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कांपना

छवि तमाम सोरकम (यूएसडी) अफ़सस इकैड कांपना (सराय) मंचित कसना पैकेट किलोश सरायना तमाम सवार तमाम तकनीकी वोलmume - सराफकस तंग रत्य अफ़र तक तक की स अफ़सीर ईसीसीएन HTSUS तंग घड़ी आवृत तमाम सराय पहूंच समय तमाम स स संगठन संगठन Rayrी rayrफ़ेस चक चक लिखें लिखें शब -
IS25WP080D-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25WP080D-JBLE 0.9200
सराय
 ECAD 1 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - नली शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) IS25WP080 फmut - rey औ ही ही ही 1.65V ~ 1.95V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0071 90 १३३ सराय सराय 8mbit चमक 1 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi, dtr 800 ओएफएस
IS42S81600E-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S81600E-7TL -
सराय
 ECAD 2885 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS42S81600 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V ५४-ii ii तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 108 १४३ सराय सराय 128Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 8 तपस्वी -
IS62WV12816DBLL-45TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV12816DBLL-45TLI-TR -
सराय
 ECAD 7024 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS62WV12816 Sram - एसिंकthirोनस 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 1,000 सराय 2mbit 45 एनएस शिर 128K x 16 तपस्वी 45NS
IS43DR16160B-3DBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-3DBLI-TR 3.8973
सराय
 ECAD 9016 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 ३३३ सरायम सराय 256Mbit 450 पीएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS46TR16640B-125JBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16640B-125JBLA1-TRA -
सराय
 ECAD 1163 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS46TR16640 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 1,500 800 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 64 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS42SM16160K-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42SM16160K-6BLI 5.9929
सराय
 ECAD 1805 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42SM16160 Sdram - ranak 2.7V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 348 १६६ सराय सराय 256Mbit 5.5 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
IS64C25616AL-12CTLA3 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS64C25616AL-12CTLA33 10.1940
सराय
 ECAD 6242 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 125 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS64C25616 Sram - एसिंकthirोनस 4.5V ~ 5.5V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 135 सराय 4Mbit 12 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 12NS
IS66WV51216EBLL-70TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WV51216EBLL-70TLI 2.4473
सराय
 ECAD 5649 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 44-TSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS66WV51216 Psram (sram sram) 2.5V ~ 3.6V 44-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 135 सराय 8mbit 70 एनएस तड़प 512K x 16 तपस्वी 70NS
IS42VM16800G-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42VM16800G-6BLI-TR -
सराय
 ECAD 9058 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42VM16800 Sdram - ranak 1.7V ~ 1.95V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 2,500 १६६ सराय सराय 128Mbit 5.5 एनएस घूंट 8 सिया x 16 तपस्वी -
IS61WV25616BLL-10BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61WV25616BLL-10BLI 4.2900
सराय
 ECAD 275 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 48-TFBGA IS61WV25616 Sram - एसिंकthirोनस 2.4V ~ 3.6V 48-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 480 सराय 4Mbit 10 एनएस शिर 256K x 16 तपस्वी 10NS
IS25LP128-JBLE ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS25LP128-JBLE 2.3600
सराय
 ECAD 5 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TA) सतह rurcur 8-शिक (0.209 ", 5.30 मिमी ranak) IS25LP128 फmut - rey औ ही ही ही 2.3V ~ 3.6V 8-हुक तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-1341 3A991B1A 8542.32.0071 90 १३३ सराय सराय 128Mbit चमक 16 सिया x 8 Spi - कthamay i/o, qpi 1ms
IS43R83200F-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R83200F-6TLI 4.2800
सराय
 ECAD 278 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS43R83200 SDRAM - DDR 2.3V ~ 2.7V 66-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 108 १६६ सराय सराय 256Mbit 700 पीएस घूंट 32 सिया x 8 तपस्वी 15NS
IS62WV5128EBLL-45TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS62WV5128EBLL-45TLI 2.7843
सराय
 ECAD 1527 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 32-TFSOP (0.724 ", 18.40 मिमी ranak) IS62WV5128 Sram - एसिंकthirोनस 2.2V ~ 3.6V 32-tsop I तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 156 सराय 4Mbit 45 एनएस शिर 512K x 8 तपस्वी 45NS
IS46DR16128A-3DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46DR16128A-3DBLA1 -
सराय
 ECAD 6878 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 84-LFBGA IS46DR16128 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-LFBGA (10.5x13.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 162 ३३३ सरायम सराय 2 जीबिट 450 पीएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS43LD32640C-18BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43LD32640C-18BLI 10.4529
सराय
 ECAD 3035 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TC) सतह rurcur 134-TFBGA SDRAM - SDANA LPDDR2 -S4 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V 134-TFBGA (10x11.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 706-IS43LD32640C-18BLI 171 ५३३ सरायम सराय 2 जीबिट 5.5 एनएस घूंट 64 सिया x 32 Hsul_12 15NS
IS43DR16160B-3DBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR16160B-3DBL-TR 2.3989
सराय
 ECAD 3886 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 84-TFBGA IS43DR16160 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 84-‘ तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 ३३३ सरायम सराय 256Mbit 450 पीएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS46LQ16128A-062BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46LQ16128A-062BLA2 -
सराय
 ECAD 9902 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक सींग, AEC-Q100 थोक शिर -40 ° C ~ 105 ° C (TC) सतह rurcur 200-WFBGA SDRAM - KANAK LPDDR4 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V 200-((10x14.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) 706-IS46LQ16128A-062BLA2 136 1.6 GHz सराय 2 जीबिट 3.5 एनएस घूंट 128 सिया x 16 LVSTL 18NS
IS45S16100E-7BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS45S16100E-7BLA1 -
सराय
 ECAD 2165 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर Sic में बंद r क rur kay -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS45S16100 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 60-TFBGA (6.4x10.1) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0002 286 १४३ सराय सराय 16Mbit 5.5 एनएस घूंट 1 सिया x 16 तपस्वी -
IS43DR82560B-25EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR82560B-25EBLI -
सराय
 ECAD 6851 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS43DR82560 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-((10.5x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 136 ४०० सराय सराय 2 जीबिट 400 पीएस घूंट २५६ सिया x k तपस्वी 15NS
IS42S16160G-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-7BL 3.7930
सराय
 ECAD 9215 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42S16160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 348 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
IS43TR81280B-125JBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43TR81280B-125JBL-TR -
सराय
 ECAD 4852 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 78-TFBGA IS43TR81280 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 78-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 2,000 800 तंग सराय 1gbit 20 एनएस घूंट 128 वायर x 8 तपस्वी 15NS
IS43R86400D-5TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43R86400D-5TL-TR 5.3325
सराय
 ECAD 6850 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 66-TSSOP (0.400 ", 10.16 मिमी rana) IS43R86400 SDRAM - DDR 2.5V ~ 2.7V 66-TSOP II तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0028 1,500 २०० सराय सराय 512MBIT 700 पीएस घूंट 64 सिया x 8 तपस्वी 15NS
IS42S32800G-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S32800G-6BL-TR 6.7200
सराय
 ECAD 1482 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 90-TFBGA IS42S32800 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 90-TFBGA (8x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 १६६ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 8m x 32 तपस्वी -
IS43DR82560B-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS43DR82560B-3DBLI -
सराय
 ECAD 5894 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 60-TFBGA IS43DR82560 SDRAM - DDR2 1.7V ~ 1.9V 60-((10.5x13) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Q8667869 Ear99 8542.32.0036 100 ३३३ सरायम सराय 2 जीबिट 450 पीएस घूंट २५६ सिया x k तपस्वी 15NS
IS42S16160J-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160J-7BL-TR 3.9594
सराय
 ECAD 3447 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - R टेप ray ryील (ther) शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42S16160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 2,500 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
IS46TR16128C-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS46TR16128C-125KBLA1 6.3746
सराय
 ECAD 7108 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 95 ° C (TC) सतह rurcur 96-TFBGA IS46TR16128 SDRAM - DDR3 1.425V ~ 1.575V 96-बीडब तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0036 190 800 तंग सराय 2 जीबिट 20 एनएस घूंट 128 सिया x 16 तपस्वी 15NS
IS66WVH16M8DALL-166B1LI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS66WVH16M8DALL-166B1LI 5.0400
सराय
 ECAD 6 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 24-टीबीजीए IS66WVH16M8 Psram (sram sram) 1.7V ~ 1.95V 24-TFBGA (6x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 480 १६६ सराय सराय 128Mbit 36 एनएस तड़प 16 सिया x 8 तपस्वी 36NS
IS42S16160G-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS42S16160G-7BLI 4.0820
सराय
 ECAD 4450 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर नए ranak के लिए नहीं नहीं नहीं नहीं -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 54-TFBGA IS42S16160 एक प्रकार का 3V ~ 3.6V 54-TFBGA (8x8) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0024 348 १४३ सराय सराय 256Mbit 5.4 एनएस घूंट 16 सिया x 16 तपस्वी -
IS61QDPB22M36A-333M3L ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS61QDPB2222M36A-333M3L 100.1770
सराय
 ECAD 9919 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर 0 ° C ~ 70 ° C (TA) सतह rurcur 165-LBGA IS61QDPB22 Sram - सिंकthurोनस, कtraume, 1.71V ~ 1.89V 165-LFBGA (15x17) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम 3A991B2A 8542.32.0041 105 ३३३ सरायम सराय 72MBIT 8.4 एनएस शिर 2 सींग x 36 तपस्वी -
IS49NLC36160-25BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc IS49NLC36160-25BI -
सराय
 ECAD 9949 0.00000000 Issi, n सिलिकॉन सिलिकॉन rananama इंक - शिर शिर -40 ° C ~ 85 ° C (TA) सतह rurcur 144-TFBGA IS49NLC36160 Rldram 2 1.7V ~ 1.9V 144-((11x18.5) तंग Rohs3 आजthabaira 3 (168 घंटे) तमाम Ear99 8542.32.0032 104 ४०० सराय सराय 576MBIT 20 एनएस घूंट 16 सिया x 36 तपस्वी -
  • Daily average RFQ Volume

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    दैनिक औसत आरएफक्यू मात्रा

  • Standard Product Unit

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    मानक उत्पाद एकक

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    दुनिया भर में निर्माता

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AD9208BBPZ-3000

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