16800E-75ETLI -
सराय
ECAD 3737 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42SM16800 Sdram - ranak 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 348 १३३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी -
IS43TR85120A-093NBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR85120A-093NBLI-TR -
सराय
ECAD 3001 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA IS43TR85120 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-TWBGA (9x10.5) - Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43TR85120A-093NBLI-TR Ear99 8542.32.0036 1,500 1.066 GHz सराय 4 जीबिट 20 एनएस घूंट 512M x 8 तपस्वी 15NS
IS61QDB22M18A-250M3LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDB22M18A-2550M3LI -
सराय
ECAD 7240 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA Is61qdb22 Sram - सिंकthurोनस, कtraume, 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 105 २५० तंग सराय 36mbit 8.4 एनएस शिर 2 सींग x 18 तपस्वी -
IS61VF51236A-6.5B3I-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VF51236A-6.5B3I-TR -
सराय
ECAD 6923 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61VF51236 SRAM - PANRA, THER 2.375V ~ 2.625V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 १३३ सराय सराय 18mbit 6.5 एनएस शिर 512K x 36 तपस्वी -
IS42S16320D-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16320D-6TLI-TR 14.5350
सराय
ECAD 6714 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S16320 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,500 १६६ सराय सराय 512MBIT 5.4 एनएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी -
IS42RM32800E-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42RM32800E-75BLI 9.1192
सराय
ECAD 7963 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42RM32800 Sdram - ranak 2.3V ~ 3V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 240 १३३ सराय सराय 256Mbit 6 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
IS43LR32100C-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32100C-6BL-TR -
सराय
ECAD 2945 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS43LR32100 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 2,500 १६६ सराय सराय 32Mbit 5.5 एनएस घूंट 1 सिया x 32 तपस्वी 12NS
IS43LR32160C-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR32160C-6BL 7.3651
सराय
ECAD 4795 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS43LR32160 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 240 १६६ सराय सराय 512MBIT 5.5 एनएस घूंट 16 सिया x 32 तपस्वी 12NS
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम