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छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
IS62WV25616EBLL-45BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616EBLL-45BLI 3.6600
सराय
ECAD 930 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA IS62WV25616 Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 480 सराय 4Mbit 45 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 45NS
IS42S16160D-75EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160D-75EBLI-TR -
सराय
ECAD 1064 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42S16160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-टीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 १३३ सराय सराय 256Mbit 5.5 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
IS46R16320D-5BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46R16320D-5BLA1-TR 9.8250
सराय
ECAD 3578 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS46R16320 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 60-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,500 २०० सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS43LR16160F-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LR16160F-6BL -
सराय
ECAD 9034 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS43LR16160 SDRAM - SDANA LPDDR 1.7V ~ 1.95V 60-TFBGA (8x10) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 300 १६६ सराय सराय 256Mbit 5.5 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS43LQ16256A-062TBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LQ16256A-062TBLI 18.4400
सराय
ECAD 110 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 200-TFBGA IS43LQ16256 SDRAM - KANAK LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-TFBGA (10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43LQ16256A-062TBLI Ear99 8542.32.0036 136 1.6 GHz सराय 4 जीबिट घूंट २५६ वायर x १६ LVSTL -
IS43TR16640A-15GBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR16640A-15GBL -
सराय
ECAD 3643 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर Sic में बंद r क rur kay 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS43TR16640 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 190 667 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS42S32800D-75ETL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800D-75ETL -
सराय
ECAD 2558 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 86-TFSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S32800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 86-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 108 १३३ सराय सराय 256Mbit 5.5 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
IS61NLP102418B-250B3L-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61NLP102418B-2550B3L-TR 17.2200
सराय
ECAD 5366 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61NLP102418 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 २०० सराय सराय 18mbit 3 एनएस शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
IS42VM16320E-75BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16320E-75BLI 8.1965
सराय
ECAD 4031 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42VM16320 Sdram - ranak 1.7V ~ 1.95V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 348 १३३ सराय सराय 512MBIT 6 एनएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी -
IS62WV5128BLL-55BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55BI -
सराय
ECAD 7308 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 36-TFBGA IS62WV5128 Sram - एसिंकthirोनस 2.5V ~ 3.6V 36-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 480 सराय 4Mbit 55 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी 55NS
IS25LP032D-JNLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP032D-JNLE 1.2300
सराय
ECAD 2 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.154 ", 3.90 मिमी ranak) Is25lp032 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-सेप तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-1585 3A991B1A 8542.32.0071 100 १३३ सराय सराय 32Mbit चमक ४ सींग x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 800 ओएफएस
IS43R32400E-4B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R32400E-4B-TR -
सराय
ECAD 7234 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 144-LFBGA IS43R32400 SDRAM - DDR 2.4V ~ 2.6V 144-LFBGA (12x12) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 1,500 २५० तंग सराय 128Mbit 700 पीएस घूंट 4 सिया x 32 तपस्वी 16NS
IS61WV1288EEBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV1288EEBLL-10TLI 2.2900
सराय
ECAD 10 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-SCIC (0.400 ", 10.16 मिमी ranak) IS61WV1288 Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 32-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 117 सराय 1mbit 10 एनएस शिर 128K x 8 तपस्वी 10NS
IS45S16800E-7BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16800E-7BLA2-TR -
सराय
ECAD 8198 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS45S16800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 2,500 १४३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी -
IS25WP256D-JLLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP256D-JLLE 5.0200
सराय
ECAD 9 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana Is25wp256 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 1.95V 8-WSON (8x6) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 480 १०४ सराय सराय 256Mbit चमक 32 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 800 ओएफएस
IS43DR16320C-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16320C-3DBLI 6.2262
सराय
ECAD 2222 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS43DR16320 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 209 ३३३ सरायम सराय 512MBIT 450 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS25WD020-JKLE-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WD020-JKLE-TR -
सराय
ECAD 8264 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-wdfn ने पैड को को ranahir rana IS25WD020 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 1.95V 8-WSON (6x5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 3,000 80 सराय सराय 2mbit चमक 256K x 8 एसपीआई 3ms
IS45S16160G-7TLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16160G-7TLA1 5.8571
सराय
ECAD 3614 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS45S16160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 108 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
IS42S16800E-75EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16800E-75EBLI-TR -
सराय
ECAD 4825 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42S16800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 2,500 १३३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी -
IS61LPS102418A-200B3-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS102418A-200B3-TR -
सराय
ECAD 9012 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-टीबीजीए IS61LPS102418 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 165-TFBGA (13x15) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 2,000 २०० सराय सराय 18mbit 3.1 एनएस शिर 1 सिया x 18 तपस्वी -
IS61WV20488FBLL-10TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV20488FBLL-10TLI 9.5453
सराय
ECAD 2881 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS61WV20488FBLL-10TLI 135 सराय 16Mbit 10 एनएस शिर 2 सींग x 8 तपस्वी 10NS
IS63LV1024L-10HL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS63LV1024L-10HL -
सराय
ECAD 2494 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 32-TFSOP (0.465 ", 11.80 मिमी ranak) IS63LV1024 Sram - एसिंकthirोनस 3V ~ 3.6V 32-स तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2B 8542.32.0041 234 सराय 1mbit 10 एनएस शिर 128K x 8 तपस्वी 10NS
IS45S16400F-7BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16400F-7BLA1-TR -
सराय
ECAD 3375 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS45S16400 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 2,500 १४३ सराय सराय 64mbit 5.4 एनएस घूंट 4 सिया x 16 तपस्वी -
IS43DR16160A-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160A-3DBLI-TR -
सराय
ECAD 9256 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 ३३३ सरायम सराय 256Mbit 450 पीएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS62WV25616DBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV25616DBLL-45TLI-TR -
सराय
ECAD 8694 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS62WV25616 Sram - एसिंकthirोनस 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 4Mbit 45 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 45NS
IS46DR16320E-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16320E-3DBLA2 5.8923
सराय
ECAD 2259 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS46DR16320 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 209 ३३३ सरायम सराय 512MBIT 450 पीएस घूंट 32 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS61LPS12836A-200B2LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61LPS12836A-200B2LI -
सराय
ECAD 8636 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 119-बीबीजीए IS61LPS12836 SRAM - PANRA, THER 3.135V ~ 3.465V 119-((14x22) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 84 २०० सराय सराय 4.5mbit 3.1 एनएस शिर 128K x 36 तपस्वी -
IS62WV5128BLL-55TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128BLL-55TLI 3.7027
सराय
ECAD 6153 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी ranak) IS62WV5128 Sram - एसिंकthirोनस 2.5V ~ 3.6V 32-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 156 सराय 4Mbit 55 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी 55NS
IS61VPS102436A-166TQL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61VPS102436A-166TQL -
सराय
ECAD 2999 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 100-lqfp IS61VPS102436 SRAM - PANRA, THER 2.375V ~ 2.625V 100-lqfp (14x20) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 72 १६६ सराय सराय 36mbit 3.5 एनएस शिर 1 सिया x 36 तपस्वी -
IS21ES08G-JCLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS21ES08G-JCLI-TR -
सराय
ECAD 3982 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 153-वीएफबीजीए Is21es08 फmus - नंद (एमएलसी (एमएलसी) 2.7V ~ 3.6V 153-((11.5x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B1A 8542.32.0071 2,000 २०० सराय सराय 64gbit चमक 8 जी x 8 ईएमएमसी -
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

    30,000,000

    मानक उत्पाद एकक

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    दुनिया भर में निर्माता

  • In-stock Warehouse

    15,000 मीटर2

    चाल-चलन गोदाम